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Verwendung des BSIM2-Modells bei höheren Frequenzen
Alle modernen Netzwerksimulationsprogramme enthalten für MOS-Transistoren mindestens die Modelle MOS1 bis MOS3, BSIM1 und BSIM2. Das BSIM2-Modell zeichnet sich durch eine relativ gute Widerspiegelung der DC-Eigenschaften einschließlich vieler Nebeneffekte des MOS-Transistors aus. Im Beitrag wird untersucht, inwieweit das BSIM2-Modell sich im unteren GHz-Bereich verwenden läßt
Zuverlässigkeitsuntersuchungen an MOS-Strukturen auf Wafer-Ebene
Zur Charakterisierung der Hot-Carrier-Resistenz der Transistoren in CMOS-Schaltungen und für die Lösung von Prozeßmonitoraufgaben eignet sich die Anwendung eines Gateimpulsstreßverfahrens auf Wafer-Ebene. Mit den Programmen "ARON8" und "OPTIKON" können durch Hot-Carrier-Streß deformierte Transistorkennlinien modelliert werden. Auf dieser Grundlage ermöglicht die Netzwerksimulation Veränderungen von Schaltungsparametern vorauszuberechnen, die durch Hot-Carrier-Effekte ausgelöst werden können. Durch TDDB-Messungen auf Wafer-Ebene kann die defektinduzierte Verringerung der Ausfallzeiten an Gateoxidkapazitäten ebenso nachgewiesen werden, wie durch aufwendige Ofentests. Das Testsystem muß die Registrierung der Ausfallereignisse parallel an möglichst vielen Strukturen und mit hoher Zeitauflösung gestatten