3,639 research outputs found

    Preparation and characterization of Bi26–2xMn2xMo10O69-d and Bi26.4Mn0.6Mo10–2yMe2yO69-d(Me = V, Fe) solid solutions

    Get PDF
    Received: 06.06.2017; accepted: 23.06.2017; published: 14.07.2017.Single phase samples of bismuth molybdate, Bi26Mo10O69, doped with Mn on the bismuth sublattice and V, Fe on the molybdenum sublattice were found to crystallize in the triclinic Bi26Mo10O69 structure at low doping levels and in the monoclinic Bi26Mo10O69 structure - at higher dopant concentration. The assumption that all Mn ions have an oxidation state of +2 was confirmed by means of magnetic measurement results analysis using Curie-Weiss law. Conductivity was investigated using impedance spectroscopy. The conductivity of Bi26.4Mn0.6Mo9.6Fe0.4O69-d was 1.2*10-2 S*cm-1 at 973 K and 2.2*10-4 S*cm-1 at 623 K, and the conductivity of Bi26.4Mn0.6Mo9.2V0.8O69-d was 2.2*10-3 S*cm-1 at 973 K and 2.2*10-5 S*cm-1 at 623 K

    Overhauser effect in individual InP/GaInP dots

    Get PDF
    Sizable nuclear spin polarization is pumped in individual InP/GaInP dots in a wide range of external magnetic fields B_ext=0-5T by circularly polarized optical excitation. We observe nuclear polarization of up to ~40% at Bext=1.5T and corresponding to an Overhauser field of ~1.2T. We find a strong feedback of the nuclear spin on the spin pumping efficiency. This feedback, produced by the Overhauser field, leads to nuclear spin bi-stability at low magnetic fields of Bext=0.5-1.5T. We find that the exciton Zeeman energy increases markedly, when the Overhauser field cancels the external field. This counter-intuitive result is shown to arise from the opposite contribution of the electron and hole Zeeman splittings to the total exciton Zeeman energy

    Overhauser effect in individual InP/GaInP dots

    Full text link
    Sizable nuclear spin polarization is pumped in individual InP/GaInP dots in a wide range of external magnetic fields B_ext=0-5T by circularly polarized optical excitation. We observe nuclear polarization of up to ~40% at Bext=1.5T and corresponding to an Overhauser field of ~1.2T. We find a strong feedback of the nuclear spin on the spin pumping efficiency. This feedback, produced by the Overhauser field, leads to nuclear spin bi-stability at low magnetic fields of Bext=0.5-1.5T. We find that the exciton Zeeman energy increases markedly, when the Overhauser field cancels the external field. This counter-intuitive result is shown to arise from the opposite contribution of the electron and hole Zeeman splittings to the total exciton Zeeman energy

    Suppression of nuclear spin diffusion at a GaAs/AlGaAs interface measured with a single quantum dot nano-probe

    Full text link
    Nuclear spin polarization dynamics are measured in optically pumped individual GaAs/AlGaAs interface quantum dots by detecting the time-dependence of the Overhauser shift in photoluminescence (PL) spectra. Long nuclear polarization decay times of ~ 1 minute have been found indicating inefficient nuclear spin diffusion from the GaAs dot into the surrounding AlGaAs matrix in externally applied magnetic field. A spin diffusion coefficient two orders lower than that previously found in bulk GaAs is deduced.Comment: 5 pages, 3 figures, submitted to Phys Rev

    Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

    Get PDF
    Розроблена технологія дозволила створити діоди Ганна, що працюють на частоті до 80 ГГц з ККД до 4% і вихідною потужністю 40 мВт.The developed technology has created Gunn diodes operating at frequencies up to 80 GHz with an efficiency of up to 4% and an output power of 40 mW.Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт

    Особенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГц

    Get PDF
    Розроблено конструкцію і перспективну технологію виготовлення діодів Ганна на епітаксійних структурах GaAs п-п + - типу з катодних контактом, инжектуючим гарячі електрони. Досліджено моногармонічний і бігармонічний режими роботи на частотах вище 60 ГГц. Досягнуто значення ККД 1,2% для генераторів, що працюють в бігармонічному режимі на робочій частоті 94 ГГц.The design is developed and promising manufacturing technology Gunn diodes on GaAs epitaxial structures p-n + - type contact with the cathode, injecting hot electrons. Abstract monogarmonichesky and biharmonic modes at frequencies above 60 GHz. It reached a value of 1.2% efficiency for generators operating in Biharmonic mode, the operating frequency of 94 GHz.Разработана конструкция и перспективная технология изготовления диодов Ганна на эпитаксиальных структурах GaAs п-п + - типа с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Исследованы моногармонический и бигармонический режимы работы на частотах выше 60 ГГц. Достигнуто значение КПД 1,2% для генераторов, работающих в бигармоническом режиме на рабочей частоте 94 ГГц

    Исследование рабочих характеристик тепловых труб для светодиодных осветительных приборов

    Get PDF
    Наведено результати експериментального дослідження робочих характеристик аміачних алюмінієвих теплових труб (ТТ) з канавчатою капілярною структурою, призначених для використання як теплопередавальні елементи в конструкції потужного світлодіодного освітлювального приладу з вимушеним повітряним охолодженням. В діапазоні значень теплового потоку, що підводиться, від 50 до 100 Вт і швидкості повітряного потоку, що набігає, від 0,8 до 2,1 м/с температура в зоні нагрівання ТТ в залежності від кута її нахилу до горизонту знаходилася в межах від 31,0 до 52,5°С, при цьому перепад температури по ТТ складав від 0,9 до 3,1°С. Значення теплового опору ТТ знаходилося в діапазоні від 0,012 до 0,044°С/Вт.New energy-saving technologies for lighting is a promising trend in lighting technology. To this end, during the recent decade, have been actively developed and implemented lighting units based on LED modules. Reliability of such devices is largely dependent on the ensuring of cooling of the LEDs. Heat pipes are being used with ever increasing frequency for increasing an efficiency of cooling of powerful LEDs within a lightening device. Results of experimental modeling of thermal characteristics of two aluminum heat pipes with grooved capillary structure and ammonia used as a heat transfer agent, designed for application as a heat transfer elements in designs of powerful LED lightening device with forced air cooling are presented in this paper. It is shown that for the heat flux range of 50 to 100 W and for incident flow speed in the range of 0.8 to 2.1 m/s the temperature in the heating zone of the heat pipe falls into the range of 31.0 to 52.5 °C. In this case the temperature difference along the heat pipe is between 0.9…1.7 °C, when a minimal value of the fed heat flux is 50 W, and 1.7…3.1°C, when a maximum value of the heat flux is 100 W. The value of heat transfer resistance of the heat pipes was in the range of 0.012 to 0.044 °C/W. The key factors influencing the thermal characteristics of the heat pipes are: the value of the fed heat flux, the speed of cooling air flux, heat pipe inclination angle with respect to the horizon. By using five such heat pipes within the powerful LED lightning device it is possible to achieve an elimination of the total heat flux from LED modules up to 500 W. At an efficiency factor of LEDs of about 75% this is equivalent to intake power 665 W. Taking into account that luminous efficiency of modern LEDs is about 10 times as high as those of incandescent lamps, proposed lightning device will produce a luminous flux which is equivalent to the luminous flux of a lightening device with incandescent lamps with a power of 6650 W, so that this will allow reducing an input power of the lightening device by 5985 W.Приведены результаты экспериментального исследования рабочих характеристик аммиачных алюминиевых тепловых труб (ТТ) с канавчатой капиллярной структурой, предназначенных для использования в качестве теплопередающих элементов в конструкции мощного светодиодного осветительного прибора с принудительным воздушным охлаждением. В диапазоне значений подводимого теплового потока от 50 до 100 Вт и скорости набегающего воздушного потока от 0,8 до 2,1 м/с температура в зоне нагрева ТТ в зависимости от угла их наклона к горизонту находилась в пределах от 31,0 до 52,5°С, при этом перепад температуры по ТТ составлял от 0,9 до 3,1°С. Значения теплового сопротивления ТТ находились в диапазоне от 0,012 до 0,044°С/Вт

    Search for f1(1285)π+ππ0f_1(1285) \to \pi^+\pi^-\pi^0 decay with VES detector

    Full text link
    The isospin violating decay f1(1285)π+ππ0f_1(1285)\to\pi^+\pi^-\pi^0 has been studied at VES facility. This study is based at the statistics acquired in πBe\pi^- Be interactions at 27, 36.6 and 41 GeV/c in diffractive reaction πN(f1π)N\pi^- N \to (f_1 \pi^-) N. The f1(1285)π+ππ0f_1(1285) \to \pi^+\pi^-\pi^0 decay is observed. The ratio of decay probabilities BR(f1(1285)π+ππ0)BR(f_1(1285) \to \pi^+\pi^-\pi^0) to BR(f1(1285)ηπ+π)BR(ηγγ)BR(f_1(1285) \to \eta \pi^+\pi^-) \cdot BR(\eta \to \gamma\gamma) is 1.4\sim\:1.4%.Comment: 10 pages, 8 figures, presented at XII Conference on Hadron Spectroscop

    Пути снижения температуры кристалла светодиода в составе люстры с алюминиевыми тепловыми трубами

    Get PDF
    Представлено складові загального термічного опору на шляху проходження теплового потоку від кристала потужного світлодіода до навколишнього повітря: кристал - основа світлодіода, основа світлодіода - корпус модуля, корпус модуля - зона нагріву теплової труби, зона нагріву - зона охолодження теплової труби, зона охолодження теплової труби - ребро охолодження, ребро охолодження - навколишнє повітря. Показано, що зниження будь-якого з цих термічних опорів призводить до зниження температури кристала і збільшення терміну служби світлодіодної люстри.The analysis of components of the total thermal resistance on the way of thermal flux transfer from a power-ful light-emitting diode crystal to an ambient air is given. Constructive and technological ways of decrease of thermal resistance are shown for the following of its components: crystal — light-emitting diode base, light-emitting diode base — module case, module case — heating zone of the thermal pipe, heating zone — cool-ing zone of the thermal pipe, cooling zone of the thermal pipe — cooling fin, cooling fin — ambient air. De-crease in any of these thermal resistances leads to the decrease of the crystal temperature, increase of a light flux and operating life of the LED chandelier.Представлены составляющие общего термического сопротивления на пути прохождения теплового потока от кристалла мощного светодиода до окружающего воздуха: кристалл — основание светодиода, основание светодиода — корпус модуля, корпус модуля — зона нагрева тепловой трубы, зона нагрева — зона охлаждения тепловой трубы, зона охлаждения тепловой трубы — ребро охлаждения, ребро охлаждения — окружающий воздух. Показано, что снижение любого из этих термических сопротивлений приводит к снижению температуры кристалла и увеличению срока службы светодиодной люстры

    Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

    Get PDF
    На основі спеціально розробленого слаботочного діода Ганна, що працює в діапазоні довжин хвиль 42-53 ГГц і 56-65 ГГц, вдосконалені апарати КВЧ терапії.On the basis of a specially designed security systems Gunn diode operating in the wavelength range of 42-53 GHz and 56-65 GHz, improved EHF therapy.На основе специально разработанного слаботочного диода Ганна, работающего в диапазоне длин волн 42-53 ГГц и 56-65 ГГц, усовершенствованы аппараты КВЧ терапии
    corecore