中国式学科评估:问题与出路

今年四月份,教育部学位与研究生教育发展中心(以下简称"教育部学位中心")邀请全国学位授予单位参加全国第四轮一级学科整体水平评估。随之,各个高校展开了一场大规模、高级别的学科评估申报及材料提交总动员。第四轮学科评估自发布起也引发了学界的广泛关注和热烈讨论。高等教育是中国崛起的思想发动机,关涉民族复兴的未来,而学科评估是近年来中国高等教育学科建设成就的集中展示,其意义和影响可谓深远。为了更好推进学科评估科学进行,特别是促进高等教育健康发展,《探索与争鸣》编辑部邀请全国

氦离子辐照非晶态合金的两种表面腐蚀方式

８０—１２０ｋｅＶ４Ｈｅ＋以剂量范围为１．０×１０（１８）－４．０×１０（１８）Ｈｅ＋／ｃｍ２辐照Ｆｅ（７７）Ｂ（１６）Ｓｉ５Ｃｒ２和Ｎｉ（７８）Ｂ（１４）Ｓｉ８等多种非晶态合金，利用扫描电镜观察到表面出现两种腐蚀方式──发泡和层离。实验结果表明，腐蚀方式依赖辐照剂量率大小，层离厚度略小于射程，发泡厚度等于射程。分别用气压驱动模型和横向应力驱动模型对发泡和层离的机制进行了解释。Two surface deformation modes,i.e.blistering and flaking behaviour of amorphous alloys Fe77B16Si5Cr2, Ni78B14Si8,etc.under helium ions bombardment have been investigated by scanning election microscope.The results show a dependence of the surface erosion mode on dose rate.Thickness of blistering is equal to the mean projected range,while that of nabing is less than the range. The gas driven model and the lateral stress driven model were used to explain the mechanism of blistering and flaking,respectively.国家自然科学基金,北京中关村地区测试中心提供测试基

He~+辐照非晶态合金的深度分布和保存量

<正>在聚变堆的设计中,材料的辐照损伤被看成是除了等离子体物理外最重要的技术问题之一,特别是第一壁,它要经受热等离子体、聚变α粒子、14MeV聚变中子、中性原子等的直接照射,高通量、多种粒子的照射使得第一壁辐照损伤的研究特别重要.壁材料的辐照损伤分为两类,一类是体损伤,另一类是表面损伤,表面损伤的主要表现形式为表面溅射、表面发泡和蒸发,聚变α粒子引起第一壁的表面损伤是当今聚变堆研究十分关注的问题.国家自然科学基金;北京中关村地区联合分析测试中心资助项

宇航器件中的单粒子效应及其加速器地面模拟

描述了宇航半导体器件的单粒子效应的危害和研究方法，并介绍了用重离于加速器进行地面模拟研究的概况

~4He~+辐照非晶态合金引起的表面形貌变化

室温~4He~+辐照Fet_(11)B_(?)Si_3,Cr_2和Ni_(?)B_(?)Si_5非晶态合金,利用扫描电子显微镜(SEM)观测表面形貌随辐照参数的变化,同时给出表面形变,即发泡或层离的临界剂量范围,以及发泡直径分布算实验结果

氦离子辐照非晶态合金表面层离腐蚀研究

当Ｈｅ＋辐照剂量超过临界值后，非晶态合金Ｆｅ７７Ｂ１６Ｓｉ５Ｃｒ２和Ｎｉ７８Ｂ１４Ｓｉ８的表面会出现腐蚀，低剂量率辐照时，表面发泡；高剂量率辐照时，表面层高，层离后的面随剂量增加出现发泡，但泡径很小测量了Ｈｅ在材料中的深度分布，结果表明，表面腐蚀后Ｈｅ的分布有的是单峰，有的是双峰，对双峰成因进行了讨

利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨

讨论了利用重离子研究宇航半导体器件单粒子效应（ＳＥＥ）时应重视的几个问题，即空间辐射环境中的重离子，粒子辐射对半导体器件的影响和利用重离子束进行ＳＥＥ测试，以及重离子和质子在器件单粒子效应研究中的关系，最后介绍单粒子翻转重离子显微学。In the paper several problems are discussed,which should be paid attention to in the study of SEE induced by heavy ion irradiation of semiconductor devices,i.e.heavy ion in the natural space environment,influences of semiconductor devices irradiated by particles and measurement of single event upset,relationship of SEE of devices induced by heavy ion and proton,respectively.Finally,heavy ion microscopy of single event upsets is simply introduced

从单粒子效应的地面模拟评价兰州重离子加速器

宇航器件的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一，利用加速器的地面模拟是研究单粒子效应的主要手段。从单粒子效应模拟研究对加速器的基本要求出发，论证了兰州重离子加速器在单粒子效应研究中的重要地位。Cosmic ray induced single event phenomena in VLSI circuits imperil seriously the safety of space flight.Accelerator simulation plays an important role in various test methods.In the paper,the main parameters and characteristics of HIRFL(Heavy Ion Research Facility of Lanzhou) are presented and it is shown that HIRFL is an effective tool to perform single event phenomena test from the standpoint of the requirements of simulation