SOI MOSFET optimum design for RF switch applications

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과, 2013.2, [ iii, 34 p. ]이 논문은 RF 스위치용 SOI MOSFET의 최적설계에 대해 기술하였다. MOSFET 설계 전, RON (온 저항), COFF (오프 커패시턴스)를 구성하는 RCH (채널 저항), RMETAL (메탈 커패시턴스), CINT (내부 커패시턴스) 그리고 CMETAL (메탈 커패시턴스) 4개의 설계 파라미터를 정의하였다. MOSFET의 RON*COFF를 최소화하기 위해서 게이트 길이 조절, 폴리 게이트와 컨택 메탈 간 간격 조절, 그리고 메탈 선로 라우팅 방법의 조절과 같은 3가지 설계 방법을 제안하였다. 또한 RF 스위치의 선형성 향상을 위해 3차 고조파 왜곡 개선을 위한 설계 방법을 제안하였다. 제안된 MOSFET 및 RF 스위치는 0.25μm SOI CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. 제안된 구조의 MOSFET은 259fsec의 최소화된 RON*COFF 의 값을 가지고 이는 기존의 MOSFET에 비해 약 45%가 향상된 수치이다. 제안된 MOSFET을 이용하여 설계 된 SPDT RF 스위치는 상업용 RF 스위치들과 비교하였을 때 비슷하거나 더 나은 성능을 나타내었다.한국과학기술원 : 전기및전자공학과

Si(100) 표면에서의 백금 실리사이드 나노선 형성 및 물리화학적 성질 연구

학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 화학과, 2007. 8, [ vii, 55 p. ]\bold{Structures and Electronic Properties of Self-assembled Pt Silicide Nanowires on Si(100) We investigated the formation of Pt silicide nanowires on a Si(100) surface using scanning tunneling microscopy and high-resolution photoemission spectroscopy. Pt silicide nanowires with a tetragonal Pt2Si structure are formed along the step edges of Si(100). Pt-induced c(4 $\times$ 2) reconstructions also appear adjacent to the tetragonal $Pt_2Si$ nanowires. Formation of the $Pt_2Si$ nanowires is attributed to the anisotropic lattice mismatches between the tetragonal $Pt_2Si$ structure and Si(100). Scanning tunneling spectroscopy data show that the nanowires are metallic. The stoichiometry of Pt silicide is confirmed by high-resolution photoemission spectroscopy. $\bold{Unidirectional Pt Silicide Nanowires Grown on Vicinal Si(100)}$ The formation and electronic properties of unidirectional $Pt_2Si$ nanowires grown on a Si(100)-2° off surface were investigated. We found that $Pt_2Si$ nanowires were formed along the step edge of Si(100)-2° off surface with c(4$\times$6) reconstructions occurred on the terrace of Si(100) using scanning tunneling microscopy and low energy electron diffraction. Stoichiometry of grown nanowires was found to be $Pt_2Si$ by high resolution core-level spectroscopy. Electronic band structures parallel and perpendicular to the nanowire direction are found anisotropic. The surface state induced by $Pt_2Si$ nanowires was also observed in the angle-resolved photoemission spectra taken along the nanowires. A clear free-electron like band dispersion was not observed in the valence level spectra, however, the existence of the density of states at the Fermi energy level indicates that $Pt_2Si$ nanowires are metallic. $\bold{Resistivity Measurement of Pt Silicide Nanowires Using Double-Scanning-Probe Tunneling Microscopy}$ The resistivities of Pt silicide nanowires with the widths less than 10 nm were measured. Pt silicide nanowires consist ...한국과학기술원 : 화학과

Monolayer assembly of Co nanoparticles on OH/Si(111) via covalent linkage

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 화학과, 2003.2, [ iii, 28 p. ]한국과학기술원 : 화학과