Propuesta arquitectónica para el templo salesiano de la Virgen de Guadalupe en la colonia de San Bernabé Temoxtitla

"Dentro de la colonia de San Bernabé Temoxtitla la población se ha incrementado considerablemente en los últimos diez años, el equipamiento urbano se ha tenido que adaptar a esta situación, actualmente el predio destinado para uso religioso no ha presentado algún cambio o evolución de acuerdo a la demanda actual. Dentro de este espacio se construyó una capilla que ha mantenido uso desde el año de 1998; en un inicio el área construida cubrió con los requisitos de la comunidad que en ese momento existía en la zona, pero actualmente las áreas y mobiliario son insuficientes para el número de asistentes a los eventos religiosos por parte de la comunidad religiosa perteneciente al orden salesiano. Es por esto que el párroco del templo de la santísima trinidad que representa a la actual capilla, buscó apoyo por parte de la comunidad para plantear propuestas arquitectónicas para la construcción de un templo dedicado a la virgen de Guadalupe en la colonia de San Bernabé Temoxtitla dentro de la ciudad de Puebla. Esta tesis se enfocará hacia una propuesta arquitectónica que pueda cubrir con las áreas correspondientes y solicitados por el párroco de la actual capilla"

Electrical characterization of top-gated molybdenum disulfide field-effect-transistors with high-k dielectrics

High quality HfO2 and Al2O3 substrates are fabricated in order to study their impact on top-gate MoS2 transistors. Compared with top-gate MoS2 FETs on a SiO2 substrate, the field effect mobility decreased for devices on HfO2 substrates but substantially increased for devices on Al2O3 substrates, possibly due to substrate surface roughness. A forming gas anneal is found to enhance device performance due to a reduction in charge trap density of the high-k substrates. The major improvements in device performance are ascribed to the forming gas anneal. Top-gate devices built upon Al2O3 substrates exhibit a near-ideal subthreshold swing (SS) of ~ 69 mV/dec and a ~ 10 × increase in field effect mobility, indicating a positive influence on top-gate device performance even without any backside bias