Levantamento pedológico semidetalhado (1:25.000) da microbacia da Água Três Unidos, Município de Vera Cruz (SP).

Este trabalho é um relato dos solos identificados no levantamento pedológico semidetalhado da microbacia da Água Três Unidos. Abrangendo aproximadamente 1.624 hectares, a microbacia situa-se no município de Vera Cruz, localizada a oeste do Estado de São Paulo, entre as coordenadas geográficas 22º13? e 22º17? de latitude sul e 49º49? e 49º52? de longitude oeste. Está inserida no compartimento geomorfológico do Planalto Ocidental Paulista e, geologicamente, é caracterizada pelos arenitos cretácicos do Grupo Bauru, Formações Marília e Adamantina. O relevo varia de plano, nos topos e planícies aluviais, a montanhoso e escarpado, nas escarpas areníticas, predominando os relevos suave ondulado sob domínio dos solos latossolizados e ondulado nas áreas de ocorrência dos Podzólicos abruptos. O tipo climático predominante é Cwa, segundo a classificação de Köppen, com temperatura média anual de 21,4 ºC e pluviosidade média anual próxima a 1.500 mm. A cultura do café está entre as de maior importância nos relevos plano e suave ondulado sob domínio dos solos latossolizados, enquanto as pastagens estendem-se em grandes áreas dominadas com os Podzólicos abruptos eutróficos e álicos. Foram identificadas e cartografadas 9 unidades de solos na microbacia da Água Três Unidos, as quais apresentam uma estreita relação com o relevo. Assim, duas toposseqüências são predominantes na região. A primeira, caracteriza-se pela presença dos Latossolos Vermelho-Amarelos ou Vermelho-Escuros álicos ou distróficos nos topos aplainados, transicionando-se para os Podzólicos abruptos e Podzólicos latossólicos com o aumento da declividade, nas posições de ombro e terço superior das vertentes. Enquanto os abruptos podem ser álicos, distróficos e, predominantemente eutróficos, os Podzólicos latossólicos são essencialmente álicos ou distróficos, de textura binária arenosa/média, mais friáveis e de menor gradiente textural em relação aos Podzólicos abruptos. Sucedendo aos solos com B textural na toposseqüência, são encontrados solos poucos desenvolvidos (Solos Litólicos, Regossolos e Podzólicos abruptos rasos) nas proximidades das escarpas areníticas em relevo, predominantemente, ondulado e forte ondulado. Abaixo da escarpa, os Podzólicos abruptos são dominantes, predominantemente eutróficos, de textura binária arenosa/média e com características semelhantes àqueles localizados a montante da mesma, enquanto nas planícies aluviais predominam os solos hidromórficos (Gleissolos) e os aluviais em menores proporções. A segunda toposseqüência difere da anterior pela predominância dos Podzólicos Vermelho-Amarelos latossólicos nos topos, geralmente, mais estreitos e declivosos em relação aos locais de ocorrência de Latossolos.bitstream/CNPS/11839/1/bp12002lvtomicrobacia.pd

A New Expression for the Gain-Noise Relation of Single-Carrier Avalanche Photodiodes With Arbitrary Staircase Multiplication Regions

We propose a simple expression to relate the total excess noise factor of a single-carrier multiplication staircase avalanche photodiode (APD) to the excess noise factor and gain given by the individual conduction band discontinuities. The formula is valid when electron impact ionization dominates hole impact ionization; hence, it is especially suited for staircase APDs with In-rich multiplication regions, as opposed, for example, to GaAs/AlGaAs systems where hole ionization plays an important role. The formula has been verified by accurate means of numerical simulations based on a newly developed nonlocal history dependent impact ionization model

Optimization of GaAs/AlGaAs staircase avalanche photodiodes accounting for both electron and hole impact ionization

A recently developed nonlocal history dependent model for electron and hole impact ionization is used to compute the gain and the excess noise factor in avalanche photodiodes featuring heterojunctions of III-V compound semiconductors while accounting for both carriers. The model has been calibrated with measurements by our group, as well as on noise versus gain data from the literature. We explore the avalanche photodiode design trade-offs related to the number of GaAs/AlGaAs conduction band steps for X-ray spectroscopy applications

On the origin of high m magnetospheric waves

A survey of Advanced Rio-Imaging Experiment in Scandinavia data reveals evidence for a previously overlooked generation mechanism of high azimuthal wave number magnetospheric waves. Here we present observations of pulsating cosmic noise absorption with azimuthal wave numbers as high as 380, suggestive of precipitation modulation by magnetospheric waves. Dispersion relations of the small-scale precipitation pulsations are indicative of the proposed origin. Previous studies of magnetospheric waves, together with data from the Charge And Mass Magnetospheric Ion Composition Experiment (Magnetospheric Ion Composition Sensor) instrument aboard the Polar spacecraft, provide support for the theory

Experimental and simulation analysis of carrier lifetimes in GaAs/AlGaAs Avalanche Photo-Diodes

Extensive experimental characterization and TCAD simulation analysis have been used to study the dark current in Avalanche Photo-Diodes (APDs). The comparison between the temperature dependence of measurements and simulations points out that SRH generation/recombination is responsible for the observed dark current. After the extraction of the carrier lifetimes in the GaAs layers, they have been used to predict the APD collection efficiency of the photo-generated currents under realistic operation conditions and as a function of the photogeneration position inside the absorption layer