Processo De Fabricação De Cristais De Diamante Puro Ou Dopado A Partir De Vapor De água E Vapores Orgánicos

PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CRISTAIS DE DIAMANTE PURO OU DOPADO A PARTIR DE VAPOR DE ÁGUA E VAPORES ORGÂNICOS. A presente invenção se refere a um processo de fabricação de diamantes puros ou dopados de alta qualidade através da introdução de água no processo de deposição química a partir da dissociação de fontes de carbono na fase vapor Mais especificamente, as fontes de átomos de carbono utilizadas foram álcoois de cadeia pequena, preferencialmente o etanol. Demonstrou-se a possibilidade de fabricação de diamante dopado com a dissolução de composto especifico do elemento químico dopante que se quer depositar em reservatórios de água, ou água e etanol; com o posterior transporte do soluto por vapor de água até a câmara de reação de deposição de diamante onde ocorre a incorporação do elemento químico na estrutura cristalina do diamante em substituição de átomos de carbono ou em interstícios da estrutura.BRPI0602101 (A)C30B29/04BR2006PI02101C30B29/0

Obtenção de tetracloreto de silicio com grau eletronico a partir de materias primas nacionais

Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: Os circuitos integrados são geralmente construidos em camadas de silício crescidas pela redução do tetracloreto de silício (SiCl4) com hidrogênio sobre substratos de silício. (formula). O tetracloreto de silício para esta aplicação deve ter pureza elevada devido a influência desta nas propriedades eletricas do sil ício produzido. Neste trabalho descrevemos o método de obtenção deste material a partir da cloração direta de silicio metalurgico (~98% Si) e posterior purificação. (formula) Tanto o cloro quanto o silício de grau metalurgico empregados são materias primas nacionais de custo relativamente baixo. O refino do tetracloreto de silício foi feito por adsorção e destilações sucessivas. A identificação do composto foi realizada por espectroscopia de massa e de infravermelho.As camadas de silício produzidas a partir deste tetracloreto apresentaram condutividade tipo P e a medida de resistividade por quatro pontas indicou uma concentração líquida de impurezas eletricamente ativas da ordem de 10 ppb. Mediante a construção de diodos com estas lâminas e medida da característica capacitância versus tensão reversa (C-V),o resultado da,concentração de impurezas foi confirmado. Para fins de comparação os mesmos processos e caracterizações foram realizados com tetracloreto de silicio importado não se notando diferenças significativas. O tetracloreto de silício produzido, com dopagem da ordem de 1014 atomos de purezas/cm3 pode ser convenientemente empregado par a construção de vários tipos de circuitos integrados e outros dispositivos particulares como fibras opticas, celulas solares, etc.Abstract: Not informed.MestradoMestre em Engenharia Elétric

Contribuição ao ensino da tecnologia de circuitos integrados : cristais de silicio

Tese (livre-docencia) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Não informadoAbstract: Not informedTese (livre-docencia) - UniverLivre-Docente em Engenharia Eletric

Processo Para Fabricação De Escovas E Comutadores Elétricos Revestidos Com Diamante Dopado Para Motores E Geradores Elétricos, E Escovas E Comutadores Elétricos Revestidos Com Diamante Dopado Para Motores E Geradores Elétricos

PROCESSO PARA FABRICAÇÃO DE ESCOVAS E COMUTADORES ELÉTRICOS REVESTIDOS COM DIAMANTE DOPADO PARA MOTORES E GERADORES ELÉTRICOS, E ESCOVAS E COMUTADORES ELÉTRICOS REVESTIDOS COM DIAMANTE DOPADO PARA MOTORES E GERADORES ELÉTRICOS, compreende um ao processo para fabricação de escovas e comutadores elétricos revestidos com diamante dopado para motores e geradores elétricos, que por consequência, possibilita a obtenção de escovas e comutadores elétricos revestidos com diamante dopado; de maneira alternativa, a presente invenção prevê ao invés do depósito de diamante, a deposição de carbonodiamantífero; os dois objetos da presente invenção possibilitam a confecção de motores elétricos (ou geradores) que não geram pó, o que é importante para a movimentação de robôs industriais em ambientes limpos, para produção de fármacos e para microeletrônica; a confecção de motores elétricos de alta durabilidade, baixo coeficiente de atrito, alta velocidade e alta eficiência; e a confecção de motores elétricos que possam trabalhar em ambientes quimicamente agressivos.BRPI0601419 (A)H01R43/12H01R39/20BR2006PI01419H01R43/12H01R39/2

Processo De Dopagem De Escovas De Carvão Utilizadas Em Motores Elétricos, Escovas De Carvão Dopadas E Motores Elétricos Com Escovas De Carvão Dopadas

PROCESSO DE DOPAGEM DE ESCOVAS DE CARVÃO UTILIZADAS EM MOTORES ELÉTRICOS, ESCOVAS DE CARVÃO DOPADAS E MOTORES ELÉTRICOS COM ESCOVAS DE CARVÃO DOPADAS prevêem motores elétricos com escovas de carvão hidrogenado e dopado com enxofre, com superfícies deslizantes e anti-aderentes, os quais funcionam eficientemente se imersos em ambientes quimicamente agressivos ou não; as escovas de carvão dopadas são produzidas a partir do processo de dopagem de escovas de carvão que, basicamente, se trata de um processo de hidrogenação e sulfurização de escovas ou peças de carvão; as escovas de carvão dopadas propriamente ditas possuem baixo coeficiente de atrito em suas superfícies, elevada vida útil e são antiaderentes.BRPI0600969 (A)H01R43/12H01R39/20H02K13/00BR2006PI00969H01R43/12H01R39/20H02K13/0

Nanotubos E Nanofibras De Carbono, Processo De FabricaÇço E Uso Dos Mesmos

NANOTUBOS E NANOFIBRAS DE CARBONO, PROCESSO DE FABRICAÇÃO E USO DOS MESMOS. A presente invenção trata-se de um processo de fabricação de nanotubos de paredes simples e/ou múltiplas e nanofibras por deposição química de vapores. Aplicações destes materiais podem ser benéficas no campo da medicina, biologia ou engenharias. O processo de fabricação de nanotubos pré-funcionalizados de paredes simples e múltiplas e nanofibras apresenta vantajosamente temperaturas amenas de obtenção, unia composição gasosa única que combina os benefícios da cânfora e da acetona, na utilização de diferentes precursores de carbono tais corno o óleo de mamona, no emprego do cobre como catalisador metálico e na viabilidade da produção de nanotubos sem utilizar os catalisadores convencionais utilizando a técnica CVD.BRPI1005774 (A2)B82B3/00C01B31/02BR2010PI05774B82B3/00C01B31/0

Filmes DiamantÍferos MagnÉticos E Processo De Crescimento Dos Mesmos Por DeposiÇço QuÍmica De Vapores

FILMES DIAMANTÍFEROS MAGNÉTICOS E PROCESSO DE CRESCIMENTO OS MESMOS POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA DE VAPORES. A presente invenção trata-se de filmes diamantíferos com características semicondutoras e magnéticas proveniente da deposição química a partir da fase de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition), onde filmes diamantíferos podem ser depositados de maneira uniforme, homogênea e aderente sobre substratos planos ou curvilíneos previamente tratados, mas não necessariamente. Semicondutores magnéticos podem proporcionar um novo tipo de controle da condução em dispositivos eletrônicos. Os filmes semicondutores magnéticos, objeto da presente invenção possuem aplicação no setor de componentes eletrônicos, mais especificamente na área de spintrônica. Adicionalmente possuem aplicação biomédica, especificamente em ressonância magnética.BRPI1010503 (A2)C23C16/00H01L21/02BR2010PI10503C23C16/00H01L21/0

Processo De Fabricação De Eletrodos De Diamante Dopado Para Eletroquìmica

PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE ELETRODOS DE DIAMANTE DOPADO PARA ELETROQUÍMICA se refere a um processo de fabricação de eletrodos de diamante dopado, onde os eletrodos são produzidos pela decomposição do vapor de etanol em alta temperatura sobre pinos metálicos: o processo apresentado é constituído basicamente por duas etapas, sendo que a primeira diz respeito à deposição do diamante dopado sobre os pinos metálicos e a segunda se trata da construção propriamente dita do eletrodo: os eletrodos obtidos são usados em aplicações de eletroquímica, eletrosÍntese ou eletro-oxidação: os eletrodos obtidos a partir do processo tratado na presente invenção são muito mais inertes do que qualquer eletrodo similar pertencente ao estado da técnica.BRPI0600897 (A)C23C16/27C23C16/54BR2006PI00897C23C16/27C23C16/5