Fréchet differentiability of regular locally Lipschitzian functions

AbstractThis paper considers Fréchet differentiability almost everywhere in the sense of category of regular, locally Lipschitzian real-valued functions defined on open subsets of a Banach space. It is first shown that, for separable Banach spaces, Clarke's generalized gradient of such a function is a minimal, convex- and compact-valued, upper semicontinuous multifunction. Using a theorem of Christensen and Kenderov it is then shown that, for separable Asplund spaces, such a function is Fréchet differentiable on a dense Gδ subset of its domain

Properties and characterization of ALD grown dielectric oxides for MIS structures

We report on an extensive structural and electrical characterization of under-gate dielectric oxide insulators Al2O3 and HfO2 grown by Atomic Layer Deposition (ALD). We elaborate the ALD growth window for these oxides, finding that the 40-100 nm thick layers of both oxides exhibit fine surface flatness and required amorphous structure. These layers constitute a base for further metallic gate evaporation to complete the Metal-Insulator-Semiconductor structure. Our best devices survive energizing up to ~3 MV/cm at 77 K with the leakage current staying below the state-of-the-art level of 1 nA. At these conditions the displaced charge corresponds to a change of the sheet carrier density of 3 \times 1013 cm-2, what promises an effective modulation of the micromagnetic properties in diluted ferromagnetic semiconductors.Comment: 8 pages, 5 figures, 14 reference

Budżetowanie działalności jednostek gospodarczych Teoria i praktyka. Część V

Z wprowadzenia: "Przekazujemy do rąk Czytelników część monografii dotyczącej budżetowania jednostek gospodarczych. Jej przygotowanie zbiegło się z ukazaniem się manifestu Precz z budżetami Jeremiego Норе’а i Robina Frasera. Autorzy poddają tam ostrej krytyce dotychczasowe praktyki stosowania budżetowania kosztowego. Stąd niniejsza publikacja - między innymi - dlatego różni się istotnie od poprzednich. Od pewnego czasu - także w Polsce - pojawiały się głosy wskazujące na istotne niedoskonałości budżetowania kosztowego, na przykład J. Gierusz [Materiały konferencyjne 2001], G. H. Świderska [Rachunkowośćzarządcza i rachunek kosztów, 2002]. Nie odnosiły one jednak skutku. Nie zauważono też dotąd narastającej listy zarzutów wytaczanych przeciw finansowym jednostkom miary stosowanym w budżetowaniu kosztowym, na przykład G. K. Świderska [jak wyżej], M. Sierpińska, B. Niedbała [Controllingoperacyjny wpnedsiębiorstwie, 2003]. Bez echa pozostało postawione przez autora pytanie: „zmierzch czy rozwój budżetowania?” [„Controlling i rachunkowość zarządcza” 9/2002], gdzie jednoznacznie wskazano, że budżetowanie kosztowe obejmuje jedynie jedną sferę działalności przedsiębiorstwa i tym samym nie może stanowić wystarczającej podstawy do sterowania przedsiębiorstwem. Zwolennicy budżetowania kosztowego nawet zgadzali się ze stawianymi zarzutami, jednak nie reagowali na propozycje zmian w filozofii i metodologii budżetowania."(...

Properties of thin films of high-k oxides grown by atomic layer deposition at low temperature for electronic applications

Thin films of high-k oxides are presently used in semiconductor industry as gate dielectrics. In this work, we present the comparison of structural, morphological and electrical properties of binary and composite layers of high-k oxides that include hafnium dioxide (HfO2), aluminum oxide (Al2O3) and zirconium dioxide (ZrO2). We deposit thin films of high-k oxides using atomic layer deposition (ALD) and low growth temperature (60–240 °C). Optimal technological growth parameters were selected for the maximum smoothness, amorphous microstructure, low leakage current, high dielectric strength of dielectric thin films, required for gate applications. High quality of the layers is confirmed by their introduction to test electronic structures, such as thin film capacitors, transparent thin film capacitors and transparent thin film transistors. In the latter structure we use semiconductor layers of zinc oxide (ZnO) and insulating layers of high-k oxide grown by the ALD technique at low temperature (no more than 100 °C)

Characterization of n-ZnO/p-GaN Heterojunction for Optoelectronic Applications

An important feature of zinc oxide and gallium nitride materials are their similar physical properties. This allows to use them as a p-n junction materials for applications in optoelectronics. In earlier work we presented use of ZnO as a transparent contact to GaN, which may improve external efficiency of LED devices. In this work we discuss properties of a n-ZnO/p-GaN heterostructure and discuss its optimization. The heterostructure is investigated by us for possible applications, e.g. in a new generation of UV LEDs or UV light detectors

Characterization of n-ZnO/p-GaN Heterojunction for Optoelectronic Applications

An important feature of zinc oxide and gallium nitride materials are their similar physical properties. This allows to use them as a p-n junction materials for applications in optoelectronics. In earlier work we presented use of ZnO as a transparent contact to GaN, which may improve external efficiency of LED devices. In this work we discuss properties of a n-ZnO/p-GaN heterostructure and discuss its optimization. The heterostructure is investigated by us for possible applications, e.g. in a new generation of UV LEDs or UV light detectors