본 발명의 일 관점에 따른 공명 터널링 뉴로모픽 트랜지스터는, 기판 상에 형성되고, 전하의 전송 채널이 생성될 수 있는 채널 영역과, 상기 채널 영역 상의 콜렉터 전극과, 상기 채널 영역의 하부와 연결된 에미터 전극과, 상기 채널 영역의 측벽을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 상기 채널 영역의 측벽 상에 형성된 터널링층과, 상기 채널 영역의 측벽에 대향되게 상기 터널링층 상에 형성된 전하트랩층과, 상기 채널 영역의 측벽에 대향되게 상기 전하트랩층 상에 형성된 게이트 절연층과, 상기 채널 영역의 측벽에 대향되게 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함한다