(Keynote) FD-SOI : The History from Early Transistors to Today

plenary session (G05-1952)International audienc

SIMULATION OF SOURCE/DRAIN STRUCTURES FOR SUBMICRON MOSFETs WITH AND WITHOUT PREAMORPHIZATION

Un modèle autoconsistant est proposé pour la diffusion des impuretés et des défauts ponctuels décrivant avec succès la diffusion à haute concentration de phosphore et bore y compris le cas de préamorphisation. En particulier, les mécanismes générants des interstitiels et l'absorption d'interstitiels localisée dans la couche des boucles de dislocation - un résultat de la préamorphisation - sont pris en consideration d'une façon consistante.A selfconsistent model for the impurity and point defect diffusion is proposed and applied successfully to high concentration phosphorus and boron diffusion with and without preamorphized substrate. In particular the generation of the interstitials by high phosphorus and boron diffusion, the absorption of the interstitials at the damaged layer consisting of dislocation loops - a remnant of the preamorphization -, and the generation of the interstitials by the decay of the precipitated phase of the impurities above the solubility Limit is taken into account in a consistent way. The present model is an important tool for advanced optimization for submicron MOSFETs dealing with involved interstitial dynamics as in the presence of preamorphization effects

OBSERVATION OF PENDELLÖSUNG EFFECT IN POLARIZED NEUTRON SCATTERING FROM A MAGNETIC CRYSTAL

Nous avons obtenu ce que nous croyons être la première mise en évidence expérimentale de l'effet de Pendellösung en diffraction des neutrons par un cristal magnétique. L'échantillon, un monocristal de YIG, a été sélectionné et taillé de façon que les défauts qu'il présente - des bandes de croissance, pour l'essentiel - n'aient pas d'influence sur la diffraction dans la géométrie que nous avons choisie. Nous avons mesuré le rapport de retournement R ainsi que les pouvoirs réflecteurs ρ+ et ρ- correspondant au deux polarisations du faisceau de neutrons, en fonction de la longueur d'onde. R(λ) et ρ+(λ) présentent bien les oscillations prévues dans le cas d'un cristal parfait, mais avec une amplitude plus faible dont on peut rendre compte, par exemple, en utilisant la théorie statistique de la diffraction développée par Kato.We have obtained what we believe to be the first experimental evidence, in neutron diffraction from a magnetic crystal, of the Pendellösung effect predicted by dynamical theory. We measured the flipping ratio, R, and the reflecting powers for both polarizations, ρ+ and ρ- as a function of wavelength, from a carefully selected YIG single crystal, cut in a such a way that its main defects - growth bands are inoperative in the chosen scattering geometry. Both R(λ) and ρ+(λ) present characteristic oscillating behaviours, related to those calculated for a perfect crystal. It is possible to account for the discrepancy between the experimental and calculated amplitudes of the oscillations using e.g. Kato's statistical theory of diffraction

Investigation of hot carrier reliability of SOI and strained SOI transistors using back bias

International audienceIn this paper, we investigate the potential of strained Silicon-On-Insulator for the future advanced CMOS nodes. Strained FDSOI devices not only exhibit a 30% higher performance in term of ION/IOFF but also show superior HC reliability at same drive current regardless of the back bias