Вплив домішок ванадію та хлору на магнітну сприйнятливість монокристалів Cd0.9Zn0,1Te

The magnetic field experimental dependences of vanadium and chlorine doped Cd1-xZnxTe monocrystals magnetic susceptibility have been research. The magnetic susceptibility non-linearity has been observed. It is shown that this non-linearity due to super paramagnetic nature magnetic clusters forming.Приведено експериментальні залежності магнітної сприйнятливості від напруженості магнітного поля монокристалів Cd1-xZnxTe легованих ванадієм або хлором. Виявлені нелінійності зумовлені утворенням магнітних кластерів, які мають суперпарамагнітну природу. Запропоновано інтерпретацію одержаних результатів у рамках моделі ланжевенівського парамагнетизму атомів. Оцінено розміри та магнітні моменти кластерів, які спричиняють виявлені особливості

Influence of mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with adsorbed atoms

The dispersion law of elastic surface acoustic waves and the energy width of the surface acoustic mode are found to the long-wave approximation depending on the concentration of the adsorbed atoms and the deformation potential of the adatom. The mirror image forces and the nonlocal elastic interaction between the adsorbed atom and the matrix atoms are taken into consideration

Электронные состояния на неровной поверхности GaAs (100), созданной поверхностной акустической волной и адсорбированными атомами

The theory of electron states is developed on the adsorbed surface of semiconductor which is bounded by the rough surface. The surface roughness are formed by both quasi-Rayleigh acoustic wave and adsorbed atoms. A spectrum of surface electron states on the adsorbed surface of GaAs semiconductor in the long-wavelength, resonanсe and short-wave approximations is founded, taking into account the interaction of the first three electron harmonics under the action of an acoustic quasi-Rayleigh wave. It is shown that the dependences of the energy band gap width on the surface of the semiconductor and the length of the spatial localization of electron wave function on the adsorbed atoms concentration in the interval 0 < N0d≤ 10^13 sm⁻² have the nonmonotonic character.Розвинуто теорію електронних станів на поверхні напівпровідника з нерівностями, які створені як адсорбованими атомами, так і акустичною квазірелеєвською хвилею. Отримано спектр поверхневих електронних станів на адсорбованій поверхні напівпровідника GaAs у довгохвильовому, резонансно- му та короткохвильовому наближеннях з урахуванням взаємодії перших трьох електронних гармонік при дії акустичної квазірелеєвської хвилі. Показано, що залежності енергетичної ширини забороненої зони на поверхні напівпровідника і довжини просторової локалізації хвильової функції електрона від концентрації адсорбованих атомів в інтервалі 0 < N0d≤ 10^13 sm⁻² мають немонотонний характер.Развита теория электронных состояний на поверхности полупроводника с неровностями, которые созданы как адсорбированными атомами, так и акустической квазирелеевськой волной. Полученo спектр поверхностных электронных состояний на адсорбированной поверхности полупроводника GaAs в длинноволновом, резонансном и коротковолновом приближениях с учетом взаимодействия первых трѐх электронных гармоник при воздействии акустической квазирелеевськой волны. Показа- но, что зависимости энергетической ширины запрещенной зоны на поверхности полупроводника и длины пространственной локализации волновой функции электрона от концентрации адсорбирован- ных атомов в интервале 0 < N0d≤ 10^13 sm⁻² имеют немонотонный характер

Визначення основних параметрів неосновних носіїв заряду в твердих тілах

Запропоновано спосіб використання магнетоопору, як інструмент для визначення основних параметрів носіїв заряду та відношення провідності неосновних носіїв заряду до основних в твердих тілах на основі аналізу кривої магнетоопору в рамках феноменологічної двохзонної моделі. Встановлено критерії застосовності цієї моделі. В ролі прикладів застосування отриманих рівнянь приведено провідник, напівпровідник та надпровідник. Зі знайдених температурних залежностей згаданих вище величин в надпровіднику зроблено припущення про вирішальну роль неосновних носіїв заряду у виникненні надпровідного стану.The new method of minority charge carriers basic parameters determination and the ratio of minority charge carriers conductivity to majority ones in solid matter based on magnetoresistance curve analyses within the framework of the phenomenological two-band model has been proposed. The criterion of the applying of the method has been found. As the examples of using this method the conductor, semiconductor and superconductor have been given. From the obtained temperature dependences of the aforementioned values in superconductor the conclusion about the deciding role of minority charge carriers in the emergence of superconductivity state has been made

Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах

У роботі запропоновано електростатично-деформаційну модель пасивації атомарним воднем електрично-активних центрів виду дефектів стиску (розтягу) у напівпровідниках Cd1 – xZnxTe. Встановлено, що ефект підсилення пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe має місце у випадку коли концентрація атомарного водню NH не перевищує концентрацію акцепторів NA (NH ≤ NA), а послаблення ефекту пасивації спостерігається коли концентрація атомарного водню NH є набагато більшою за концентрацію акцепторів NA (NH ≥ NA). Отримано вираз для роздільної здатності Ri оптичнореєструючих наноструктур метал-діелектрик-напівпровідник Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) та розраховано значення роздільної здатності для непасивованого напівпровідникового матеріалу Cd0.8Zn0.2Te та для пасивованого в атмосфері водню, яке становить R1 = 6682 та R2 = 17423 відповідно. Запропоновано спосіб розширення спектрального діапазону запису оптичної інформації на основі n-p-i-m наноструктур за допомогою зміни складу (0 ≤ x ≤ 1) твердого розчину Cd1 – xZnxTe.An electrostatic-deformation model of atomic hydrogen passivation of electrically active centers of the type of compression defects in Cd1 – xZnxTe semiconductors is proposed. It is found that the effect of increasing passivation of electrically active centers in Cd1 – xZnxTe occurs when the concentration of atomic hydrogen NH does not exceed the concentration of acceptors NA (NH ≤ NA), and weakening of the passivation effect is observed when the concentration of atomic hydrogen NH is much higher than the concentration of acceptors NA (NH ≥ NA). The expression for the resolution Ri of optical-registering metal-dielectricsemiconductor nanostructures Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) is obtained and the resolution value for nonpassivated as well as for passivated in the hydrogen atmosphere semiconductor material Cd0.8Zn0.2Te is calculated, which is R1 = 6682 and R2 = 17423, respectively. A method for expanding the spectral range of optical information recording based on n-p-i-m nanostructures by changing the composition (0 ≤ x ≤ 1) of the solid solution Cd1 – xZnxTe is proposed