Transborder Economic Cooperation between the South and the North Korea in Gaeseong Industrial Complex

본 연구는 개성공단 개발을 살펴봄으로써 남한과 북한의 서부 접경지역이 따로 존재하는 것이 아니라 상호 영향을 미치면서 하나의 월경적 경제협력지역으로 발전할 가능성이 있다는 점을 밝히고자 하였다. 남북교류협력이 활성화됨에따라 서부 접경지역은 정치군사적 분리공간에서 경제사회적 접촉공간으로 변화되고 있다. 특히, 개성공단은 세계적으로 유례가 없는 특수한 형태의 경제특구로 외국공단과 국내공단의 성격이 혼재하는 특성을 가지고 있는 것으로 나타났으며, 월경적 협력의 조건을 갖추고 있어 경쟁력을 가지고 있는 것으로 분석되었다. 개성공단 개발이 진전되면 남북한 모두 정치 군사적 긴장을 완화하고 접경지역을 중심으로 한 경제적, 사회문화적 효과를 기대할 수 있다. 개성공단 개발은 정치지리적으로 국경 및 접경지역 변화 동인으로서의 의미, 남북교류협력 거점 및 동일의 실험장으로서의 의미, 동북아 경제협력 거점으로서의 의미를 가지고 있다. 이러한 의미를 자 ㄹ살리기 위해서는 기존의 개발방안을 종합적·장기적 관점에서 체계화하고, 개발의 쟁애요인에 대해 충분히 고려할 필요가 있다. 단기적으로 개성공단의 경쟁력을 확보하고, 중장기적으로는 수도권을 포함한 남한 서부접경지역과의 연계개발, 평양-남포를 포함한 북한 서부접경지역과의 연계개발을 단계적으로 추진하여야 할 것이다. This study examines transborder economic cooperation in the western border region of South Korea and North Korea and suggests that this transborder region does not consist of two independent border regions any longer, but has cvolved as one trasborder economic cooperation region has transformed the nature of the retion from 'politico-mulitary space of isolation' to 'socio-economic space of contact.' The Gaeseong Industrual compelx(GIC) has also chanded the nature of existing border (the military dcmarcation line). stressing the role of border as 'filter' rather than 'barrier'

개성공단을 통해본 남북한 서부 접경지역의 월경적 협력에 관한 연구

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :지리학과,2005.Maste

Regeneration of PCB Etchants and Copper Recovery in a Batch - type Electrolytic Cell

인쇄회로기판의 식각폐수를 전기화학적 방법을 이용하여 양극에서 이를 재생하고, 음극에서 구리를 석출하기 위한 실험을 행하였다. 양극에서의 Cu(I)의 산화에 따른 Cu(I)/Cu(Ⅱ) 변화는 Pt와 Ag/AgCl/4M KCl 전극사이의 전위차를 이용하여 측정하였으며, 반응의 진행에 따른 양극에서의 염소기체 발생은 용액내에 Cu(I)의 농도를 일정치 이상으로 유지시키고, 비다공성 흑연전극을 이용하여 억제할 수 있었다. 그리고, 음극에서의 구리석출은 전류밀도 360㎃/㎠, 구리이온농도 12g/ℓ 일때 가장 효율적이며 석출된 구리는 dendrite구조임을 알 수 있었다. 또한 석출효율과 회수방법을 고려할 때 음극으로서 Ti전극을 사용할 경우 가장 우수한 효율을 얻을 수 있었다. 전해온도가 증가함에 따라서 전류효율은 낮아졌으며, 전력효율은 50℃에서 최대값을 나타내었다. Anodic regeneration of PCB enchant and cathodic deposition of copper using electrochemical method has been studied. Cu(I)/Cu(Ⅱ) concentration ratio as a function of Cu(I) oxidation at the anode was measured from the potential difference between platinum and Ag/AgCl/4M KCl electrodes. Chlorine gas evolution was minimized by maintaining Cu(I) concentration above a specific concentration and using non-porous graphite electrode. Dendritic copper deposition was observed at the cathode and the optimum conditions for Cu deposition was identified as the current density of 360㎃/㎠, and copper concentration of 12 g/ℓ. Titanium was the most effective cathode material which showed a higher current efficiency and copper recovery. The current efficiency decreased with increasing temperature, but the highest power efficiency was achieved at 50℃.본 연구는 환경부 및 통상산업부지원 선도기술개발사업(G7)의 일환으로 수행되었으며, 연구비를 지원해 주신 삼성전기(株)에 감사드립니다

Study on the Regeneration of PCB Etchants in a Continuous Electrolytic Cell With On-Off Control System

A continuous electrolytic cell was used to regenerate the etching solution and recover a copper in a waste solution from the etching process of printed circuit boards(PCB). Diffusion coefficients of copper ions in 4M HCI solution were measured with a rotating disc electrode and the values are 2.21× 10⁻⁵㎠/sec for Cu(I) and 1.147× 10⁻⁵ ㎠/sec for Cu(II).Cu(II) forms complexes with chloride ions and then hydrated, and it results in the increase of radius and diffuses slowly. Dendritic copper deposition was observed above 300 mA/ ㎠ current density and the dendritic form is favorable to recover because it can be readily cleaned and detached from Ti cathode. Cu(I) oxidation took place in the absense of Cl2 evolution by controlling the inlet flow rate with in-situ measurement of potential(vs. Ag/AgCl/sat.KCI) of anolyte. On-off control sysstem for a continuous electrolytic cell was self-designed and optimally applied to regenerate the etching solution and copper by controlling the variables such as specific gravity, flow rate, and Cu(II)/Cu(I) ratio. PCB에칭 폐액으로부터 에칭액을 재생하고 구리를 회수하기 위하여 연속식 전해조를 제작 및 운영하였다. RDE(rotating disc electrode)를 통한 4M HCI 용액내에서의 구리이온의 확산을 조사하였으며, Cu(Ⅱ)의 확산계수는 1.147× 10⁻⁵ ㎠/sec 이며, Cu(I)에 대하여는 2.21× 10⁻⁵㎠/sec으로 Cu(II)의 확산이 Cu(I)보다 느리게 일어난다. 이는 Cu(II)가 염소이온을 함유한 용액내에서 착물을 이룬 상태에서 수화되므로 이온의 크기가 증가하기 때문으로 추측된다. Ti전극 위에서 300 mA/ ㎠의 전류밀도 이상에서 dendrite형태로 구리의 석출이 일어나며, Ti전극과의 분리가 쉽고 세척이 용이한 점을 고려할 때 금속상태로 구리를 회수시에 porous 형태보다 유리하였다. 양극실에서의 Cu(I)의 산화시 최소유속 이상으로 에칭폐액을 공급하면서 전해도중 연속적으로 양극전해질의 전위를 측정하여 유속을 on-off방식으로 조절함으로써 염소 가스 발생을 억제할 수 있었다. 그리고 연속식 전해조의 on-off 방식의 제어장치를 직접 제작하여 전해도중에 비중, 유량 및 Cu(II)/Cu(I)비 등을 제어함으로써 PCB에칭 폐액을 연속적으로 안정하게 재생하고 용액내의 구리를 회수할 수 있었다.본 연구는 선도기술개발사업에 의해 수행되었으며, 지원에 감사드립니다