Local material removal by focused ion beam milling and etching

Focused ion beam (FIB) have drawn considerable interest as a tool for micromachining in the sub-micrometer regime with major applications in failure analysis and circuit repair. With shrinking dimensions, the demands on the precision of FIB-machining are increasing. In this article, focused ion beam enhanced etching of silicon is investigated using iodine as an etchant which leads to an increase in the material removal rate of silicon by a factor of up to 30 compared to sputter erosion. The influence of current density, dwell time, and loop time on the removal rate is discussed and compared to model calculations. By secondary electron microscopy, the maximum slope of the generated structures has been determined. Finally, the application of this technique to the formation of thin lamellas for TEM inspection is shown

Tetramethoxysilane as a precursor for focused ion beam and electron beam assisted insulator (SiO(x)) deposition

Focused ion beams are intensively used for device modification by local material removal and ion beam induced metal deposition. With shrinking dimensions on modern multilayer devices, the need for ion beam induced insulator deposition is increasing. In this article, tetramethoxysilane as a precursor for ion beam induced deposition has been investigated. The influence of beam parameters dwell time and loop time on the material deposition rate will be discussed and compared to model calculations. For optimized scanning conditions, a maximum deposition rate of 0.33 mu m3/nC was found. Insulating films were also deposited using an electron beam. The chemical composition and electrical properties of these films were compared with the films deposited by the ion beam. For electron beam deposition, the resistivity of the deposited films was 1 X 10(exp 6) ohm cm which is two orders of magnitude higher than for ion beam deposited film

Bactériémies à streptococcus bovis (étude de 85 cas au CHU de Nancy de 1997 à 2004)

La classification actuelle intègre S. bovis au sein du complexe S. bovis/S equinus, commensal digestif de l'homme et l'animal, qui peut devenir pathogène. Il est associé aux pathologies coliques bénignes et malignes, à l'origine des bactériémies par translocation.Objectif de notre travail: analyser les caractéristiques cliniques, microbiologiqûes et évolutives des bactériémies à S. bovis au CHU de Nancy et les comparer à celles publiées dans la littérature. Méthode : analyse rétrospective des bactériémies à S. bovis répertoriées au laboratoire de bactériologie au CHU de Nancy entre 1997 et 2004. Résultats : 85 patients (68.6 ans d'âge moyen et 68.2 % d'hommes) ont présenté au moins une hémoculture à S. bovis. Un cancer colique est présent chez 11.8 % des patients. La bactériémie se complique dans 29.4 % des cas par une endocardite infectieuse avec atteinte majoritaire du cœur gauche. Seulement 28 % des malades avec endocardite ont une cardiopathie sous-jacente connue. S. bovis est sensible à l'amoxicilline (100 %) avec 25.6 %. de résistance de haut niveau à la streptomycine. Le pourcentage de décès hospitaliers immédiats est de 17.6 %. Conclusion : les bactériémies à S. bovis se compliquent dans 1/3 des cas d'endocardite infectieuse. Elles ont pour origine dans près de 12 % des cas un cancer colique qu'elles peuvent révéler. Nos données confortent celles de la littérature et l'importance d'une échographie cardiaque avec exploration digestive systématique devant toute bactériémie à S. bovis.NANCY1-SCD Medecine (545472101) / SudocPARIS-BIUM (751062103) / SudocSudocFranceF