9 research outputs found

    Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)β‚‚ polycrystals near phase transitions

    No full text
    Studies of polycrystalline TlIn(S₁-xSex)β‚‚ samples under hydrostatic pressure were performed. Determined in this work were pressure coefficients near temperatures of Ξ΅(T) anomalies. Based on studying the temperature dependences of dielectric permittivity values for various hydrostatic pressures, (Ρ€, Π’) phase diagram was built. Phase transformations are found in the pressure range of p > 550 MPa

    БпСктроскопичСскиС эллипсомСтричСскиС исслСдования ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ диэлСктричСских Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ слоистого кристалла TlInS2

    No full text
    Real and imaginary parts of the dielectric function of TlInS2 single crystals in the spectral range from 1 to 5 eV were determined within a temperature range of 133–293 K from spectroscopic ellipsometry measurements. The energies of interband transitions (critical points) for TlInS2 were obtained from the second derivatives of the dielectric function. Temperature dependent features observed in the temperature range of the structural phase transition (190–220 K) and at lower temperatures are discussed.Дійсну Ρ‚Π° уявну частини Π΄Ρ–Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡ— Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†Ρ–Ρ— кристалу TlInS2 Π²ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ–Π°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ– Π²Ρ–Π΄ 1 Π΄ΠΎ 5 Π΅Π’ Π² Ρ–Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ– Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ 133-293 К Ρ–Π· спСктроскопічних СліпсомСтричних Π΄ΠΎΡΠ»Ρ–Π΄ΠΆΠ΅Π½ΡŒ. Π•Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–Ρ— ΠΌΡ–ΠΆΠ·ΠΎΠ½Π½ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ–Π² (ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΎΠΊ) ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ для TlInS2 Π· Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ…Ρ–Π΄Π½ΠΈΡ… Π²Ρ–Π΄ Π΄Ρ–Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†Ρ–ΠΉ. ΠžΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΡŽΡŽΡ‚ΡŒΡΡ особливості Π² області структурних Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ–Π² (190-220 К) Ρ‚Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠΆΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ….Из спСктроскопичСских эллипсомСтричСских исслСдований ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈ мнимая части диэлСктричСской Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ кристалла TlInS2 Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 5 эВ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ 133–293 К. Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (критичСских Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ для TlInS2 ΠΈΠ· Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ диэлСктричСских Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ. ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ особСнности Π² области структурных Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΉ (190–220 К) ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ…

    ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π½Π° діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, Π²ΠΈΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΡ… Ρƒ боросилікатному склі

    No full text
    Нанокристали (НК) CdSe1 – xTex ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΡ„ΡƒΠ·Ρ–ΠΉΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅ΠΆΠ΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ росту Π² боросилікатному склі Ρ– дослідТСно ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ спСктроскопії поглинання, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–Ρ— (Π€Π›) Ρ– Ρ€Π°ΠΌΠ°Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ·ΡΡ–ΡŽΠ²Π°Π½Π½Ρ світла. ΠŸΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»Ρ–Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΊΡ–Π»ΡŒΠΊΠ° ΠΏΡ–Π΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ–Π² Π΄ΠΎ визначСння Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ складу НК Π·Π° Π΄Π°Π½ΠΈΠΌΠΈ Ρ€Π°ΠΌΠ°Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΠΎΡ— спСктроскопії. На основі Ρ€Π°ΠΌΠ°Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‰ΠΎ для НК CdSe1 – xTex Π· ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ–ΠΆΠ½ΠΈΠΌ x (0.4 < x < 0.6) вміст Te Π΄Π΅Ρ‰ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Ρ– зростанням Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΈ Ρ– тривалості Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ. ΠšΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎ-Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Π½Ρ– максимуми Ρƒ спСктрах ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ поглинання Π²ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ… Ρƒ скло НК CdSe1 – xTex Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡŒ Π·ΠΌΠΎΠ³Ρƒ Π²ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ΠΈ Ρ—Ρ… сСрСдній Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€, Π° Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΠΈΡ‚ΠΈΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ максимумів ΡΠ²Ρ–Π΄Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΡ–Ρ‚Π½Ρƒ Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅Ρ€ΡΡ–ΡŽ Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ. Π£ спСктрах Π€Π› Π²ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ… Ρƒ скло НК CdSe1 – xTex Π΄ΠΎΠΌΡ–Π½ΡƒΡ” Π΄ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π²ΡƒΠ·ΡŒΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ–ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ— Π€Π› Π· ΠΌΠ°Π»ΠΈΠΌ ΡΡ‚ΠΎΠΊΡΡ–Π²ΡΡŒΠΊΠΈΠΌ зміщСнням. Π° Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆ Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Π° смуга Π€Π› Π· ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚ΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π²ΠΈΡ… станів ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Ρ–Π»ΡŒΠΊΠΈ Ρƒ вигляді ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° Ρ– Π·Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ” Π·Ρ– зростанням вмісту Te.CdSe1 – xTex nanocrystals (NCs) were obtained by diffusion-limited growth in borosilicate glass and studied by optical absorption, photoluminescence (PL), and Raman spectroscopy. Several Raman-based approaches to determine the NC chemical composition were analyzed. Based on the Raman data, it is shown that for CdSe1 – xTex NCs with intermediate x (0.4 < x < 0.6) the Te content slightly decreases with the thermal treatment temperature and duration. Confinement-related maxima in the optical absorption spectra of glass-embedded CdSe1 – xTex NCs enable their average size to be estimated, while their smeared appearance reveals a noticeable size dispersion. A rather narrow near-bandgap PL peak with a small Stokes shift dominates in the PL spectra of glass-embedded CdSe1 – xTex NCs, while a lower-energy surfacemediated PL band appears only as a shoulder and vanishes with increasing Te content

    Annealing-induced formation of Snβ‚‚Pβ‚‚S₆ crystallites in Asβ‚‚S₃-based glass matrix

    No full text
    Sn–As–P–S glasses were obtained using co-melting of pre-synthesized Asβ‚‚S₃ and Snβ‚‚Pβ‚‚S₆. Their structure and composition were confirmed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, and micro-Raman scattering. Crystallization of Snβ‚‚Pβ‚‚S₆ crystallites from the glass matrix is observed at annealing under relatively low temperatures (410…580 K)

    ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ– характСристики ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡ—Π΄Π½ΠΈΡ… ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΎΠΊ AgInS2, синтСзованих Π· Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ… Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½Ρ–Π²

    No full text
    ΠšΠΎΠ»ΠΎΡ—Π΄Π½Ρ– ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ– Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ (КВ) AgInS2 Π· Ρ–Π½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΡΠΌΡƒΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡŽ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–Ρ”ΡŽ (Π€Π›) синтСзовано Ρƒ Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ… Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ… Ρƒ присутності Π³Π»ΡƒΡ‚Π°Ρ‚Ρ–ΠΎΠ½Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΡ–Ρ€Π½ΠΈΡ… ΡƒΠΌΠΎΠ²Π°Ρ…. РозділСння КВ Π½Π° Ρ„Ρ€Π°ΠΊΡ†Ρ–Ρ— Π·Π° Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π±Π°Π³Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Π·ΠΎΠ²ΠΈΠΌ цСнтрифугуванням ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡ—Π΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π· додаванням 2-ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠ°Π½ΠΎΠ»Ρƒ. На основі Π΄Π°Π½ΠΈΡ… ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ поглинання Ρ‚Π° Π€Π› ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π°Π½Π°Π»Ρ–Π· залСТності ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΈ Π·Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΎΡ— Π·ΠΎΠ½ΠΈ Ρ‚Π° максимального полоТСння Π€Π› Π΄ΠΎ Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ КВ. Π Π°ΠΌΠ°Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΡ– спСктри КВ AgInS2 Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΡŽΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ– Π·ΠΌΡ–Π½ΠΈ Π·Ρ– змСншСнням Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ КВ, Ρ‰ΠΎ ΠΏΠΎΡΡΠ½ΡŽΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ просторовим обмСТСнням Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ½Ρ–Π². Π—ΠΌΡ–Π½ΠΈ Ρƒ Ρ€Π°ΠΌΠ°Π½Ρ–Π²ΡΡŒΠΊΠΈΡ… спСктрах ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ– густини потуТності Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π°ΠΉΡ–ΠΌΠΎΠ²Ρ–Ρ€Π½Ρ–ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ²'язані Π· Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ–Π½Π΄ΡƒΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΌ окислСнням ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Ρ– КВ AgInS2 Π· утворСнням Π·Π²'язків S–O.Colloidal AgInS2 quantum dots (QDs) with intense broadband photoluminescence (PL) were synthesized in aqueous solutions in the presence of glutathione at mild conditions. Size-selective fractioning of QDs was performed by repeated centrifugation of the colloidal solution with the addition of 2-propanol. Based on the optical absorption and PL data, the dependences of the band gap and the PL maximum position on the QD size are analyzed. The Raman spectra of AgInS2 QDs exhibit only a slight variation with decreasing QD size explained by phonon confinement. Changes in the Raman spectra with increasing laser power density are most likely related to photoinduced oxidation of the AgInS2 QD surface with the formation of S–O bonds

    Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ- ΠΈ тСрмостимулированной Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ нанокристаллов CdS[1-x]Se[x], диспСргированных Π² боросиликатном стСклС

    No full text
    ДослідТСно Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–ΡŽ (Π€Π›) Ρ– Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠ»ΡŒΠΎΠ²Π°Π½Ρƒ Π»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–ΡŽ (Π’Π‘Π›) нанокристалів CdS[1-x]Se[x] , Π²ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ… Ρƒ боросилікатнС скло. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ залСТності ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полоТСння смуг ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ— Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ²'язаної Π· ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π²ΠΈΠΌΠΈ рівнями Π€Π› Π²Ρ–Π΄ Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ складу Ρ‚Π° Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ нанокристалів. ΠžΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΡŽΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Ρ–Π·Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Ρ–Π½ΠΊΠ° Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆ високоСнСргСтичної смуги Π’Π‘Π› (максимум ΠΏΡ€ΠΈ 360-380 K, Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ–Π΄ складу Ρ– Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ нанокристалів) Ρ– Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡ— смуги (ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ макси- ΠΌΡƒΠΌ Π² Ρ–Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ– 350-450 K).ИсслСдована Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ (Π€Π›) ΠΈ тСрмостимулированная Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ (Π’Π‘Π›) нанокристаллов CdS[1-x]Se[x]x, диспСргированных Π² боросиликатном стСклС. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ зависимости ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полоТСния полос ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π°Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΈ связанной с повСрхностными уровнями Π€Π› ΠΎΡ‚ химичСского состава ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° нанокристаллов. ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоэнСргСтичСской полосы Π’Π‘Π› (максимум ΠΏΡ€ΠΈ 360-380 K Π² звисимости ΠΎΡ‚ состава ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° нанокристаллов) ΠΈ низкоэнСргСтичСской полосы (ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ максимум Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ 350-450 K).Photoluminescence (PL) and thermally stimulated luminescence (TSL) of CdS[1-x]Se[x] nanocrystals embedded in borosilicate glass are studied. The dependence of the spectral positions of the near-edge and surface-mediated PL bands on the nanocrystal composition and size is discussed. A different temperature behaviour for the higher-energy TSL band (maximum at 360-380 K, dependent of the nanocrystal size and composition) and the lower-energy peak (broad maximum in the range 350-450 K) is discussed

    Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Ρ‹ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ- ΠΈ тСрмостимулированной Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ нанокристаллов CdS[1-x]Se[x], диспСргированных Π² боросиликатном стСклС

    No full text
    ДослідТСно Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–ΡŽ (Π€Π›) Ρ– Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΠ»ΡŒΠΎΠ²Π°Π½Ρƒ Π»ΡŽΠΌΡ–Π½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†Ρ–ΡŽ (Π’Π‘Π›) нанокристалів CdS[1-x]Se[x] , Π²ΠΊΡ€Π°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ… Ρƒ боросилікатнС скло. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ залСТності ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полоТСння смуг ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ— Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ²'язаної Π· ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π²ΠΈΠΌΠΈ рівнями Π€Π› Π²Ρ–Π΄ Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ складу Ρ‚Π° Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ нанокристалів. ΠžΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΡŽΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Ρ–Π·Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Ρ–Π½ΠΊΠ° Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆ високоСнСргСтичної смуги Π’Π‘Π› (максимум ΠΏΡ€ΠΈ 360-380 K, Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ–Π΄ складу Ρ– Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€Ρƒ нанокристалів) Ρ– Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅Ρ€Π³Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡ— смуги (ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ макси- ΠΌΡƒΠΌ Π² Ρ–Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ– 350-450 K).ИсслСдована Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ (Π€Π›) ΠΈ тСрмостимулированная Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡ†Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ (Π’Π‘Π›) нанокристаллов CdS[1-x]Se[x]x, диспСргированных Π² боросиликатном стСклС. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ зависимости ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полоТСния полос ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π°Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΈ связанной с повСрхностными уровнями Π€Π› ΠΎΡ‚ химичСского состава ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° нанокристаллов. ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоэнСргСтичСской полосы Π’Π‘Π› (максимум ΠΏΡ€ΠΈ 360-380 K Π² звисимости ΠΎΡ‚ состава ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° нанокристаллов) ΠΈ низкоэнСргСтичСской полосы (ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ максимум Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ 350-450 K).Photoluminescence (PL) and thermally stimulated luminescence (TSL) of CdS[1-x]Se[x] nanocrystals embedded in borosilicate glass are studied. The dependence of the spectral positions of the near-edge and surface-mediated PL bands on the nanocrystal composition and size is discussed. A different temperature behaviour for the higher-energy TSL band (maximum at 360-380 K, dependent of the nanocrystal size and composition) and the lower-energy peak (broad maximum in the range 350-450 K) is discussed
    corecore