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    Psychisch auffällige Eltern: Risiken für die kindliche Entwicklung im Säuglings- und Kleinkindalter?

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    'Im Rahmen einer prospektiven Längsschnittstudie an 354 Familien und ihren erstgeborenen Kindern im Alter von 3 und 24 Monaten wird die Rolle psychischer Störungen der Eltern als Risikofaktor für die frühe kindliche Entwicklung untersucht. Die Ergebnisse zeigen, daß Kinder psychisch auffälliger Eltern im Alter von zwei Jahren vor allem sprachlich weniger weit entwickelt und in ihrem Sozialverhalten auffälliger sind als Kinder unauffälliger Eltern. Obwohl die psychische Auffälligkeit eines Elternteils mit zahlreichen anderen Problemen in der Familie konfundiert ist, läßt sich demonstrieren, daß sie einen spezifischen Einfluß auf die kindliche Entwicklung besitzt. Als vermittelnder Faktor zwischen elterlichen Auffälligkeiten und kindlichen Entwicklungsstörungen können gestörte Eltern-Kind-Beziehungen identifiziert werden. Nicht nur das seelische Befinden der Eltern beeinflußt die kindliche Entwicklung, elterliche Erfahrungen im Umgang mit ihren Kindern wirken sich umgekehrt auch auf die psychische Gesundheit der Eltern aus.' (Autorenreferat

    Does It Count? Pre-School Children’s Spontaneous Focusing on Numerosity and Their Development of Arithmetical Skills at School

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    BACKGROUND Children's spontaneous focusing on numerosity (SFON) is related to numerical skills. This study aimed to examine (1) the developmental trajectory of SFON and (2) the interrelations between SFON and early numerical skills at pre-school as well as their influence on arithmetical skills at school. METHOD Overall, 1868 German pre-school children were repeatedly assessed until second grade. Nonverbal intelligence, visual attention, visuospatial working memory, SFON and numerical skills were assessed at age five (M = 63 months, Time 1) and age six (M = 72 months, Time 2), and arithmetic was assessed at second grade (M = 95 months, Time 3). RESULTS SFON increased significantly during pre-school. Path analyses revealed interrelations between SFON and several numerical skills, except number knowledge. Magnitude estimation and basic calculation skills (Time 1 and Time 2), and to a small degree number knowledge (Time 2), contributed directly to arithmetic in second grade. The connection between SFON and arithmetic was fully mediated by magnitude estimation and calculation skills at pre-school. CONCLUSION Our results indicate that SFON first and foremost influences deeper understanding of numerical concepts at pre-school and-in contrast to previous findings -affects only indirectly children's arithmetical development at school

    Integration of the End Cap TEC+ of the CMS Silicon Strip Tracker

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    The silicon strip tracker of the CMS experiment has been completed and inserted into the CMS detector in late 2007. The largest sub-system of the tracker is its end cap system, comprising two large end caps (TEC) each containing 3200 silicon strip modules. To ease construction, the end caps feature a modular design: groups of about 20 silicon modules are placed on sub-assemblies called petals and these self-contained elements are then mounted into the TEC support structures. Each end cap consists of 144 petals, and the insertion of these petals into the end cap structure is referred to as TEC integration. The two end caps were integrated independently in Aachen (TEC+) and at CERN (TEC--). This note deals with the integration of TEC+, describing procedures for end cap integration and for quality control during testing of integrated sections of the end cap and presenting results from the testing

    Cognitive-behavioral therapy of school refusal: School phobia and school anxiety

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    Die Arbeit gibt einen Überblick über aktuelle kognitiv-verhaltenstherapeutische Behandlungsansätze nicht dissozialer Schulverweigerung (Schulphobie und Schulangst) bei Kindern und Jugendlichen. Einleitend wird der Problembereich definiert sowie der Stand des Wissens zu Prävalenz, Verlauf und Risikofaktoren dargestellt. Den Schwerpunkt der Arbeit stellt die psychotherapeutische Behandlung von Schulphobie und Schulangst dar. Neben allgemeinen Behandlungsprinzipien wird auf die wichtigsten verhaltenstherapeutischen Techniken sowie auf kognitivverhaltenstherapeutische Behandlungsprogramme eingegangen. Es folgt eine ausführliche Beschreibung des Stands der Wirksamkeitsforschung. Schließlich wird praxisnah der Ablauf der Diagnostik, Therapieplanung und -durchführung dargestellt.(DIPF/Orig.)The study provides an overview of current cognitive-behavioral interventions to treat school-refusal in children and adolescents. First of all we define the problem area and describe the standard of knowledge about prevalence, course and risk factors. The main focus of our work is presented by psychotherapeutic treatments of school phobia and school anxiety. Apart from general treatment principles we give a survey of the most important behavioral therapeutic as well as cognitive-behavioral therapeutic treatments. In addition, we provide a detailed description of current research about efficacy. After all we characterize diagnostic, treatment planning and implementation.(DIPF/Orig.

    Untersuchung der Wasserstoff- und Tritiumhemmung von gezielt aufgebrachten Schutzschichten auf hochlegierten Wärmetauschmaterialien für Prozeßwärmeanwendung

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    In High Temperature Reactors, hydrogen permeates at 900 °C through the walls of the heat exchanger. A research and developing program has been founded in order to reduce the hydrogen permeation by covering the surfaces with oxidic protective layers. This work describes the developrnent, set up and use of a permeation device, which allows by means of perrneation technique the direct deterrnination of the quality of the oxidic protection layer deposited an sarnple plats. The calibration of the device was made with measurements at uncovered sarnples of nickel and checked by a comparisort with literature data. Measurements an uncovered and coveredHastelloy-X-samples are described and discussed theoretically in terms of a two-zone model of the permeation through oxide-substrate layers
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