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    Textur- und Mikrostrukturentwicklung bei der ionenstrahlunterstützten Laserdeposition von MgO

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    In dieser Arbeit wurde die Textur- und Mikrostrukturentwicklung von MgO bei der ionenstrahlunterstützten Laserdeposition auf amorphen Substraten untersucht. Das Wachstum der Schichten wurde in-situ mit Hilfe der hochenergetischen Elektronenbeugung verfolgt. Eine Auswertung der Beugungsaufnahmen ermöglicht qualitative und quantitative Aussagen zur Texturausbildung während des Wachstums. Anschließend erfolgte eine Charakterisierung mit Röntgenmethoden, mit dem AFM und dem REM. Zur Untersuchung aktiver Mechanismen wurden ergänzende Experimente an MgO-Einkristallen durchgeführt. Bei der Abscheidung von MgO auf amorphen Substraten ohne Ionenstrahlunterstützung können zwei Temperaturbereiche unterschieden werden. Unterhalb von 250°C entwickelt sich aus einer amorphen Keimschicht eine <110>-Fasertextur. Oberhalb dieser Temperatur wird in der Keimbildung eine <100>-Fasertextur beobachtet. Mit wachsender Schichtdicke führt ein Texturwechsel zu einer <111>-Fasertextur. Als treibende Kraft für diesen Prozeß werden innere Spannungen angesehen. Bei Verwendung eines unterstützenden Ionenstrahls findet eine orientierte Keimbildung statt, bei der biaxiale Texturen in einer Schichtdicke unterhalb von 10 nm ausgebildet werden. Unterhalb von 250°C werden Texturkomponenten mit einer <100>-Richtung parallel zum Ionenstrahl bevorzugt. Oberhalb dieser Schwellentemperatur wurde bei einem Ioneneinfallswinkel zwischen 35° und 55° und Ionenenergien zwischen 400 und 800 eV eine Würfeltextur mit einer <110>-Richtung parallel zum Ionenstrahl auf verschiedenen amorphen und glatten Substraten gefunden. Der optimale Ioneneinfallswinkel liegt bei einem Winkel von 45°, wobei Würfeltexturen mit in-plane Halbwertsbreiten von < 21° erreicht. Ursache für die in-plane Texturierung ist eine anisotrope Sputterrate, die bei Experimenten an MgO-Einkristallen gefunden wurde. Ein Vergleich mit molekulardynamischen Simulationen zeigt, daß entlang der <110>-Richtung ein Channeling möglich ist. Da in diesem Temperaturbereich die <100>-Richtung parallel zur Substratnormalen thermodynamisch bevorzugt ist, werden auf Grund des Channeling Keime mit einer <110>-Richtung parallel zum Ionenstrahl weniger gestört als anders orientierte Körner und dominieren so die Oberflächentextur. Oberhalb einer Schichtdicke von ca. 5 nm wird eine Texturänderung beobachtet, die zu Komponenten mit einer <100>-Richtung parallel zum Ionenstrahl führt und für die die starke Anisotropie der Sputterrate verantwortlich gemacht werden kann. In Experimenten an Einkristallen wurde das Minimum der Sputterrate für eine Ausrichtung der <100>-Richtung parallel zum Ionenstrahl gefunden. Auslöser für die Texturänderung ist der Einbau von Defekten auf Grund der Ionenstrahlunterstützung. Dadurch entstehen Subkörner mit einer breiten out-of-plane Orientierungsverteilung, aus denen über eine sputterbedingte Wachstumsauslese Körner mit einem minimalen Winkel zwischen Ionenstrahl und <100>-Richtung bevorzugt werden. Diese Argumentation wird zusätzlich durch eine beobachtete Zunahme von Korngröße und Rauhigkeit gestützt. Um dickere, würfelorientierte Schichten zu erhalten, muß die Keimschicht epitaktisch weitergewachsen werden. Voruntersuchungen an Einkristallen zeigten, daß mit PLD eine Homoepitaxie ab einer Temperatur von 300°C möglich ist. Allerdings wurde bei der Deposition auf würfelorientierten MgO-Keimschichten ein Texturwandel zu <111>-Fasertexturen beobachtet. Als Ursache kommen Spannungen oder eine schlechter Bedeckungsgrad der würfelorientierten Bereiche in Frage. Die epitaktische Deposition anderer Oxide führte nicht zum Erfolg. Das auf die MgO-Keimschicht direkt deponierte YBCO wies dagegen eine biaxiale Textur mit einer Halbwertsbreite von ca. 40° auf. In Vergleichsexperimenten mit TiN wurde in der Keimbildung ebenfalls eine Würfelorientierung gefunden. Dies weist darauf hin, daß die beobachteten Mechanismen der Texturentwicklung auf andere Substanzen mit NaCl-Struktur verallgemeinert werden können

    Reversible shift in the superconducting transition for La1.85Sr0.15CuO4 and BaFe1.8Co0.2As2 using piezoelectric substrates

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    The use of piezoelectric substrates enables a dynamic observation of strain dependent properties of functional materials. Based on studies with La1.85Sr0.15CuO4 we extended this approach to the iron arsenic superconductors represented by BaFe2-xCoxAs2 to investigate strain driven changes in detail. We demonstrate that epitaxial thin films can be prepared on (001)Pb(Mg1/3Nb2/3)0.72Ti0.28O3 substrates using pulsed laser deposition. The structural as well as the electric properties of the grown films were characterized in detail. A reversible shift of the superconducting transition of 0.44 K for La1.85Sr0.15CuO4 and 0.2 K for BaFe1.8Co0.2As2 was observed applying a biaxial strain of 0.022% and 0.017% respectively

    Interface control by homoepitaxial growth in pulsed laser deposited iron chalcogenide thin films

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    Thin film growth of iron chalcogenides by pulsed laser deposition (PLD) is still a delicate issue in terms of simultaneous control of stoichiometry, texture, substrate/film interface properties, and superconducting properties. The high volatility of the constituents sharply limits optimal deposition temperatures to a narrow window and mainly challenges reproducibility for vacuum based methods. In this work we demonstrate the beneficial introduction of a semiconducting FeSe1−xTex seed layer for subsequent homoepitaxial growth of superconducting FeSe1−xTex thin film on MgO substrates. MgO is one of the most favorable substrates used in superconducting thin film applications, but the controlled growth of iron chalcogenide thin films on MgO has not yet been optimized and is the least understood. The large mismatch between the lattice constants of MgO and FeSe1−xTex of about 11% results in thin films with a mixed texture, that prevents further accurate investigations of a correlation between structural and electrical properties of FeSe1−xTex. Here we present an effective way to significantly improve epitaxial growth of superconducting FeSe1−xTex thin films with reproducible high critical temperatures (≥17 K) at reduced deposition temperatures (200 °C–320 °C) on MgO using PLD. This offers a broad scope of various applications

    Effect of Silver Doping on the Superconducting and Structural Properties of YBCO Films Grown by PLD on Different Templates

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    We report the local structural and superconducting properties of undoped and Ag-doped YBa2Cu3O6+x (YBCO) films with a thickness of up to 1 µm prepared by pulsed laser deposition on SrTiO3 (STO) single crystals and on ion-beam-assisted deposition (IBAD) and rolling-assisted biaxially textured substrate (RABiTS)-based metal templates. X-ray diffraction demonstrates the high crystalline quality of the films on both single crystalline substrates and metal-based templates, respectively. Although there was only a slight decrease in Tc of up to 1.5 K for the Ag-doped YBCO films on all substrates, we found significant changes in their transport characteristics. The effect of the silver doping mainly depended on the concentration of silver, the type of substrate, and the temperature and magnetic field. In general, the greatest improvement in Jc over a wide range of magnetic fields and temperatures was observed for the 5%Ag-doped YBCO films on STO substrates, showing a significant increase compared to undoped films. Furthermore, a slight Jc improvement was observed for the 2%Ag-doped YBCO films on the RABiTS templates at temperatures below 65 K, whereas Jc decreased for the Ag-doped films on IBAD-MgO-based templates compared to undoped YBCO films. Using detailed electron microscopy studies, small changes in the local microstructure of the Ag-doped YBCO films were revealed; however, no clear correlation was found with the transport properties of the films
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