Diode temperature sensors with tunable sensitivity

We investigated the possibility of using of AlGaInP heterostructures with p-n junction as diode temperature sensors having quasi-linear dependence of the forward voltage drop on the ambient temperature at the fixed direct current. Thus we measured the current-voltage characteristics of the p-n structures in the temperature range 293-550 K. Using the data obtained we calculated the differential current thermal sensitivity of the structures mentioned. A semilogarithmic plot of the thermal sensitivity vs. forward current dependence is presented in the figure

Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures

A decrease of the operation current of diode temperature sensors (DTS) allows to considerably reduce the systematic measurement error of the sensors. In this connection we have made an estimation of the minimum operation current magnitude for p+-n GaP DTS. Thus there is an operation current I at which the total systematic error is minimal. This value I = Imin is taken as the desired current value

Minimal operation current estimation for the temperature sensors based on p+-n GaP diode structures

A decrease of the operation current of diode temperature sensors (DTS) allows to considerably reduce the systematic measurement error of the sensors. In this connection we have made an estimation of the minimum operation current magnitude for p+-n GaP DTS. Thus there is an operation current I at which the total systematic error is minimal. This value I = Imin is taken as the desired current value

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed.Варикапи широко використовуються в радіоелектроніці як змінна ємність, величина якої управляється напругою. Основними параметрами варикапа є його добротність, номінальна ємність, зворотний струм і коефіцієнт перекриття по ємності, який визначає частотний діапазон використання варикапа. Розробка варикапів зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі дала можливість значно збільшити коефіцієнт перекриття по ємності. При цьому, однак, виникла проблема, пов'язана з низьким виходом придатних приладів через розкид значень номінальної ємності структур по площі пластини, а також високого рівня їх зворотних струмів. Робота присвячена дослідженню впливу структурних дефектів на параметри кремнієвого варикапа зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі і можливості застосування лазерного гетерування для поліпшення його параметрів і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що головною причиною низького відсотка виходу придатних досліджуваних варикапів є окислювальні дефекти упакування (ОДУ), що утворюються в активних областях структур в процесах проведення високотемпературних операцій. Детально розглянута запропонована технологія виготовлення структур варикапів з лазерним гетеруванням, а також особливості створення області гетера на зворотному боці пластин. Приведено експериментальні результати досліджень впливу лазерного гетерування на електричні параметри варикапів. Показано, що застосування розробленої технології дозволяє запобігти або істотно зменшити щільність ОДУ в активних областях структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів і зменшити розкид значень номінальної ємності варикапів по площі пластини і, як наслідок, підвищити вихід придатних приладів.Работа посвящена исследованию влияния структурных дефектов на параметры кремниевого варикапа с обратным градиентом концентрации примеси в базе и возможности применения лазерного геттерирования для улучшения его параметров и повышения выхода годных приборов. Установлено, что главной причиной низкого процента выхода годных исследуемых варикапов являются окислительные дефекты упаковки (ОДУ), образующиеся в активных областях структур в процессах проведения высокотемпературных операций. Подробно рассмотрена предложенная технология изготовления структур варикапов с лазерным геттерированием, а также особенности создания области геттера на обратной стороне пластин. Приведены экспериментальные результаты исследований влияния лазерного геттерирования на электрические параметры варикапов. Показано, что применение разработанной технологии позволяет предотвратить или существенно уменьшить плотность ОДУ в активных областях структур, дает возможность снизить уровень обратных токов и уменьшить разброс значений номинальной емкости варикапов по площади пластины и, как следствие, повысить выход годных приборов