Catalyst-assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN nanowires: exceptional length and constant rod-like shape capability

International audienceThe hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process exhibits unexpected properties when growing GaN semiconductor nanowires (NWs). With respect to the classical well-known methods such as metal organic vapor phase epitaxy and molecular beam epitaxy, this near-equilibrium process based on hot wall reactor technology enables the synthesis of nanowires with a constant cylinder shape over unusual length. Catalyst-assisted HVPE shows a record short time process (less than 20 min) coupled to very low precursor consumption. NWs are grown at a fast solidification rate (50 mu m h(-1)), facilitated by the high decomposition frequency of the chloride molecules involved in the HVPE process as element III precursors. In this work growth temperature and V/III ratio were investigated to determine the growth mechanism which led to such long NWs. Analysis based on the Ni-Ga phase diagram and the growth kinetics of near-equilibrium HVPE is proposed

Ultralong and Defect-Free GaN Nanowires Grown by the HVPE Process

International audienceGaN nanowires with exceptional lengths are synthesized by vapor-liquid-solid coupled with near-equilibrium hydride vapor phase epitaxy technique on c-plane sapphire substrates. Because of the high decomposition frequency of GaCl precursors and a direct supply of Ga through the catalyst particle, the growth of GaN nanowires with constant diameters takes place at an exceptional growth rate of 130 μm/h. The chemical composition of the catalyst droplet is analyzed by energy dispersive X-ray spectroscopy. High-resolution transmission electron microscopy and selective area diffraction show that the GaN nanowires crystallize in the hexagonal wurzite structure and are defect-free. GaN nanowires exhibit bare top facets without any droplet. Microphotoluminescence displays a narrow and intense emission line (1 meV line width) associated to the neutral-donor bound exciton revealing excellent optical properties of GaN nanowires

Bunga Rampai Sejarah Amerika Serikat: Perjalanan Menuju Kedaulatan Dan Kekuatan Global

Dalam buku ini, kami menyajikan beragam peristiwa penting yang mewarnai sejarah Amerika Serikat, mulai dari masa kolonisasi, perjuangan kemerdekaan, hingga transformasi menjadi negara superpower. Setiap bab disusun dengan cermat untuk memberikan pemahaman yang mendalam tentang dinamika sosial, politik, dan ekonomi yang membentuk identitas bangsa Amerika. Kami berharap buku ini dapat menjadi referensi yang berharga bagi pelajar, akademisi, serta masyarakat umum yang memiliki minat terhadap sejarah Amerika Serikat. Melalui buku ini, kami berusaha untuk tidak hanya menghadirkan fakta-fakta sejarah, tetapi juga menyuguhkan analisis kritis yang dapat memperkaya perspektif pembaca. Penyusunan buku ini tentu tidak lepas dari bantuan berbagai pihak. Oleh karena itu, kami ingin menyampaikan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada semua yang telah memberikan dukungan, baik dalam bentuk informasi, materi, maupun moral. Kritik dan saran yang membangun sangat kami harapkan demi penyempurnaan buku ini di masa mendatang. Akhir kata, semoga buku ini dapat memberikan manfaat dan menjadi inspirasi bagi para pembaca dalam memahami sejarah Amerika Serikat serta peran pentingnya dalam kancah global. Selamat membaca dan semoga bermanfaat