Utilização da técnica de difração de raios-X para o estudo de amostras de Ti-6Al-4V forjadas e fabricadas por fusão seletiva a laser

The search for materials with well-defined characteristics is very important for any engineering project. In addition, it is known that the various types of manufacturing processes directly influence in properties of the parts. In this work, the X-ray diffraction technique was used to study the structural characteristics of Ti-6Al-4V samples manufactured by the forging and Selective Laser Melting techniques. We found that the samples made by FSL were able to present a reduction of 1% in the lattice parameter perpendicular to the studied plane, when compared with the forged samples. Since most of the parts manufactured by Selective Laser Melting meet the demands of aeronautical and aerospace projects, where residual stresses are generally undesirable for making the parts more fragile, studies like these acquire great relevance.A busca por materiais com características bem definidas é de fundamental importância para qualquer projeto de engenharia. Além disso, sabe-se que os vários tipos de processos de fabricação influenciam diretamente nas propriedades das peças. Neste trabalho ,foi utilizada a técnica de difração de raios-X para estudar as características estruturais de amostras de Ti-6Al-4V fabricadas pelas técnicas de forjamento e Fusão Seletiva a Laser. Percebeu-se que as amostras fabricadas por Fusão Seletiva a Laser chegaram a apresentar uma redução de 1% no parâmetro de rede perpendicular ao plano estudado, quando comparadas com as amostras forjadas. Como a maioria das peças fabricadas por FSL atende a demandas de projetos nas áreas aeronáutica e aeroespacial, onde tensões residuais geralmente são indesejáveis por tornar as peças mais frágeis, estudos como esse adquirem grande relevância

Estudos de defeitos em camadas de grafeno usando a dinâmica molecular por primeiros princípios

Exportado OPUSMade available in DSpace on 2019-08-14T05:26:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dout.pdf: 656340 bytes, checksum: 5c45294dea5204908b548fd5abf6c85f (MD5) Previous issue date: 7No presente trabalho, investigamos as propriedades eletrônicas e estruturais de alguns defeitos estáveis em grafeno encontrados em cálculos de dinâmica molecular por primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade com a aproximação do pseudopotencial, para o comportamento do efeito de Knock-on sobre os átomos de carbono numa camada de grafeno. Através de nossos cálculos observamos a formação de um defeito estável conhecido como para adátomo-vacância em uma de nossas simulações. A energia de formação deste defeito é de 10,4 e V. O defeito apresentou uma polarização de spin total nula e poucas alterações na densidade de estados próximo ao nível de Fermi. Outro defeito estável encontrado foi a mono-vacância. Este apresentou alterações significativas na densidade de estados próximo ao nível de Fermi, resultando em uma possível criação de estados magnéticos devido ao momento de dipolo magnético total não-nulo. Estudos teóricos recentes têm mostrado que alguns defeitos em camadas de Grafeno podem induzir magnetismo, concordando com o que foi previsto em nosso trabalho. A caracterização de outros defeitos como a formação de adsorção de um átomo de carbono ou de uma cadeia pequena de átomos de carbono em camadas de grafeno, com ou sem vacância, também será mostrada neste trabalho

Modifications in graphene electron states due to a deposited lattice of Au nanoparticles : density functional calculations.

We perform first-principles investigations of two-dimensional, triangular lattices of Au38 nanoparticles deposited on a graphene layer. We find that lattices of thiolate-covered nanoparticles cause electronic structure modifications in graphene such as minigaps, charge transfer, and new Dirac points, but graphene remains metallic. In contrast, for a moderate coverage of nanoparticles __0.2 nm−2_, a lattice of bare _noncovered_ Au nanoparticles may induce periodic deformations on the graphene layer leading to the opening of a band gap of a few tens of meV at the Dirac point, in such a way that a properly charged system might become a semiconductor