Películas dieléctricas antirreflectantes-pasivantes en celdas solares de silicio cristalino para uso espacial

La reflectividad es un parámetro que influye sobre la eficiencia de las celdas solares de Si cristalino. Para reducir la reflectividad, una de las técnicas que se utilizan habitualmente es la deposición de películas dieléctricas de índice y espesor apropiados, siendo el TiO2 un material de características adecuadas. Consecuentemente se propusieron, optimizaron y fabricaron bicapas de TiO2/SiO2 sobre Si cristalino, donde el SiO2 posee características pasivantes. La optimización numérica fue realizada considerando el sistema MgF2-vidrio-TiO2- SiO2- Si, el espectro solar AM0 y una respuesta espectral típica de celdas solares de Si cristalino, teniendo como objetivo la aplicación en ambiente espacial. La fabricación de las bicapas de TiO2/SiO2 se realizó mediante un proceso térmico en ambiente oxidante luego de depositar una película de Ti sobre la oblea de Si por evaporación en cámara de vacío. Se presentan resultados de la caracterización óptica de las bicapas obtenidas.The reflectivity reduces the silicon solar cells efficiency, and dielectric coatings with appropriate refractive index and thickness are usually used to minimize this reflectivity. Hence, TiO2/SiO2 multilayers on crystalline silicon were optimized and elaborated, where SiO2 acts passivating the Si surface. In the numeric optimization was considered the structure MgF2- glass-TiO2- SiO2- Si, the AM0 solar spectrum, and a typical crystalline silicon solar cell spectral response, keeping in mind the space application of these devices. To obtain the TiO2/SiO2 double layer, titanium films were deposited in a vacuum chamber and then the sample was annealed in oxygen at high temperatures. Results of the optical characterization are presented.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Películas dieléctricas antirreflectantes-pasivantes en celdas solares de silicio cristalino para uso espacial

La reflectividad es un parámetro que influye sobre la eficiencia de las celdas solares de Si cristalino. Para reducir la reflectividad, una de las técnicas que se utilizan habitualmente es la deposición de películas dieléctricas de índice y espesor apropiados, siendo el TiO2 un material de características adecuadas. Consecuentemente se propusieron, optimizaron y fabricaron bicapas de TiO2/SiO2 sobre Si cristalino, donde el SiO2 posee características pasivantes. La optimización numérica fue realizada considerando el sistema MgF2-vidrio-TiO2- SiO2- Si, el espectro solar AM0 y una respuesta espectral típica de celdas solares de Si cristalino, teniendo como objetivo la aplicación en ambiente espacial. La fabricación de las bicapas de TiO2/SiO2 se realizó mediante un proceso térmico en ambiente oxidante luego de depositar una película de Ti sobre la oblea de Si por evaporación en cámara de vacío. Se presentan resultados de la caracterización óptica de las bicapas obtenidas.The reflectivity reduces the silicon solar cells efficiency, and dielectric coatings with appropriate refractive index and thickness are usually used to minimize this reflectivity. Hence, TiO2/SiO2 multilayers on crystalline silicon were optimized and elaborated, where SiO2 acts passivating the Si surface. In the numeric optimization was considered the structure MgF2- glass-TiO2- SiO2- Si, the AM0 solar spectrum, and a typical crystalline silicon solar cell spectral response, keeping in mind the space application of these devices. To obtain the TiO2/SiO2 double layer, titanium films were deposited in a vacuum chamber and then the sample was annealed in oxygen at high temperatures. Results of the optical characterization are presented.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Películas dieléctricas antirreflectantes-pasivantes en celdas solares de silicio cristalino para uso espacial

La reflectividad es un parámetro que influye sobre la eficiencia de las celdas solares de Si cristalino. Para reducir la reflectividad, una de las técnicas que se utilizan habitualmente es la deposición de películas dieléctricas de índice y espesor apropiados, siendo el TiO2 un material de características adecuadas. Consecuentemente se propusieron, optimizaron y fabricaron bicapas de TiO2/SiO2 sobre Si cristalino, donde el SiO2 posee características pasivantes. La optimización numérica fue realizada considerando el sistema MgF2-vidrio-TiO2- SiO2- Si, el espectro solar AM0 y una respuesta espectral típica de celdas solares de Si cristalino, teniendo como objetivo la aplicación en ambiente espacial. La fabricación de las bicapas de TiO2/SiO2 se realizó mediante un proceso térmico en ambiente oxidante luego de depositar una película de Ti sobre la oblea de Si por evaporación en cámara de vacío. Se presentan resultados de la caracterización óptica de las bicapas obtenidas.The reflectivity reduces the silicon solar cells efficiency, and dielectric coatings with appropriate refractive index and thickness are usually used to minimize this reflectivity. Hence, TiO2/SiO2 multilayers on crystalline silicon were optimized and elaborated, where SiO2 acts passivating the Si surface. In the numeric optimization was considered the structure MgF2- glass-TiO2- SiO2- Si, the AM0 solar spectrum, and a typical crystalline silicon solar cell spectral response, keeping in mind the space application of these devices. To obtain the TiO2/SiO2 double layer, titanium films were deposited in a vacuum chamber and then the sample was annealed in oxygen at high temperatures. Results of the optical characterization are presented.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

A semi-synthetic molecule derived from dehydroleucodine affects the trypanosoma cruzi cell cycle

Trypanosoma cruzi is a parasite causing Chagas disease, which is endemic in Latin America, but in the last 20 years, it has expanded worldwide. The current treatment is restricted to Nifurtimox and Benznidazole, but both are relatively toxic and have limited efficacy on the patients. The development of new effective therapeutic agents is urgently needed. The sesquiterpene lactones (STLs) are natural compounds purified from native plants of Argentina with multiple pharmacological applications. The STL dehydroleucodine (DhL), has an alpha-methylene group that could react with multiple sulfhydryl group-containing proteins, affecting cellular functions such as proliferation, the activity mitochondrial, leading to the cell death/apoptosis. This study is focused on elucidating the action mechanisms of DhL and its derivative DC-X11, obtained by chemical substitution, on T. cruzi epimastigotes (strain Dm28c). We observed that DhL and DC-X11 have antiproliferative and cytostatic effects on the parasites. By morphological and ultrastructural studies, we observed an increase of parasites with multiple cell nuclei, kinetoplasts, or flagella after the treatment with DC-X11, suggesting an effect on late steps of the cell cycle (i.e., cellular division). These results were confirmed with parasites synchronized with hydroxyurea (HU 20 mM) for 24 h, and then they were treated with the compound. We concluded that the derivative DC-X11 inhibits T. cruzi proliferation by delaying the progression of the cell division. Further studies are necessary to identify the molecular targets affected by DC-X11.Fil: Gomez, Jessica Daniela. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mendoza. Instituto Histología y Embriología D/mend Dr.m.burgos; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo. Facultad de Ciencias Médicas; ArgentinaFil: Guarise, C.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - San Luis. Instituto de Investigaciones en Tecnología Química. Universidad Nacional de San Luis. Facultad de Química, Bioquímica y Farmacia. Instituto de Investigaciones en Tecnología Química; ArgentinaFil: Cifuente, Diego Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - San Luis. Instituto de Investigaciones en Tecnología Química. Universidad Nacional de San Luis. Facultad de Química, Bioquímica y Farmacia. Instituto de Investigaciones en Tecnología Química; ArgentinaFil: Sosa, Claudia Marcela. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mendoza. Instituto Histología y Embriología D/mend Dr.m.burgos; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo. Facultad de Ciencias Médicas; ArgentinaFil: Barrera, Patricia Andrea. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mendoza. Instituto Histología y Embriología D/mend Dr.m.burgos; Argentina. Universidad Nacional de Cuyo. Facultad de Ciencias Médicas; ArgentinaXXXVII Reunión Científica Anual de la Sociedad de Biología de CuyoSan LuisArgentinaSociedad Biología de Cuy

Simulación numérica de celdas solares de GaAs

La provisión de energía eléctrica en los satélites está dada en casi la totalidad de los casos por sistemas fotovoltaicos, siendo las celdas solares el principal componente de dicho sistema, y el GaAs y el InGaP los materiales fotovoltaicos más importantes en aplicaciones espaciales. Dada la importancia que tienen este dipo de dispositivos se realizó la optimización y simulación numérica de una celda de GaAs mediante el código D-AMPS-1D. En este trabajo se detallan algunos de los parámetros necesarios para la simulación numérica, como los offsets de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores y los índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular.The power supply in satellites in most cases is given by photovoltaic systems, being the solar cels the main component of such system and GaAs and InGaP the more important materials in space applications. Given the importance gained by these type of devices the optimization and numerical simulation of GaAs solar cells was performed by using the DAMPS-1D code. In this work, some of the parameters necessary for the simulations as interface bands offsets, carrier mobilities, recombination parameters and lifetime of carriers, and complex refraction indexes (n, k) are detailed. Finally, electrical parameters obtained for a particular case are showed.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contarán con celdas de triple juntura, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge fabricadas por la empresa Emcore. Se realizaron simulaciones numéricas de celdas solares basadas en materiales III-V, estableciéndose para ello una colaboración entre grupos del INTEC y la CNEA. Los cálculos fueron realizados mediante el código D-AMPS-1D el que permite evaluar, entre otras características, las curvas JV bajo iluminación y en oscuridad, la respuesta espectral, la distribución del campo eléctrico en el dispositivo, y la concentración de portadores libres y atrapados. Se presenta el estudio de homojunturas n-p basadas en InGaP, GaAs y Ge, materiales que conforman la mencionada celda de triple juntura, habiéndose llegado a un buen acuerdo entre los parámetros eléctricos simulados en este trabajo y los experimentales presentados en la literatura. Asimismo, se presentan resultados preliminares de la interconexión de las tres homojunturas simuladas para dar lugar a la simulación de una celda triple juntura InGaP/GaAs/Ge. Esta actividad permitirá aportar en el futuro conocimientos para el diseño, predicción del funcionamiento y optimización de este tipo de dispositivos.Photovoltaics devices based on III-V semiconductors were used as power supply of satellites and other spacial vehicles because their high efficiency and resistance to the radiation. In particular, the next Argentine satellites space missions will use solar arrays with triple junction solar cells, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge developed by Emcore Photovoltaics. Numerical simulation of III-V solar cells device was performed, a scientific collaboration between INTEC and CNEA was established. Calculations were performed by using the D-AMPS-1D, this code between other charlacteristics evaluates the JV curve under dark and under illumination, the spectral response, the electric field distribution and the free and trapped carrier concentrations. In this work, the n-p homojunction study based in InGaP, GaAs y Ge was presented. These materials represent the constituents of a triple junction. The results of the numerical simulations show a good agreement with the experimental ones already reported in the literature. Furthermore, preliminary results of a triple junction simulation are presented. This activity facilitates the knowledge for the design, the working prediction and the optimisation of these devices.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contarán con celdas de triple juntura, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge fabricadas por la empresa Emcore. Se realizaron simulaciones numéricas de celdas solares basadas en materiales III-V, estableciéndose para ello una colaboración entre grupos del INTEC y la CNEA. Los cálculos fueron realizados mediante el código D-AMPS-1D el que permite evaluar, entre otras características, las curvas JV bajo iluminación y en oscuridad, la respuesta espectral, la distribución del campo eléctrico en el dispositivo, y la concentración de portadores libres y atrapados. Se presenta el estudio de homojunturas n-p basadas en InGaP, GaAs y Ge, materiales que conforman la mencionada celda de triple juntura, habiéndose llegado a un buen acuerdo entre los parámetros eléctricos simulados en este trabajo y los experimentales presentados en la literatura. Asimismo, se presentan resultados preliminares de la interconexión de las tres homojunturas simuladas para dar lugar a la simulación de una celda triple juntura InGaP/GaAs/Ge. Esta actividad permitirá aportar en el futuro conocimientos para el diseño, predicción del funcionamiento y optimización de este tipo de dispositivos.Photovoltaics devices based on III-V semiconductors were used as power supply of satellites and other spacial vehicles because their high efficiency and resistance to the radiation. In particular, the next Argentine satellites space missions will use solar arrays with triple junction solar cells, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge developed by Emcore Photovoltaics. Numerical simulation of III-V solar cells device was performed, a scientific collaboration between INTEC and CNEA was established. Calculations were performed by using the D-AMPS-1D, this code between other charlacteristics evaluates the JV curve under dark and under illumination, the spectral response, the electric field distribution and the free and trapped carrier concentrations. In this work, the n-p homojunction study based in InGaP, GaAs y Ge was presented. These materials represent the constituents of a triple junction. The results of the numerical simulations show a good agreement with the experimental ones already reported in the literature. Furthermore, preliminary results of a triple junction simulation are presented. This activity facilitates the knowledge for the design, the working prediction and the optimisation of these devices.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Estudio de celdas solares basadas en materiales III-V

Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V se utilizan como fuente de potencia de satélites y otros vehículos espaciales debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contarán con celdas de triple juntura, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge fabricadas por la empresa Emcore. Se realizaron simulaciones numéricas de celdas solares basadas en materiales III-V, estableciéndose para ello una colaboración entre grupos del INTEC y la CNEA. Los cálculos fueron realizados mediante el código D-AMPS-1D el que permite evaluar, entre otras características, las curvas JV bajo iluminación y en oscuridad, la respuesta espectral, la distribución del campo eléctrico en el dispositivo, y la concentración de portadores libres y atrapados. Se presenta el estudio de homojunturas n-p basadas en InGaP, GaAs y Ge, materiales que conforman la mencionada celda de triple juntura, habiéndose llegado a un buen acuerdo entre los parámetros eléctricos simulados en este trabajo y los experimentales presentados en la literatura. Asimismo, se presentan resultados preliminares de la interconexión de las tres homojunturas simuladas para dar lugar a la simulación de una celda triple juntura InGaP/GaAs/Ge. Esta actividad permitirá aportar en el futuro conocimientos para el diseño, predicción del funcionamiento y optimización de este tipo de dispositivos.Photovoltaics devices based on III-V semiconductors were used as power supply of satellites and other spacial vehicles because their high efficiency and resistance to the radiation. In particular, the next Argentine satellites space missions will use solar arrays with triple junction solar cells, ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge developed by Emcore Photovoltaics. Numerical simulation of III-V solar cells device was performed, a scientific collaboration between INTEC and CNEA was established. Calculations were performed by using the D-AMPS-1D, this code between other charlacteristics evaluates the JV curve under dark and under illumination, the spectral response, the electric field distribution and the free and trapped carrier concentrations. In this work, the n-p homojunction study based in InGaP, GaAs y Ge was presented. These materials represent the constituents of a triple junction. The results of the numerical simulations show a good agreement with the experimental ones already reported in the literature. Furthermore, preliminary results of a triple junction simulation are presented. This activity facilitates the knowledge for the design, the working prediction and the optimisation of these devices.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Simulación numérica de celdas solares de GaAs

La provisión de energía eléctrica en los satélites está dada en casi la totalidad de los casos por sistemas fotovoltaicos, siendo las celdas solares el principal componente de dicho sistema, y el GaAs y el InGaP los materiales fotovoltaicos más importantes en aplicaciones espaciales. Dada la importancia que tienen este dipo de dispositivos se realizó la optimización y simulación numérica de una celda de GaAs mediante el código D-AMPS-1D. En este trabajo se detallan algunos de los parámetros necesarios para la simulación numérica, como los offsets de las bandas de valencia y de conducción en las interfaces, la movilidad de los portadores, la recombinación y el tiempo de vida media de los portadores y los índices de refracción complejos (n, k). Por último se muestran los parámetros eléctricos resultantes de la simulación realizada sobre un caso particular.The power supply in satellites in most cases is given by photovoltaic systems, being the solar cels the main component of such system and GaAs and InGaP the more important materials in space applications. Given the importance gained by these type of devices the optimization and numerical simulation of GaAs solar cells was performed by using the DAMPS-1D code. In this work, some of the parameters necessary for the simulations as interface bands offsets, carrier mobilities, recombination parameters and lifetime of carriers, and complex refraction indexes (n, k) are detailed. Finally, electrical parameters obtained for a particular case are showed.Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES

Discusión y conclusiones generales

Este apartado presenta las externalidades que ha traído la evaluación del desempeño de las actividades científicas para los casos de Colombia y México, y los modelos de Colciencias y el SNI. De igual forma, expone las conclusiones encontradas a partir de la actual investigación que da origen a este documento