9 research outputs found
Dielectric properties of TlIn(Sβ-xSex)β polycrystals near phase transitions
Studies of polycrystalline TlIn(Sβ-xSex)β samples under hydrostatic pressure
were performed. Determined in this work were pressure coefficients near temperatures of
Ξ΅(T) anomalies. Based on studying the temperature dependences of dielectric permittivity
values for various hydrostatic pressures, (Ρ, Π’) phase diagram was built. Phase
transformations are found in the pressure range of p > 550 MPa
Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΡΠ»Π»ΠΈΠΏΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΈ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΉ ΡΠ»ΠΎΠΈΡΡΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»Π° TlInS2
Real and imaginary parts of the dielectric function of TlInS2 single crystals in the spectral range from 1
to 5 eV were determined within a temperature range of 133β293 K from spectroscopic ellipsometry measurements.
The energies of interband transitions (critical points) for TlInS2 were obtained from the second
derivatives of the dielectric function. Temperature dependent features observed in the temperature range
of the structural phase transition (190β220 K) and at lower temperatures are discussed.ΠΡΠΉΡΠ½Ρ ΡΠ° ΡΡΠ²Π½Ρ ΡΠ°ΡΡΠΈΠ½ΠΈ Π΄ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΡΠ½ΠΊΡΡΡ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Ρ TlInS2 Π²ΠΈΠ·Π½Π°ΡΠ΅Π½ΠΎ Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠΌΡ Π΄ΡΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ Π²ΡΠ΄ 1 Π΄ΠΎ 5 Π΅Π Π² ΡΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Ρ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡ 133-293 Π ΡΠ· ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΊΠΎΠΏΡΡΠ½ΠΈΡ
Π΅Π»ΡΠΏΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ½ΠΈΡ
Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½Ρ. ΠΠ½Π΅ΡΠ³ΡΡ ΠΌΡΠΆΠ·ΠΎΠ½Π½ΠΈΡ
ΠΏΠ΅ΡΠ΅Ρ
ΠΎΠ΄ΡΠ² (ΠΊΡΠΈΡΠΈΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠΎΡΠΎΠΊ) ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ Π΄Π»Ρ TlInS2 Π· Π΄ΡΡΠ³ΠΈΡ
ΠΏΠΎΡ
ΡΠ΄Π½ΠΈΡ
Π²ΡΠ΄ Π΄ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ½ΠΈΡ
ΡΡΠ½ΠΊΡΡΠΉ. ΠΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡΡΡΡΡΡΡ ΠΎΡΠΎΠ±Π»ΠΈΠ²ΠΎΡΡΡ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΡ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠ°Π·ΠΎΠ²ΠΈΡ
ΠΏΠ΅ΡΠ΅Ρ
ΠΎΠ΄ΡΠ² (190-220 Π) ΡΠ° ΠΏΡΠΈ Π½ΠΈΠΆΡΠΈΡ
ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ°Ρ
.ΠΠ· ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠ»Π»ΠΈΠΏΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° Π΄Π΅ΠΉΡΡΠ²ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½Π°Ρ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ
ΡΠ°ΡΡΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΈ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»Π° TlInS2 Π² ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ 1 Π΄ΠΎ 5 ΡΠ Π² ΠΈΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Π΅
ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡ 133β293 Π. ΠΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρ Π·ΠΎΠ½Π½ΡΡ
ΠΏΠ΅ΡΠ΅Ρ
ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (ΠΊΡΠΈΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠΎΡΠ΅ΠΊ) ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΎ Π΄Π»Ρ TlInS2 ΠΈΠ·
Π²ΡΠΎΡΡΡ
ΠΏΡΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄Π½ΡΡ
ΠΎΡ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΉ. ΠΠ±ΡΡΠΆΠ΄Π°ΡΡΡΡ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡΠΈ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΠΈ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΡ
ΡΠ°Π·ΠΎΠ²ΡΡ
ΠΏΡΠ΅Π²ΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ (190β220 Π) ΠΈ ΠΏΡΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡΡΠΈΡ
ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ°Ρ
ΠΠΏΡΠΈΡΠ½Π° Π΄ΡΠ°Π³Π½ΠΎΡΡΠΈΠΊΠ° Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ² CdSe1 β xTex, Π²ΠΈΡΠΎΡΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΡΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌΡ ΡΠΊΠ»Ρ
ΠΠ°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΠΈ (ΠΠ) CdSe1 β xTex ΠΎΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΡΡΠ·ΡΠΉΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅ΠΆΠ΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΡΡΡ Π² Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΡΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌΡ
ΡΠΊΠ»Ρ Ρ Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΊΠΎΠΏΡΡ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΈΠ½Π°Π½Π½Ρ, ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡ (Π€Π) Ρ ΡΠ°ΠΌΠ°Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΠ·ΡΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ ΡΠ²ΡΡΠ»Π°. ΠΡΠΎΠ°Π½Π°Π»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΊΡΠ»ΡΠΊΠ° ΠΏΡΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄ΡΠ² Π΄ΠΎ Π²ΠΈΠ·Π½Π°ΡΠ΅Π½Π½Ρ Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ ΠΠ Π·Π° Π΄Π°Π½ΠΈΠΌΠΈ ΡΠ°ΠΌΠ°Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΠΎΡ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΊΠΎΠΏΡΡ. ΠΠ° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ ΡΠ°ΠΌΠ°Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΠΈΡ
Π΄Π°Π½ΠΈΡ
ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΡΠΎ Π΄Π»Ρ ΠΠ CdSe1 β xTex Π· ΠΏΡΠΎΠΌΡΠΆΠ½ΠΈΠΌ x
(0.4 < x < 0.6) Π²ΠΌΡΡΡ Te Π΄Π΅ΡΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΡΡΡΡΡΡ Π·Ρ Π·ΡΠΎΡΡΠ°Π½Π½ΡΠΌ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠΈ Ρ ΡΡΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡΡ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠΎΠ±ΡΠΎΠ±ΠΊΠΈ. ΠΠ²Π°Π½ΡΠΎΠ²ΠΎ-ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΠ½Ρ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌΠΈ Ρ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Ρ
ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΈΠ½Π°Π½Π½Ρ Π²ΠΊΡΠ°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ
Ρ ΡΠΊΠ»ΠΎ ΠΠ CdSe1 β xTex Π΄Π°ΡΡΡ
Π·ΠΌΠΎΠ³Ρ Π²ΠΈΠ·Π½Π°ΡΠΈΡΠΈ ΡΡ
ΡΠ΅ΡΠ΅Π΄Π½ΡΠΉ ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡ, Π° ΡΠΎΠ·ΠΌΠΈΡΠΈΠΉ Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅Ρ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌΡΠ² ΡΠ²ΡΠ΄ΡΠΈΡΡ ΠΏΡΠΎ ΠΏΠΎΠΌΡΡΠ½Ρ Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅ΡΡΡΡ
ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ. Π£ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Ρ
Π€Π Π²ΠΊΡΠ°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ
Ρ ΡΠΊΠ»ΠΎ ΠΠ CdSe1 β xTex Π΄ΠΎΠΌΡΠ½ΡΡ Π΄ΠΎΡΠΈΡΡ Π²ΡΠ·ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡΠΊ ΠΏΡΠΈΠΊΡΠ°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ Π€Π Π·
ΠΌΠ°Π»ΠΈΠΌ ΡΡΠΎΠΊΡΡΠ²ΡΡΠΊΠΈΠΌ Π·ΠΌΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠΌ. Π° Π±ΡΠ»ΡΡ Π½ΠΈΠ·ΡΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½Π° ΡΠΌΡΠ³Π° Π€Π Π· ΡΡΠ°ΡΡΡ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Π΅Π²ΠΈΡ
ΡΡΠ°Π½ΡΠ² ΠΏΡΠΎΡΠ²Π»ΡΡΡΡΡΡ ΡΡΠ»ΡΠΊΠΈ Ρ Π²ΠΈΠ³Π»ΡΠ΄Ρ ΠΏΠ»Π΅ΡΠ° Ρ Π·Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ Π·Ρ Π·ΡΠΎΡΡΠ°Π½Π½ΡΠΌ Π²ΠΌΡΡΡΡ Te.CdSe1 β xTex nanocrystals (NCs) were obtained by diffusion-limited growth in borosilicate glass and
studied by optical absorption, photoluminescence (PL), and Raman spectroscopy. Several Raman-based approaches to determine the NC chemical composition were analyzed. Based on the Raman data, it is shown
that for CdSe1 β xTex NCs with intermediate x (0.4 < x < 0.6) the Te content slightly decreases with the
thermal treatment temperature and duration. Confinement-related maxima in the optical absorption spectra of glass-embedded CdSe1 β xTex NCs enable their average size to be estimated, while their smeared appearance reveals a noticeable size dispersion. A rather narrow near-bandgap PL peak with a small Stokes
shift dominates in the PL spectra of glass-embedded CdSe1 β xTex NCs, while a lower-energy surfacemediated PL band appears only as a shoulder and vanishes with increasing Te content
Annealing-induced formation of SnβPβSβ crystallites in AsβSβ-based glass matrix
SnβAsβPβS glasses were obtained using co-melting of pre-synthesized AsβSβ and SnβPβSβ. Their structure and composition were confirmed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, and micro-Raman scattering. Crystallization of SnβPβSβ crystallites from the glass matrix is observed at annealing under relatively low temperatures (410β¦580 K)
ΠΠΏΡΠΈΡΠ½Ρ Ρ Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡΠ΄Π½ΠΈΡ ΠΊΠ²Π°Π½ΡΠΎΠ²ΠΈΡ ΡΠΎΡΠΎΠΊ AgInS2, ΡΠΈΠ½ΡΠ΅Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π· Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ ΡΠΎΠ·ΡΠΈΠ½ΡΠ²
ΠΠΎΠ»ΠΎΡΠ΄Π½Ρ ΠΊΠ²Π°Π½ΡΠΎΠ²Ρ ΡΠΎΡΠΊΠΈ (ΠΠ’) AgInS2 Π· ΡΠ½ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡ ΡΠΈΡΠΎΠΊΠΎΡΠΌΡΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡΡ (Π€Π)
ΡΠΈΠ½ΡΠ΅Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ Ρ Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ
ΡΠΎΠ·ΡΠΈΠ½Π°Ρ
Ρ ΠΏΡΠΈΡΡΡΠ½ΠΎΡΡΡ Π³Π»ΡΡΠ°ΡΡΠΎΠ½Ρ ΠΏΡΠΈ ΠΏΠΎΠΌΡΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠΌΠΎΠ²Π°Ρ
. Π ΠΎΠ·Π΄ΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ ΠΠ’ Π½Π°
ΡΡΠ°ΠΊΡΡΡ Π·Π° ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΠΎΠΌ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π±Π°Π³Π°ΡΠΎΡΠ°Π·ΠΎΠ²ΠΈΠΌ ΡΠ΅Π½ΡΡΠΈΡΡΠ³ΡΠ²Π°Π½Π½ΡΠΌ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΠ·ΡΠΈΠ½Ρ Π· Π΄ΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π½Π½ΡΠΌ
2-ΠΏΡΠΎΠΏΠ°Π½ΠΎΠ»Ρ. ΠΠ° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ Π΄Π°Π½ΠΈΡ
ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΈΠ½Π°Π½Π½Ρ ΡΠ° Π€Π ΠΏΡΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡΡΡΡ Π°Π½Π°Π»ΡΠ· Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΡ ΡΠΈΡΠΈΠ½ΠΈ
Π·Π°Π±ΠΎΡΠΎΠ½Π΅Π½ΠΎΡ Π·ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ Π€Π Π΄ΠΎ ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ ΠΠ’. Π Π°ΠΌΠ°Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΡ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΈ ΠΠ’ AgInS2
Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡΡΡΡΡΡ Π½Π΅Π·Π½Π°ΡΠ½Ρ Π·ΠΌΡΠ½ΠΈ Π·Ρ Π·ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Π½Π½ΡΠΌ ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ ΠΠ’, ΡΠΎ ΠΏΠΎΡΡΠ½ΡΡΡΡΡΡ ΠΏΡΠΎΡΡΠΎΡΠΎΠ²ΠΈΠΌ ΠΎΠ±ΠΌΠ΅ΠΆΠ΅Π½Π½ΡΠΌ
ΡΠΎΠ½ΠΎΠ½ΡΠ². ΠΠΌΡΠ½ΠΈ Ρ ΡΠ°ΠΌΠ°Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΠΈΡ
ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Ρ
ΠΏΡΠΈ Π·Π±ΡΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½Ρ Π³ΡΡΡΠΈΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡΡΠΆΠ½ΠΎΡΡΡ Π»Π°Π·Π΅ΡΠ° Π½Π°ΠΉΡΠΌΠΎΠ²ΡΡΠ½ΡΡΠ΅
ΠΏΠΎΠ²'ΡΠ·Π°Π½Ρ Π· ΡΠΎΡΠΎΡΠ½Π΄ΡΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΌ ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½ΡΠΌ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Ρ ΠΠ’ AgInS2 Π· ΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½ΡΠΌ Π·Π²'ΡΠ·ΠΊΡΠ² SβO.Colloidal AgInS2 quantum dots (QDs) with intense broadband photoluminescence (PL) were synthesized in aqueous solutions in the presence of glutathione at mild conditions. Size-selective fractioning of
QDs was performed by repeated centrifugation of the colloidal solution with the addition of 2-propanol.
Based on the optical absorption and PL data, the dependences of the band gap and the PL maximum position on the QD size are analyzed. The Raman spectra of AgInS2 QDs exhibit only a slight variation with
decreasing QD size explained by phonon confinement. Changes in the Raman spectra with increasing laser
power density are most likely related to photoinduced oxidation of the AgInS2 QD surface with the formation of SβO bonds
Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡΡΡ ΡΠΎΡΠΎ- ΠΈ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ² CdS[1-x]Se[x], Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅ΡΠ³ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ Π² Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΠΈΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌ ΡΡΠ΅ΠΊΠ»Π΅
ΠΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡ (Π€Π) Ρ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΡΠΎΠ²Π°Π½Ρ Π»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡ (Π’Π‘Π) Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ² CdS[1-x]Se[x] , Π²ΠΊΡΠ°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ
Ρ Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΡΠΊΠ°ΡΠ½Π΅ ΡΠΊΠ»ΠΎ. ΠΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΡ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ ΡΠΌΡΠ³ ΠΏΡΠΈΠΊΡΠ°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ ΡΠ° ΠΏΠΎΠ²'ΡΠ·Π°Π½ΠΎΡ Π· ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Π΅Π²ΠΈΠΌΠΈ ΡΡΠ²Π½ΡΠΌΠΈ Π€Π Π²ΡΠ΄ Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ ΡΠ° ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ². ΠΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡΡΡΡΡΡΡ ΡΡΠ·Π½Π° ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄ΡΠ½ΠΊΠ° Π±ΡΠ»ΡΡ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΠΌΡΠ³ΠΈ Π’Π‘Π (ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ ΠΏΡΠΈ 360-380 K, Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΠ΄ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ Ρ ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ²) Ρ Π½ΠΈΠ·ΡΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΠΌΡΠ³ΠΈ (ΡΠΈΡΠΎΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈ-
ΠΌΡΠΌ Π² ΡΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Ρ 350-450 K).ΠΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΡ (Π€Π) ΠΈ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΡ (Π’Π‘Π) Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ² CdS[1-x]Se[x]x, Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅ΡΠ³ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
Π² Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΠΈΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌ ΡΡΠ΅ΠΊΠ»Π΅. ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡ ΠΏΡΠΈΠΊΡΠ°Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠ½ΡΠΌΠΈ ΡΡΠΎΠ²Π½ΡΠΌΠΈ Π€Π ΠΎΡ Ρ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΡΡΠ°Π²Π° ΠΈ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠ° Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ². ΠΠ±ΡΡΠΆΠ΄Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠ°Π·Π½ΠΎΠ΅ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ Π’Π‘Π (ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ ΠΏΡΠΈ 360-380 K Π² Π·Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΠΎΡΡΠ°Π²Π° ΠΈ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠ° Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ²) ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ (ΡΠΈΡΠΎΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ Π² ΠΈΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Π΅ 350-450 K).Photoluminescence (PL) and thermally stimulated luminescence (TSL) of CdS[1-x]Se[x] nanocrystals embedded in borosilicate glass are studied. The dependence of the spectral positions of the near-edge and surface-mediated PL bands on the nanocrystal composition and size is discussed. A different temperature behaviour
for the higher-energy TSL band (maximum at 360-380 K, dependent of the nanocrystal size and composition) and the lower-energy peak (broad maximum in the range 350-450 K) is discussed
Π‘ΠΏΠ΅ΠΊΡΡΡ ΡΠΎΡΠΎ- ΠΈ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ² CdS[1-x]Se[x], Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅ΡΠ³ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ Π² Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΠΈΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌ ΡΡΠ΅ΠΊΠ»Π΅
ΠΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡ (Π€Π) Ρ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΡΠΎΠ²Π°Π½Ρ Π»ΡΠΌΡΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΡΡ (Π’Π‘Π) Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ² CdS[1-x]Se[x] , Π²ΠΊΡΠ°ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΡ
Ρ Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΡΠΊΠ°ΡΠ½Π΅ ΡΠΊΠ»ΠΎ. ΠΡΡΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΡ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ ΡΠΌΡΠ³ ΠΏΡΠΈΠΊΡΠ°ΠΉΠΎΠ²ΠΎΡ ΡΠ° ΠΏΠΎΠ²'ΡΠ·Π°Π½ΠΎΡ Π· ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Π΅Π²ΠΈΠΌΠΈ ΡΡΠ²Π½ΡΠΌΠΈ Π€Π Π²ΡΠ΄ Ρ
ΡΠΌΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ ΡΠ° ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ². ΠΠ±Π³ΠΎΠ²ΠΎΡΡΡΡΡΡΡ ΡΡΠ·Π½Π° ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄ΡΠ½ΠΊΠ° Π±ΡΠ»ΡΡ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΠΌΡΠ³ΠΈ Π’Π‘Π (ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ ΠΏΡΠΈ 360-380 K, Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΠ΄ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ Ρ ΡΠΎΠ·ΠΌΡΡΡ Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ²) Ρ Π½ΠΈΠ·ΡΠΊΠΎΠ΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΠΌΡΠ³ΠΈ (ΡΠΈΡΠΎΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈ-
ΠΌΡΠΌ Π² ΡΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Ρ 350-450 K).ΠΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΡΠΎΡΠΎΠ»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΡ (Π€Π) ΠΈ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΡ (Π’Π‘Π) Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ² CdS[1-x]Se[x]x, Π΄ΠΈΡΠΏΠ΅ΡΠ³ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
Π² Π±ΠΎΡΠΎΡΠΈΠ»ΠΈΠΊΠ°ΡΠ½ΠΎΠΌ ΡΡΠ΅ΠΊΠ»Π΅. ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡ ΠΏΡΠΈΠΊΡΠ°Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠ½ΡΠΌΠΈ ΡΡΠΎΠ²Π½ΡΠΌΠΈ Π€Π ΠΎΡ Ρ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΡΡΠ°Π²Π° ΠΈ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠ° Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ². ΠΠ±ΡΡΠΆΠ΄Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠ°Π·Π½ΠΎΠ΅ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ Π’Π‘Π (ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ ΠΏΡΠΈ 360-380 K Π² Π·Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΠΎΡΡΠ°Π²Π° ΠΈ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠ° Π½Π°Π½ΠΎΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ²) ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ (ΡΠΈΡΠΎΠΊΠΈΠΉ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΡΠΌ Π² ΠΈΠ½ΡΠ΅ΡΠ²Π°Π»Π΅ 350-450 K).Photoluminescence (PL) and thermally stimulated luminescence (TSL) of CdS[1-x]Se[x] nanocrystals embedded in borosilicate glass are studied. The dependence of the spectral positions of the near-edge and surface-mediated PL bands on the nanocrystal composition and size is discussed. A different temperature behaviour
for the higher-energy TSL band (maximum at 360-380 K, dependent of the nanocrystal size and composition) and the lower-energy peak (broad maximum in the range 350-450 K) is discussed