Особливості формування морфології поверхні кремнієвих пластин при дії лазерних імпульсів

The experimental studies of geometry features of silicon layers in areas of second and millisecond laser pulses were carried out. The results of microscopic studies of periodic structures that are formed on the surfaces with crystallographic orientation (111) (110) (100) and on planes, cut at an angle of 6° to the plane (100) and amorphous layers В2О3 deposited on the surface of silicon were presented. The results can be used to determine the crystallographic orientation of the semiconductor surface and express assessment of disorientation degree of crystal surface.В роботі проведено експериментальні дослідження особливостей геометрії поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені результати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (111), (110), (100), а також на площинах, вирізаних під кутом 6о до площини (100) і на аморфних шарах В2О3, нанесених на поверхню кремнію. Одержані результати можуть бути використані для визначення кристалографічної орієнтації поверхні напівпровідників та експресної оцінки ступеня розорієнтації поверхні кристалів

Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions

The scattering field gradient maps of surface layer magnetic domains in Y₂.₉₅La₀.₀₅Fe₅O₁₂ iron-yttrium garnet modified by high-dose ion implantation with nitrogen ions N+ were obtained by the method of magnetic force microscopy. It was found that improving the magnetic properties of thin films, which includes reducing the observed magnetic losses after high-dose implantation, is accompanied by essential ordering of magnetic domains on the surface of the implanted films. There is a direct dependence of the magnetic properties on the dose of implanted atoms, accompanied by a significant dispersion and amorphization of surface layer and formation of a clear magnetic structure