Elastično raspršenje elektrona od površine poroznog sloja silicija p-tipa

PSL samples have been formed on p type Si(100) wafers by an electrochemical procedure. The dependence of the elastic electron reflection coefficient, re(E), on porosity (P) was determined by elastic peak electron spectroscopy (EPES). The spectra were measured in absolute units (%) with a retarding field analyser and spectrometer corrections. They exhibited systematic decrease of intensity with porosity. HF treatment of samples produced a dramatic decrease of re(E) in the low energy (40-100 eV) range, due to removal of the native SiO2 and formation of Si-H bonds on the surface. It can be explained by multiple elastic reflection and attenuation of electrons by H adatoms on the pore walls. The constribution of pores to re(E) was considerable and increasing with porosity. The porous layers and interfaces have been studied by Auger electron spectroscopy (AES) with Ar+ ion bombardment depth profiling of high resolution.Uzorci slojeva p-silicija načinjeni su na Si(100) pločicama elektrokemijskim postupkom. Metodom elektronske spektroskopije za elastično raspršenje, određena je ovisnost elastičnog refleksijskom faktora, re, o poroznosti uzorka. Refleksijski faktor se smanjuje s povećanjem poroznosti. Jetkanje uzoraka s HF snažno je smanjilo r_e za niske energije elektrona (40 - 100 eV) zbog uklanjanja SiO2 i stvaranja Si–H vezanja na površini. Porozni slojevi i granice proučavani su Augerovom elektronskom spektroskopijom, primjenom snopa Ar+ i dubinskog odredivanja profila uz visoko razlučivanje

Auger electronic spectroscopy and electrical characterisation of InP(100) surfaces passivated by N2 plasma

International audienceAuger electron spectroscopy (AES) was used to investigate the processes taking place during the initial stages of InP(100) surfaces nitridation. This AES study combined with electrical measurements (intensity-potential) shows that the processes greatly differ depending on the nitridation angles. Results show that with grazing angle for nitrogen flow, the nitridation process is more efficient. Results obtained with AES spectra are coherent with electrical measurements : Hg/InN/InP(100) Schottky diodes present better electrical characteristics in the case of a grazing flow. That means, the adsorption of nitrogen on the surface is more important for this configuration

First stages of the InP(1 0 0) surfaces nitridation studied by AES, EELS and EPES

The nitrides of group III metals: AlN, GaN and InN are very important materials due to their applications for short wavelength opto-electronics (light-emitting diodes and laser diodes). It is essential for the realization of such novel devices to grow high-quality nitride single crystals. In this paper, we report the first stages of the InP(1 0 0) surfaces nitridation in order to grow high-quality nitride films. Indeed, the nitridation process is an important step in the growth of nitrides [J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) 2194; Phys. Status Solidi A 176 (1999) 595]. Previous works [Synth. Met. 90 (1997) 2233; Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1957] have shown that in situ Ar+ ions bombardment is useful on the one hand to clean the surface, and on the other hand to create droplets of metallic indium in well-controlled quantity. Then the indium metallic enrichment of the surface, monitoring by elastic peak electron spectroscopy (EPES) and Auger electron spectroscopy (AES) allows to prepare the III-V semiconductors surfaces to the nitridation step. The nitridated process has been performed with a high voltage plasma discharge cell and has been studied using quantitative Auger electron spectroscopy, elastic peak electron spectroscopy and electron energy loss spectroscopy (EELS), in order to optimize the conditions of InN layers formation

Elaboration d'hétérostructures d'InN/InP et de semi-conducteurs III-V poreux (caractérisations physico-chimique, optique et électrique)

CLERMONT FD-BCIU Sci.et Tech. (630142101) / SudocSudocFranceF

Etude par spectroscopies électroniques de la nitruration de semi-conducteurs III/V GaAs et InP

Ce mémoire traite de l'étude de la nitruration de semi-conducteurs III/V de type GaAs et InP par spectroscopies électroniques. La nitruration de ces substrats permet en autre de fabriquer des structures GaN/GaAs et InN/InP. Ces semi-conducteurs sont aujourd'hui très prometteurs dans les domaines de la micro-électronique et de l'optoélectronique. La 1ère partie de ce travail est consacrée à la description des diverses modifications techniques effectuées dans le bâti ultra-vide. Nous avons mis en place une source à rayons X afin d'effectuer des mesures en spectroscopie XPS. Des modifications ont été nécessaires sur l'analyseur d'électrons existant ainsi qu'une étape de calibration du système d'analyse. Deux sources de production d'azote atomique : une source plasma à décharge et une source plasma radio-fréquence ont été installées dans la chambre de dépôt. La 2e partie du mémoire traite des résultats de la nitruration des substrats InP (100) et des substrats GaAs(100) à l'aide de 2 sources de production d'azote. Nous avons mis en évidence l'effet de la durée de nitruration, de la température et de la pression d'azote dans la chambre de dépôt sur les propriétés des films InN et GaN obtenus. Dans le cas de la source plasma radio-fréquence, les mesures en spectroscopie XPS, corrélées à la conception de modèles, permettent de déterminer la composition surfacique et l'épaisseur de la couche InN formée sur le substrat InP. Des analyses en microscopie à force atomique mettent en évidence le rôle passivant du processus de nitruration. L'étude de la nitruration des substrats GaAs a permis de démontrer l'intérêt d'introduire une étape intermédiaire dans le processus. En effet, le gallium déposé en quantité contrôlée constitue un précurseur de la nitruration et une barrière de diffusion aux atomes d'arsenic. Des calculs basés sur des modélisations des systèmes GaN/GaAs permettent de valider les résulats expérimentauxCLERMONT FD-BCIU Sci.et Tech. (630142101) / SudocSudocFranceF

Etude par spectroscopies électroniques de la nitruration du phosphure d'indium

CLERMONT FD-BCIU Sci.et Tech. (630142101) / SudocSudocFranceF