Depth Profile Analysis of Deep Level Defects in 4H- SiC Introduced by Radiation

Deep level defects created by implantation of light-helium and medium heavy carbon ions in the single ion regime and neutron irradiation in n- type 4H-SiC are characterized by the DLTS technique. Two deep levels with energies 0.4 eV (EH1) and 0.7 eV (EH3) below the conduction band minimum are created in either ion implanted and neutron irradiated material beside carbon vacancies (Z1/2). In our study, we analyze components of EH1 and EH3 deep levels based on their concentration depth profiles, in addition to (−3/=) and (=/−) transition levels of silicon vacancy. A higher EH3 deep level concentration compared to the EH1 deep level concentration and a slight shift of the EH3 concentration depth profile to larger depths indicate that an additional deep level contributes to the DLTS signal of the EH3 deep level, most probably the defect complex involving interstitials. We report on the introduction of metastable M-center by light/medium heavy ion implantation and neutron irradiation, previously reported in cases of proton and electron irradiation. Contribution of M-center to the EH1 concentration profile is presented

Evaluation of diagnostic radiology detector performance in reference mammography radiation fields

Recommendations on diagnostic radiology calibrations are defined by the IEC and IAEA documents for molybdenum anode target material and molybdenum primary beam filtration (abbreviated as the RQR-M series). Calibration of diagnostic radiology dosimeters (ionization chambers and X-ray multimeters) can also be performed for other anode/filter combinations, including the tungsten anode / aluminium filtration setup. Performance of dosimeters can significantly vary in radiation fields defined by different anode materials and primary beam filtrations, where different spectra and first half-value layers are obtained for the same nominal X-ray tube voltages. Therefore it is important to calibrate or test dosimeters for the range of radiation qualities or conditions in which they will be used. Performance of two such detectors was evaluated.XXXII симпозијум ДЗЗСЦГ (Друштва за заштиту од зрачења Србије и Црне Горе), 4-6. октобар 2023. годин

4H-SiC Schottky barrier diodes for efficient thermal neutron detection

In this work, we present the improved efficiency of 4H-SiC Schottky barrier diodes-based detectors equipped with the thermal neutron converters. This is achieved by optimizing the thermal neutron converter thicknesses. Simulations of the optimal thickness of thermal neutron converters have been performed using two Monte Carlo codes (Monte Carlo N–Particle Transport Code and Stopping and Range of Ions in Matter). We have used 6LiF and 10B4C for the thermal neutron converter material. We have achieved the thermal neutron efficiency of 4.67% and 2.24 % with 6LiF and 10B4C thermal neutron converters, respectively

Capacitance transient spectroscopy study of defects introduced by ion implantation

U ovom radu proučena je otpornost silicij karbida na uvođenje defekata ozračivanjem ionima. Za karakterizaciju su korištene Schottky diode napravljene na n-tipu 4H politipa silicij karbida (4H-SiC). Diode su karakterizirane strujno-naponskim i kapacitivno-naponskim mjerenjima, a duboki nivoi karakterizirani su tranzijentnom spektroskopijom dubokih nivoa (DLTS). Proučen je utjecaj ozračivanja dioda ionima helija, ugljika i kisika različitih doza i energija. Kod svih proučenih doza i vrsta iona nisu zapažene promjene strujno-naponske karakteristike, dok kapacitivno-naponske karakteristike pokazuju kompenzaciju slobodnih nosioca naboja uzrokovanu uvođenjem dubokih nivoa. Kod svih dioda uočen je duboki nivo Z1/2 koji odgovara defektu vakancije ugljika što znači da je prisutan i prije ozračivanja. Ozračivanjem je uočena pojava dva dodatna duboka nivoa EH1 i EH3 koji odgovaraju različitim prijelazima stanja defekta vakancije silicija.This work presents the influence of ion radiation on the introduction of defects in silicon carbide. Schottky diodes made on n-type 4H polytype silicon carbide (4H-SiC) were used for the characterization. Diodes were characterized by current-voltage and capacitance voltage measurements. Deep levels were characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of irradiation of diodes with helium, carbon, and oxygen ions of different doses and energies was studied. No changes in current-voltage characteristics were observed at all studied doses and ion types, while capacitance-voltage characteristics showed compensation of free charge carriers caused by the introduction of deep levels. In all diodes, a deep level Z1/2 was observed, which corresponds to the defect of carbon vacancy, which means that it is present even before irradiation. Irradiation introduced two additional deep levels - EH1 and EH3 corresponding to different state transitions of the silicon vacancy defect

Capacitance transient spectroscopy study of defects introduced by ion implantation

U ovom radu proučena je otpornost silicij karbida na uvođenje defekata ozračivanjem ionima. Za karakterizaciju su korištene Schottky diode napravljene na n-tipu 4H politipa silicij karbida (4H-SiC). Diode su karakterizirane strujno-naponskim i kapacitivno-naponskim mjerenjima, a duboki nivoi karakterizirani su tranzijentnom spektroskopijom dubokih nivoa (DLTS). Proučen je utjecaj ozračivanja dioda ionima helija, ugljika i kisika različitih doza i energija. Kod svih proučenih doza i vrsta iona nisu zapažene promjene strujno-naponske karakteristike, dok kapacitivno-naponske karakteristike pokazuju kompenzaciju slobodnih nosioca naboja uzrokovanu uvođenjem dubokih nivoa. Kod svih dioda uočen je duboki nivo Z1/2 koji odgovara defektu vakancije ugljika što znači da je prisutan i prije ozračivanja. Ozračivanjem je uočena pojava dva dodatna duboka nivoa EH1 i EH3 koji odgovaraju različitim prijelazima stanja defekta vakancije silicija.This work presents the influence of ion radiation on the introduction of defects in silicon carbide. Schottky diodes made on n-type 4H polytype silicon carbide (4H-SiC) were used for the characterization. Diodes were characterized by current-voltage and capacitance voltage measurements. Deep levels were characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of irradiation of diodes with helium, carbon, and oxygen ions of different doses and energies was studied. No changes in current-voltage characteristics were observed at all studied doses and ion types, while capacitance-voltage characteristics showed compensation of free charge carriers caused by the introduction of deep levels. In all diodes, a deep level Z1/2 was observed, which corresponds to the defect of carbon vacancy, which means that it is present even before irradiation. Irradiation introduced two additional deep levels - EH1 and EH3 corresponding to different state transitions of the silicon vacancy defect

Capacitance transient spectroscopy study of defects introduced by ion implantation

U ovom radu proučena je otpornost silicij karbida na uvođenje defekata ozračivanjem ionima. Za karakterizaciju su korištene Schottky diode napravljene na n-tipu 4H politipa silicij karbida (4H-SiC). Diode su karakterizirane strujno-naponskim i kapacitivno-naponskim mjerenjima, a duboki nivoi karakterizirani su tranzijentnom spektroskopijom dubokih nivoa (DLTS). Proučen je utjecaj ozračivanja dioda ionima helija, ugljika i kisika različitih doza i energija. Kod svih proučenih doza i vrsta iona nisu zapažene promjene strujno-naponske karakteristike, dok kapacitivno-naponske karakteristike pokazuju kompenzaciju slobodnih nosioca naboja uzrokovanu uvođenjem dubokih nivoa. Kod svih dioda uočen je duboki nivo Z1/2 koji odgovara defektu vakancije ugljika što znači da je prisutan i prije ozračivanja. Ozračivanjem je uočena pojava dva dodatna duboka nivoa EH1 i EH3 koji odgovaraju različitim prijelazima stanja defekta vakancije silicija.This work presents the influence of ion radiation on the introduction of defects in silicon carbide. Schottky diodes made on n-type 4H polytype silicon carbide (4H-SiC) were used for the characterization. Diodes were characterized by current-voltage and capacitance voltage measurements. Deep levels were characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of irradiation of diodes with helium, carbon, and oxygen ions of different doses and energies was studied. No changes in current-voltage characteristics were observed at all studied doses and ion types, while capacitance-voltage characteristics showed compensation of free charge carriers caused by the introduction of deep levels. In all diodes, a deep level Z1/2 was observed, which corresponds to the defect of carbon vacancy, which means that it is present even before irradiation. Irradiation introduced two additional deep levels - EH1 and EH3 corresponding to different state transitions of the silicon vacancy defect

Four Celebrations of Thousand Years Anniversary of the Croatian Kingdom in Zagreb 1925

Proslava tisućugodišnjice hrvatskog kraljevstva i krunjenja kralja Tomislava na Duvanjskom polju, bila je glavna tema koja se provlaĉi kroz kulturni, dobrim dijelom i politiĉki život Zagreba i Hrvatske u 1925. godini. Razne proslave, parade i manifestacije obiljeţavale su žiivot građana te godine. Tisućugodišnjica je postala glavni lajtmotiv, sve što je bilo dobro bilo je dobro baš zbog jubileja, a sve što je bilo loše, trebalo je popraviti i izmijeniti upravo zbog velikog nacionalnog jubileja. Budući da je svijest o proţivljavanju tisućugodišnjice bila utkana u sve društvene pojavnosti, godina tisućugodišnje proslave ima veliku vaţnost za hrvatsku kulturnu, društvenu pa i političku povijest. Ona je inspirirala poznate umjetnike svog doba da stvaraju. Iako je većina njihovih djela danas zaboravljena, neka još stoje kao svjedočanstvo tisućugodišnjice. Poput brojnih ploča na trgovima hrvatskih gradova podignutih u čast obljetnice krunidbe prvog kralja. Kip Grgura Ninskog u Splitu i spomenik kralju Tomislavu u Zagrebu, također govore o važnom nacionalnom trenutku u hrvatskoj povijesti, potrebom da se pokaţe neslomljivost duha i tisućugodišnji kontinuitet Hrvata. Ovaj rad će pokušati opisati i uoĉiti glavne ideološke podtekstove koji obilježavaju svaku proslavu, kao i razlike meĊu njima. Kao najvaţniji izvor za rekonstrukciju spomenutih proslava rad će se najviše osloniti na dnevne novine tog razdoblja jer je riječ o mediju koji najbolje hvata duh trenutka. Upravo nam novine otkrivaju koliko su ove proslave bile bitne za prosječnog stanovnika Zagreba, ali i Hrvatske. Prije svega je riječ o sljedećim novinama: „Jutarnji list“ (Zagreb), „Novosti“ (Zagreb), „Obzor“ (Zagreb), „Hrvat“ (Zagreb), „Katolički list“ (Zagreb), „Riječ“ (Zagreb). Referentno arhivsko gradivo vezano uz temu nalazi se u Hrvatskom državnom arhivu, unutar fondova vezanih za djelatnost Družbe Braće Hrvatskog Zmaja, kao idejnog začetnika proslave. Cilj ovog rada je na temelju postojeće literature, dnevnog tiska i arhivskog gradiva prikazati ulogu politiĉkih ideja i ideologija na ĉetiri zagrebačke proslave. Također će pokušati osvijetliti koliko je pokušaj jugoslavenizacije hrvatske povijesti uspio. Radna teza rada je da su svi pokušaji stavljanja hrvatske povijesti u neki zamišljeni jugoslavenski okvir potpuno propali, prvenstveno jer su snaţni nacionalni narativi kod Hrvata već bili izgrađeni. Hrvatska nacija je već formirana i svaki pokušaj ispravljanja povijesti u smjeru neke, „bolje“, jugoslavenske povijesti je stoga morao propasti. Ujedno, rad će pokušati pokazati kako su jubilarna godina i najmasovnija proslava održana tim povodom u Zagrebu, ona kolovoška, svojevrsni vrhunac Kraljevine SHS. Postignuti sporazum između Hrvata i Srba te pozitivno doživljavanje kralja Aleksandra koji još nije pokazao pravo lice, za trenutak su stvorili dojam uspjeha nove države i njezine ideje „narodnog jedinstva"

Four Celebrations of Thousand Years Anniversary of the Croatian Kingdom in Zagreb 1925

Proslava tisućugodišnjice hrvatskog kraljevstva i krunjenja kralja Tomislava na Duvanjskom polju, bila je glavna tema koja se provlaĉi kroz kulturni, dobrim dijelom i politiĉki život Zagreba i Hrvatske u 1925. godini. Razne proslave, parade i manifestacije obiljeţavale su žiivot građana te godine. Tisućugodišnjica je postala glavni lajtmotiv, sve što je bilo dobro bilo je dobro baš zbog jubileja, a sve što je bilo loše, trebalo je popraviti i izmijeniti upravo zbog velikog nacionalnog jubileja. Budući da je svijest o proţivljavanju tisućugodišnjice bila utkana u sve društvene pojavnosti, godina tisućugodišnje proslave ima veliku vaţnost za hrvatsku kulturnu, društvenu pa i političku povijest. Ona je inspirirala poznate umjetnike svog doba da stvaraju. Iako je većina njihovih djela danas zaboravljena, neka još stoje kao svjedočanstvo tisućugodišnjice. Poput brojnih ploča na trgovima hrvatskih gradova podignutih u čast obljetnice krunidbe prvog kralja. Kip Grgura Ninskog u Splitu i spomenik kralju Tomislavu u Zagrebu, također govore o važnom nacionalnom trenutku u hrvatskoj povijesti, potrebom da se pokaţe neslomljivost duha i tisućugodišnji kontinuitet Hrvata. Ovaj rad će pokušati opisati i uoĉiti glavne ideološke podtekstove koji obilježavaju svaku proslavu, kao i razlike meĊu njima. Kao najvaţniji izvor za rekonstrukciju spomenutih proslava rad će se najviše osloniti na dnevne novine tog razdoblja jer je riječ o mediju koji najbolje hvata duh trenutka. Upravo nam novine otkrivaju koliko su ove proslave bile bitne za prosječnog stanovnika Zagreba, ali i Hrvatske. Prije svega je riječ o sljedećim novinama: „Jutarnji list“ (Zagreb), „Novosti“ (Zagreb), „Obzor“ (Zagreb), „Hrvat“ (Zagreb), „Katolički list“ (Zagreb), „Riječ“ (Zagreb). Referentno arhivsko gradivo vezano uz temu nalazi se u Hrvatskom državnom arhivu, unutar fondova vezanih za djelatnost Družbe Braće Hrvatskog Zmaja, kao idejnog začetnika proslave. Cilj ovog rada je na temelju postojeće literature, dnevnog tiska i arhivskog gradiva prikazati ulogu politiĉkih ideja i ideologija na ĉetiri zagrebačke proslave. Također će pokušati osvijetliti koliko je pokušaj jugoslavenizacije hrvatske povijesti uspio. Radna teza rada je da su svi pokušaji stavljanja hrvatske povijesti u neki zamišljeni jugoslavenski okvir potpuno propali, prvenstveno jer su snaţni nacionalni narativi kod Hrvata već bili izgrađeni. Hrvatska nacija je već formirana i svaki pokušaj ispravljanja povijesti u smjeru neke, „bolje“, jugoslavenske povijesti je stoga morao propasti. Ujedno, rad će pokušati pokazati kako su jubilarna godina i najmasovnija proslava održana tim povodom u Zagrebu, ona kolovoška, svojevrsni vrhunac Kraljevine SHS. Postignuti sporazum između Hrvata i Srba te pozitivno doživljavanje kralja Aleksandra koji još nije pokazao pravo lice, za trenutak su stvorili dojam uspjeha nove države i njezine ideje „narodnog jedinstva"

A walking roller chain

In this article, we study the motion of a vertically fixed rapidly spinning roller chain that, after being released, “walks” a certain distance along the floor. We construct a two-dimensional model of the roller chain. By numerically integrating its equations of motion, we make predictions on the distances travelled by the roller chain, the code of the simulation being available online in the supplements. Finally, we compare the predictions with experiments, discuss the results, and suggest topics for further research