Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition

This article present‘s researching results of ion implantation Ta in Cu monocrystal with different plane. Also the article demonstrates the processes of ion mixing and deposition of ions Ta+ and Cu+ on polycrystalline Al substrate. Effect of crystalline plane line was found. At the same implantation dose the dose at surface layer is different. Possibilities of the simultaneous ion implantation Ta and Cu and deposition on Al substrate are showed. It causes good corrosion resistance, microhardness increasing of the surface layers.Встатье представленырезультаты исследований процессов ионной имплантации Ta в монокриcталле Cu с различной плоскостью. А также процессы ионного перемешивания и осаждения ионов Ta+ и Cu+ на подложку c поликристаллического Al. Обнаружено влияние направления кристаллической плоскости и то, что при одинаковой дозе имплантации в поверхностном слое внедренная доза разная. Показаны возможности одновременной имплантации ионов Ta и Cu и осаждения на подложку из Al, что приводит к хорошей коррозионной стойкости, увеличению микротвердости поверхностных слоев.У статті представлені результати дослідження процесів іонної імплантації Ta у монокристали Cu з різними площинами. А також процеси іонного змішування і осадження іонів Ta+ і Cu+ на підкладинку з полікристалічного Al. Виявлено вплив напряму кристалічної площини і те, що при однаковій дозі імплантації в поверхневому шарі імплантована доза різна. Показані можливості одночасної імплантації іонів Ta та Cu і осадження на підкладинку з Al, що сприяє хорошій корозійній стійкості та підвищенню мікротвердості поверхневих шарів

Implantation of Ta Ions Into a Copper Single Crystal (100) And (111)

Приведены данные исследования высокодозной (до 1017 см-2) имплантации ионов тантала в монокристаллы меди. Облучаемые медные кристаллы имели 2 различные ориентации: (100) и (111). Максимальная концентрация атомов Та 5 ат. % была обнаружена в Си (100). Концентрация Tа в Cu (111) после облучения составляла только 1 ат. %. Имплантация Та сопровождалась поверхностной карбидизацией и оксидированием. Атомы углерода и кислорода осаждались из остаточной атмосферы камеры имплантера. Концентрация атомов углерода и кислорода на поверхности достигла 50 ат. %. Микротвердость облученных образцов примерно на 30 процентов выше, чем необлученных образцов. Также было обнаружено увеличение коррозионной стойкости для имплантированных кристаллов.High-dose implantation (up to 1017 cm-2) of tantalum ions into a copper single crystal has been investigated. Irradiation of the copper crystals was performed in two different planes: (100) and (111). The maximum concentration of the tantalum atoms 5 at. % was observed for sample Cu (100). The Ta concentration in the Cu (111) surface after irradiation was only 1 at.%. Tantalum implantation was accompanied by surface carbonization and oxidation. Carbon and oxygen atoms were presented in the residual atmosphere of vacuum camber. The concentration of carbon and oxygen atoms on the surface reached 50 at. %. The microhardness of irradiated samples was ~ 30% higher than for untreated one. Also corrosion resistance enhancement was observed for implanted crystal. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68