Recubrimientos Biocompatibles de Fosfatos de Calcio Depositados sobre Ti6Al4V Mediante Rocío Pirolítico

Se reportan los resultados preliminares de los procesos experimentales para la obtención de recubrimientos biocompatibles de fosfatos de calcio, depositados sobre aleaciones de titanio mediante el proceso de rocío pirolítico. Después de realizar una revisión bibliográfica especifica, se determinó que los precursores mas recomendados para preparar el fosfato de calcio con la composición equivalente a la hidroxiapatita (Ca5(PO4)3(OH)), fueron acetilacetona C10H14CaO4 como fuente de calcio y acido fosfórico H3PO4 como fuente de fosforo. Se utilizaron concentraciones de 1%, 0.27%, 0.18% y 0.09% de H3PO4 por volumen en agua des ionizada [1]. Los recubrimientos se depositaron sobre sustratos metálicos de Ti6Al4V de 10 mm x 10 mm x 2 mm de espesor. El sistema de depósito de rocío pirolítico, está conformado por un generador ultrasónico operado a 0.8 MHz. La morfología de los recubrimientos, su composición química, estructura cristalina y espesor, se caracterizaron mediante las técnicas de microscopia electrónica de barrido, en el equipo Jeol JSM-6300, EDS (Electrónica Física PHI 5600), XRD (difractometro de rayos-X MMA) y un perfilometro de superficie marca Dektak

Películas precursoras con adiciones de Ag depositadas en substratos policristalinos y la síntesis de la fase TlBa2Ca2Cu3Ox

Reportamos resultados de las pruebas preliminares en la preparación y caracterización de películas de la fase TlBa2Ca2Cu3Ox, crecidas sobre substratos de Ag, con orientación granular preferencial. Estos resultados corresponden a las primeras etapas del proyecto de doctorado "Efecto de las adiciones de F y/o Ag en las propiedades de fase superconductora TlBa2Ca2Cu3Ox crecida sobre substratos policristalinos"

Obtención de recubrimientos de fosfatos de calcio sobre sustratos deTi6Al4V mediante rocío pirolítico

Mediante la técnica de Rocío Pirolítico se obtuvieron recubrimientos basados en calcio sobre sustratos metálicos de la aleación Ti6Al4V. Se obtuvieron recubrimientos con una serie de condiciones pre-establecidas. La morfología y composición química de los recubrimientos, se obtuvieron mediante las técnicas de Microscopia Electrónica de Barrido (MEB) y Espectroscopia de Energía Dispersiva de Rayos-X (EDSX) respectivamente. Algunos de los recubrimientos obtenidos presentaron una morfología uniforme y con la porosidad esperada. Así mismo, algunos de los recubrimientos presentaron una razón Ca/P cercana a la del hueso natural (Ca/P = 1.67)

Structural Properties of HfO2 films deposited by spray pyrolysis technique

Structural, morphology and composition properties of Hafnium Oxide (HfO2) films are reported. The films were prepared by spray pyrolysis deposition process, using chlorides as raw materials in deionised water as solvent. Corning glass was used as substrates at temperatures from 350°C to 600°C. X ray analysis shows an amorphous structure at low temperatures, while substrate temperatures higher than 400°C monoclinic phase of HfO2 appear. This result is confirmed by TEM. Scanning electron microscopy was use to observe the microstructure of the films; rough surface with spherical particles are appreciated. The chemical composition was obtain by Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), a rate Hf / O close to ideal (0.5) was obtained

Sensor de gas basado en películas delgadas de óxido de hafnio preparadas por rocío pirolitico

Sensor de gas basado en películas delgadas de óxido de hafnio preparadas por rocío pirolitic

Síntesis e impurificación en medio alcalino de Y2O3 con propiedades luminiscentes

Se obtuvo el oxido de itrio (Y2O3), utilizando como reactivos de partida YCl3 e NH4OH disueltos en agua destilada, mediante la técnica de precipitación a la temperatura de 600°C. Por difracción de rayos X se determino la estructura del Y2O3 resultando ser de tipo cúbico. Este óxido se impurifico con dos iones de la serie de los lantánidos el Tb y Eu. Se muestran los espectros de emisión fotolumiscentes de estos iones activantes presentes en la red huésped del Y2O

Preparación de polvos de óxido de itrio activado con lantánido

Se prepararon fósforos de oxido de itrio (Y2O3), impurificados con praseodimio utilizando como reactivos Y(NO3)3 y PrCl3 disueltos en metanol, a la temperatura de 700°C. Por difracción de rayos X se determino la estructura del Y2O3 resultando ser de tipo cúbico. Estos fósforos emiten luz naranja-roja que corresponde al rango de 620-670nm de la región visible. Debido a las transiciones del nivel excitado 1D2 al nivel basal 3H4. Estos espectros de emisión fotolumiscentes se muestran a diferentes concentraciones

Au/ C

An Au/Cu2Te/CdTe/CdS/TCO/glass heterostructure based superstrate solar cells with 2.5 mm2 of area, where the CdTe layer was prepared by means of closed spaced sublimation (CSS) and the CdS by chemical bath, reached an efficiency η value of 12.1%. As transparent conductive oxide (TCO), a thin film of cadmium-indium oxide (CdIn2O4:CIO), obtained by sol-gel technique, was used. A systematic optimization of the thermal activation of the CdTe/CdS/CIO central part of the device with a CdCl2 vapor ambient made the conversion efficiency of the Au/Cu2Te/CdTe/CdS/CIO/glass heterostructure reaches 9.94% for the CdTe layer with thickness of 1.8 μm. This efficiency was reached only through an open circuit voltage VOC optimization. A maximum η of 12.1% was reached with the established procedure of optimization and when the CdTe layer thickness was increased to 3.1 ± 0.05 μm. The substitution of CIO by commercial ITO provoked in the cell a decrease of η from 12.1% to 7.2%, both devices prepared under the same conditions. Starting from these results, we can say that CIO was a better TCO than commercial ITO in our solar cell, with the advantage that CIO was obtained by sol-gel, which is a simple and economical technique

Transmission Electron Microscopy study of a GaN thin film grown on Al2O3 by MOCVD

For this work a structural study of the GaN/Al2O3 heteroepitaxy was carried out by Atomic Force Microscopy (AFM), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Transmission Electron Microscopy (TEM). A GaN thin film grown on the c-plane of an Al2O3 substrate by MOCVD was characterized. The sample was observed by AFM and SEM, the analysis showed the GaN formed hexagonal-like features on the surface of the sample. An abrupt interface was observed in the TEM cross section images. Results showed GaN with excellent structural properties was grown