Study on Zn Diffusion in Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Compounds Using Rapid Thermal Annealing Process

以gAAS和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温zn扩散困难的特点,提出了直接溅射zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。Zn diffusion in Ⅲ-Ⅴ semiconductor compounds (GaAs and InP) using rapid thermal annealing(RTA) process was investigated.The feasibility of this method mostly depends on decompounded temperature of Ⅲ-Ⅴ semiconductor compounds.The lower the decompounded temperature,the higher the requirements on the diffusion layer,diffusion prevented layer and cap layer.As the decompounded temperature of InP is 360 ℃,it is hard to carry out Zn diffusion in low temperature,a method of Zn diffusion from direct sputtering Zn films into InP at 410 ℃ was proposed.The primary mechanism of Zn diffusion in InP is assumed that alloy junctions come into being using rapid thermal annealing

Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。A measurement system is set up which could measure static optoelectronic characteristics of avalanche photodiodes (APDs). By using this system, the mesa-structure InP/InGaAs APDs is measured. The results show that the APDs have a relatively low dark current (～150 nA at 90% of breakdown) and a uniform photoresponse profile of about 500 μm diameter. A method of getting APDs's multiplication gain is also proposed. Through getting the photocurrent at the point where multiplication is beginning, the multiplication gain can be obtained by the simple current-voltage equipment. For InP/InGaAs APDs, the typical maximum multiplication gain measured by this method is about 10～100

A Static Model of Optically Controlled PHEMT in PSPICE

【中文摘要】 提出光敏赝配倒置HEMT的静态模型 .该模型是一个四端口的器件 ,其中P端口用来处理输入光信号 ,运用此模型能够模拟不同光功率及光波长下输入光对器件输出电流的影响 .通过PSPICE对光敏PHEMT的DC特性进行数值模拟 ,得到的数值结果与Marso等人的实验数据符合的较好 . 【英文摘要】 We presented a static model of converted optically controlled PHEMT. This is a four port model in which port P is used to deal with light signal. The model could simulate the influence of the imported light on the device's output current under different light power and different wavelength. Using PSPICE to simulate the DC characteristics of optically controlled PHEMT, the simulation results show good agreement with experimental data.国家自然科学基金 (69887002 ), 福建省自然科学基金 (A9920002 ),教育部经费资助项

基于千万标本记录的NSII发展方向的探索

文章对国家标本标本资源共享平台(National Specimen Information Infrastructure, NSII)近15年来积累的植物数字化资源(植物标本数字化、彩色照片、植物志书等文献资料)进行统计分析,特别给出了标本数字化薄弱地区、标本记录空白区、标本空白科属、彩色照片空白科属名录,通过对外公开薄弱和空白区的方式,呼吁更多专业人员共建我国植物资源的数字化数据库(标本、彩色照片、文献)。进而提出NSII未来发展的几点思考:(1)进一步整合数字化标本资源,加强薄弱地区、薄弱科属的标本数字化工作,整合在线的国内外数字化标本资源;(2)优化彩色照片库的管理模式,加强薄弱科属的彩色照片建设工作;(3)鼓励市县级植物志的编纂及地方性植物图鉴、不同类型植物志书的出版,从不同的角度丰富植物资源的资料。(4)深入清理数据,有效推动数据服务;(5)盘活NSII数据存量,打造更多的数据产品;(6)提升可视化水平,加强数据深度挖掘,更好服务科研和科普工作

平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制

平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化

过硼酸钠结晶介稳区的测定

采用激光测定装置测定了过硼酸钠的溶解度和超溶解度,重点研究了过硼酸钠的溶解度、超溶解度以及结晶介稳区的变化规律,获得了过硼酸钠溶液的结晶介稳区,并用Apelblat方程对过硼酸钠的溶解度数据进行了关联。研究了降温速率、搅拌速率、六偏磷酸钠及聚丙烯酸钠添加量对过硼酸钠介稳区宽度的影响规律。研究结果表明,过硼酸钠溶解度随温度升高而增大,过硼酸钠的介稳区宽度在高温区较小而在低温区较大;降温速率的增大使过硼酸钠介稳区宽度变大,搅拌速率的增大使介稳区宽度变小;加入0.065%六偏磷酸钠和0.045%聚丙烯酸钠时获得的介稳区宽度最大。</p

InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统．利用该系统对光．敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试．测试结果表明，该APD器件在90％击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好．提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子．通过该方法得到的InGaAs／InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级

FAK抑制剂对肝癌HCC-LM3细胞骨架重排和侵袭的作用机制

目的基于FAK/PI3K/Akt通路，探讨FAK抑制剂CT-707对人肝癌HCC-LM3细胞骨架重排、侵袭、迁移及裸鼠皮下移植瘤生长的影响和机制。方法HCC-LM3细胞分为Control组、CT-707低剂量（1.5 μmol/L）组、CT-707中剂量（3 μmol/L）组、CT-707高剂量（6 μmol/L）组，采用Transwell小室实验、细胞划痕、MTT实验分别测定细胞侵袭、迁移能力及细胞活力；采用RT-qPCR和Western blot分别检测Palladin、Vimentin、MMP2和MMP9 mRNA及蛋白的表达；Western blot检测p-FAK、FAK、p-PI3K、PI3K、p-Akt及Akt蛋白的表达。使用HCC-LM3细胞系建立裸鼠皮下移植瘤模型，分为模型组、CT-707组（20 mg/kg， 腹腔注射），每组6只，记录肿瘤体积及质量，采用HE染色法观察移植瘤组织结构变化，免疫组化检测移植瘤FAK、PI3K、p-Akt、MMP-2、MMP-9的表达。结果与Control组比较，CT-707高、中、低剂量组可显著抑制HCC-LM3细胞侵袭迁移能力，降低细胞活力，下调Palladin、Vimentin、MMP2、MMP9、p-FAK/FAK、p-PI3K/PI3K、p-Akt/Akt的表达水平（P&lt;0.05），中、高剂量组的效应明显优于低剂量组（P&lt;0.05），中、高剂量组间结果差异无统计学意义（P&gt;0.05）。与模型组比较，CT-707治疗后可显著降低移植瘤体积和质量以及FAK、PI3K、p-Akt、MMP-2、MMP-9蛋白表达（P&lt;0.05），抑瘤率为51.92%。结论CT-707可能通过抑制FAK/PI3K/Akt信号通路活性，降低细胞骨架重排及基质金属蛋白酶分泌，从而抑制肝癌细胞侵袭、迁移以及肿瘤生长