UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE DANS LES TECHNOLOGIES MOS

L'implantation ionique, technique de dopage originale, s'est affirmée dans le domaine de la technologie MOS où elle est devenue un processus industriel. A partir des caractéristiques de cette technique, on dégagera les méthodes qui permettent de pallier différentes limitations de la technologie MOS classique (recouvrement grille drain, rapport tension de seuil oxyde épais – tension de seuil oxyde lin) et on montrera les applications originales qu'il est possible d'envisager avec l'implantation ionique. Des exemples de technologies seront présentés (technologie déplétion-enrichissement à canal P, technologie MOS complémentaire sur substrat isolant) précisant les possibilités de l'implantation ionique tant au niveau de la structure des circuits intégrés réalisés que des performances atteintes

Étude des niveaux excités du 32S obtenu par réactions 31P (p, α0) et 31P(p, p)

The reaction 31P(p, α) has been studied in the energy range Ep = 1 MeV to 2 MeV. The elastic scattering has also been studied at about 2 MeV. Characteristics of 32S levels have been determined between 9.8 and 10.8 MeV.L'étude de la réaction 31P(p, α) de Ep = 1 MeV à 2,02 MeV et de la diffusion élastique 31P(p, p) aux environs de 2 MeV nous a permis de mettre en évidence et de déterminer les caractéristiques de niveaux excités du 32S de 9,8 à 10,8 MeV