Les système MF-InF3 (M = Rb, Cs, Tl)

International audienceL'étude des systèmes MF-InF3 (M = Rb, Cs, Tl) met en évidence dans tous les cas des composés de formules M3InF6, MInF4 et MIn3F10..

Dynamique et fluorescence de pièges à basse température dans NaGdF

La fluorescence [math] de l’ion Gd3+ dans NaGdF4 a été étudiée à 4,4 K sous excitation sélective pulsée dans le niveau [math]. Le dopage intentionnel du matériau par un ion comme le terbium montre clairement que les impuretés jouent un rôle très important dans l'apparition des raies de pièges à basse température. A 4,4 K la diffusion rapide est limitée par la remontée des pièges peu profonds. Ce processus est discuté en relation avec l'existence des deux sites cristallographiques pour l'ion Gd3+ dans ce matériau

Fluorescence et processus de transfert dans K

Les transferts d'énergie de Gd3+ vers Tb3+ ou Eu3+ sont étudiés dans K2GdF5 en faisant varier la concentration en ions accepteurs entre 0 et 5 %. L'analyse des émissions, des excitations et des cinétiques de la fluorescence permet d'estimer les rendements et les probabilités de transfert et de proposer les mécanismes dominants dans les processus de transfert

Transferts d’énergie Gd

Lorsque les deux ions Gd3+ et Tb3+ ou Gd3+ et Eu3+ coexistent dans LiNaY2F8, des transferts d’énergie Gd3+ → Tb3+ et Gd3+ → Eu3+ sont mis en évidence; ils font intervenir essentiellement les niveaux finaux 5D4 de Tb3+ ou 5D0 de Eu3+. La cinétique de la fluorescence de l’ion Gd3+ est décrite en tenant compte de l’existence de deux sites cristallographiques pour l’ion Gd3+ dans ce matériau

Synthesis and single-crystal structural study of an original low-temperatureform α of BaTbF6

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