Synthesis and Structure of a Dimercapto - Iron(III) Porphyrin Derivative: | Fe(SC6HF4)2TPP | | Na c 18C6|, C6H6

A low-spin di-mercapto-iron(IIl)-meso-tetraphenylporphyrin complex, I Fe(SC5HF4)2TPP 11Nac18C6 I, C5H5 has been synthesized. This compound presents in the solid state a d type hyperspectrum with a split Soret ba-nd at 383 and 461 nm. The crystals belong to the triclinic system space group Pl with a= 12.628(4), b = 21.594(8), c = 12.881(4) A, a = 104.02(2), fJ = 98.26(2), y = 76.40(2) 0, V = 3298 A3, Z = 2. Pertinent structural parameters include relatively long equatorial Fe-Np bond distances of 1.998(3) A and relatively short axial Fe- S bond distances of 2.312(1) A. The structures of the two centrosymmetric crystallographically independent I Fe(SC5HF4)2TPP 1- anions are essentially identical

Synthesis and Structure of a Dimercapto - Iron(III) Porphyrin Derivative: | Fe(SC6HF4)2TPP | | Na c 18C6|, C6H6

A low-spin di-mercapto-iron(IIl)-meso-tetraphenylporphyrin complex, I Fe(SC5HF4)2TPP 11Nac18C6 I, C5H5 has been synthesized. This compound presents in the solid state a d type hyperspectrum with a split Soret ba-nd at 383 and 461 nm. The crystals belong to the triclinic system space group Pl with a= 12.628(4), b = 21.594(8), c = 12.881(4) A, a = 104.02(2), fJ = 98.26(2), y = 76.40(2) 0, V = 3298 A3, Z = 2. Pertinent structural parameters include relatively long equatorial Fe-Np bond distances of 1.998(3) A and relatively short axial Fe- S bond distances of 2.312(1) A. The structures of the two centrosymmetric crystallographically independent I Fe(SC5HF4)2TPP 1- anions are essentially identical

Nouveaux schémas d'intégration pour les interconnexions cuivre inférieures à 90 nm (apport des dépôts chimiques)

Des problèmes liés à l'intégration du cuivre sont attendus pour les interconnexions inférieures à 90 nm comme la conformité et la continuité de la couche d'accroche de cuivre ou encore la formation de cavités par électromigration à l'interface cuivre/barrière d'encapsulation. Cette thèse porte sur le développement de procédés de dépôts chimiques afin de résoudre ces problématiques. La faisabilité du dépôt industriel de couche d'accroche par CVD à partir de (hfac)Cu(MHY) a été démontrée. L'optimisation des conditions a permis d'obtenir un film continu et conforme de 50 ru-n d'épaisseur dans des interconnexions étroites. Un procédé de dépôt sélectif par voie chimique autocatalytique de NiMo-P comme couche d'encapsulation a été développé et transféré sur un équipement industriel. L'influence des paramètres réactionnels et la qualité de barrière à la diffusion du cuivre ont été établies. Un dépôt sélectif de NiMo-P a été obtenu avec un bain sans alcalin sur des motifs d'espacement 0,12 micron.By scaling down microchips, critical issues with copper integration are expected for the future interconnect generation (65 nm). First, the conforrnal deposition of a thin copper film (seedlayer), necessary to initiate the copper plating, could not be obtained using the current PVD techniques. Second, holes are generated at the copper/capping interface due to electromigration. This thesis is focused on new processes based on chemical deposition techniques as J solutions to the presented limitations. The feasibility of copper seedlayer CVD with an industriai tool using (hfac)Cu(MHY) was demonstrated. By developing a specific recipe, a 50 nm conformai seedlayer was deposited in narrow features. The selective electroless deposition ofNiMo-P as a capping layer to limit electromigration was investigated. The influence of experimental parameters and barrier efficiency ofNiMo-P were evaluated. A selective deposit was obtained on 0,12 micron spacing lines with an alkali free deposition bath.PARIS12-CRETEIL BU Multidisc. (940282102) / SudocPARIS12-THIAIS CNRS ICMPE (940732301) / SudocSudocFranceF

SYNTHESES ET CARACTERISATIONS DE PRECURSEURS DE CUIVRE (I) -DICETONATES STABILISES PAR DES ALCYNES DESACTIVES POUR LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE CUIVRE METALLIQUE POUR DES APPLICATIONS EN MICROELECTRONIQUE

AVEC LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES CIRCUITS INTEGRES, LES METALLISATIONS USUELLES A BASE D'ALLIAGES D'ALUMINIUM DEVIENNENT CRITIQUES EN CE QUI CONCERNE LE TEMPS DE PROPAGATION DU SIGNAL DANS LES INTERCONNEXIONS. CECI JUSTIFIE L'UTILISATION D'UN AUTRE TYPE DE CONDUCTEUR QUI REPOND AUX BESOINS DES NOUVELLES TECHNOLOGIES - LE CUIVRE. CE DERNIER POSSEDE DES PROPRIETES INTRINSEQUES TELLE QU'UNE FAIBLE RESISTIVITE (1,67 .CM) AINSI QU'UNE BONNE TENUE AUX PHENOMENES. LE BUT DE CETTE THESE ETAIT LA RECHERCHE DE NOUVEAUX PRECURSEURS PERFORMANTS POUR LE DEPOT DE CUIVRE PAR CVD A PARTIR DE COMPLEXE DE CUIVRE (I) CONTENANT UN LIGAND -DICETONATE ET UN ALCYNE DESACTIVE PAR DIVERS GROUPEMENTS ATTRACTEURS. PARMI LES PRECURSEURS QUE NOUS AVONS SYNTHETISES, (HFAC)CU(MHY) EST LE MEILLEUR CANDIDAT COMME PRECURSEUR. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE L'EFFET DES ATOMES ATTRACTEURS DE FLUOR LIES AU -ACETYLACETONATES SUR LA STABILITE THERMIQUE DU PRECURSEUR, NOUS AVONS SYNTHETISE ET CARACTERISE UNE SERIE DE COMPLEXES DE CUIVRE(I) CONTENANT DES -ACETYLACETONATES SUBSTITUES PAR UN NOMBRE VARIABLE D'ATOMES DE FLUOR. NOUS AVONS EFFECTUE DES DEPOTS CVD DE CUIVRE A PARTIR DE (HFAC)CU(MHY) EN UTILISANT UN SYSTEME D'INJECTION JIPELEC INJECT POUR INTRODUIRE LE PRECURSEUR DANS LE REACTEUR DE CVD : LA VITESSE DE DEPOT PEUT ATTEINDRE JUSQU'A 260 NM/MIN, LA TEMPERATURE DE TRANSITION ENTRE LE REGIME CINETIQUE ET LE REGIME DE TRANSFERT DE MASSE EST VOISINE DE 220\C, LES ENERGIES D'ACTIVATION DETERMINEES DANS LE REGIME CINETIQUE SONT APPROXIMATIVEMENT 30 KJ/MOL. DES FILMS DE CUIVRE TRES PUR PEUVENT ETRE OBTENUS AVEC UNE RESISTIVITE DE 2,3 .CM. ENFIN, NOUS AVONS PU ACTIVER DES SURFACES DE MATERIAUX TECHNOLOGIQUEMENT IMPORTANTS TELS QUE PYREX, TIN, SI 3N 4 OU TEFLON POUR AMELIORER LE DEPOT DE CUIVRE PAR CVD ET L'ADHESION DU FILM DE CUIVRE SUR LE SUBSTRAT. DE PLUS, LA PHOTOLITHOGRAPHIE PEUT ETRE UTILISEE POUR DESACTIVER LES SURFACES ACTIVEES ET ENSUITE REALISER DES DEPOTS SELECTIFS DE CUIVRE PAR CVD.PARIS-BIUSJ-Thèses (751052125) / SudocCentre Technique Livre Ens. Sup. (774682301) / SudocPARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF

Développement de nouvelles stratégies de croissance pour réduire la densité de dislocations dans les monocristaux de diamant CVD.

H2/O2 plasma treatments offer advantages over other etching processes of diamond as a technique to prepare the substrate's surface prior to homoepitaxial CVD diamond growth particularly in the case of thick films. It allows removing surface defects induced by polishing, thus leading to an improved morphology and limiting the stress within the grown crystal. Nevertheless, this treatment induces surface roughness leading to dislocation formation when CVD growth is initiated. In this paper we combined H2/O2 plasma etching with smoother surface treatment such as RIE-ICP etching or Chemo-Mechanical Polishing and we showed a significant reduction in dislocation density of the thick CVD epitaxial layers

Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by using self-assembled metallic masks

cited By 3International audienceThe development of diamond-based electronic devices designed to operate at high power is strongly hampered by the lack of low dislocation single crystal material. Dislocations in Chemically Vapor Deposited (CVD) diamond are indeed generally responsible for leakage current, seriously deteriorating the performance of the devices. They can be due to defects such as polishing damage or contamination found at the substrate's surface, or they can directly originate from existing bulk defects that extend into the homoepitaxial layer. Although significant improvements have been achieved by using adapted surface treatments, dislocations found in CVD diamond grown on standard quality single crystal substrates are still typically in the range 105-106 cm- 2. In this work, we report on a new growth strategy aiming at preventing threading dislocations from propagating into CVD diamond layers. It is based on the selective masking of existing defects revealed at the surface of the substrates by Pt nanoparticles. The interaction of dislocations with such embedded particles has been assessed and critical remarks are given as to the use of this technique in order to reduce dislocation densities in synthetic diamond