Theoretical Calculation of B arrier Height of Metal-semiconductor Contacts

【中文文摘】采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样 ,可作为金属 -半导体接触势垒高度的一种理论计算方法 【英文文摘】Taken the average -bond-energy as the reference level,ten barrier heights of metal-semiconductor c ontacts are calculated.The coincident de gree of our calculational values and exp erimental values is not less than that o f charge-neutrality point method,adopted by Tersoff and M o¨ nc h.It shows that the average-bond-energy method,similar to Tersoff's charge-neutr ality point method,can be used as one of the methods in theoretical calculation of metal-semiconductor contacts.厦门大学校级自选课题 (Y0 70 10 )资

Valence-band offsets of strained heterojunction ZnS/ZnSe

采用基于lMTO-ASA的平均结合能计算方法，研究了在znSXSE1-X衬底上沿（001）方向外延生长的应变层异质结znS/znSE的价带带阶值。研究表明，应变的结果使价带带阶随衬底组分（X）的变化呈非线性且单调的关系；与其他理论计算和实验结果比较，本文的计算结果比较理想The valence-band offsets (VBO) of strained heterojunction ZnS/ZnSe as a function of the alloy composition x of ZnS x Se 1- x substrates are studied using the average-bond-energy theory based on LMTO-ASA method.It is shown that the strain leads to the nonlinear and monotonous variation of VBO's with x .The calculation results are more desirable compared with the theoretical and experimental data previously reported.国家和福建省自然科学基

VALENCE BAND ofFSETS of TERNARY ALLOY HETEROJUNCTIONS (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP AND (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP

采用基于lMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了两组晶格匹配三元合金异质结（AlP）X（SI2）1-X/gAP和（gAP）X（SI2）1-X/gAP的价带带阶ΔEV（X）值。研究表明，两组异质结的ΔEV（X）值随合金组分X的变化都是非线性的，且表现出非单调的关系。The valence band ofFsets Δ E v(x) as a Function of the alloy compositon x of two typical lattice matched ternary alloy heterojunctions (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP and (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP are studied by using the average bond energy theory in conjunction with the cluster expansion method.It is shown that the variations of Δ E v(x) at (AlP) x (Si 2) 1-x /GaP and (GaP) x (Si 2) 1-x /GaP are nonlinear and non monotonous.The calculated results of Δ E v are in very good agreement with the data previously reported.国家和福建省自然科学基

正态分布近似式的研究

正态分布近似式的研究郑金成蔡淑惠王仁智郑永梅程灿东（厦门大学物理系，361005）正态分布是一种重要的概率分布，在许多情况下，简单的近似解析方程有助于问题的解决。通过将理论计算与数值模拟相结合的方法给出了一个较好的近似式。标准正态分布函数的形式为Φ（..

Average-bond-energy and Fermi Level on Free Electronic Band

【中文摘要】 根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)的方法 【英文摘要】 Based on the free electronic band model, we study the relationship between average bond energy E m and Fermi level E F in face centered cubic (fcc) crystal, body centered cubic (bcc) crystal and hexagonal closed packed structure (hcp) crystal. It is concluded that the average bond energy E m is equivalent to the Fermi level E F on free electronic band. The results may help to understand the physical conception of average bond energy E m and also supply a method to calcu...高校博士点基金 (9538409); 福建省自然科学基金 (E990005)资助项

圣·约翰草提取物片治疗抑郁障碍专家共识

结合循证医学证据,本文归纳圣·约翰草提取物片治疗抑郁障碍的专家共识

重金属对拟南芥光系统的影响

以水培模式植物拟南芥为实验材料，研究了镉（Cd）、铜（Cu）、汞（Hg）、镍（Ni）、铅（Pb）、锌（Zn）为代表的二价金属阳离子对拟南芥幼苗的生长、表观形态等毒性的差异，着重研究了各种重金属离子对拟南芥光合作用方面的毒害作用，如对叶绿素含量、叶片的光合放氧速率、光合系统的反应中心活性、供受体侧及电子传递的影响。比较了不同重金属对光系统的毒害程度，同时研究了重金属对光系统I（PSI）和光系统II（PSII）的毒性差异。采用了电子阻断剂和拟南芥突变体来研究重金属对光合电子传递中围绕PSI的环式电子传递的影响，及环式电子传递在光合器官在重金属胁迫下保护机制中所起的生理作用。研究了重金属离子和离体光系统颗粒的结合能力，以解释重金属毒性差异结果。 主要结果如下： 1.汞和铜对拟南芥幼苗的生长抑制作用最明显，毒害作用最强。之后毒性较强的是镉。镍、铅、锌对整株植物的毒害作用较小，镍的毒害作用最小。 2. 在不同重金属对光合放氧速率和叶片最大光化学效率Fv/Fm的对比中发现，镉、铜和汞的毒性均较强。与上述三种重金属相比，重金属锌的毒性作用较弱，对拟南芥植株生长毒性最小的铅和镍对光合放氧和Fv/Fm没有显著影响。 3. 汞是对拟南芥离体叶片的PSI和PSII均具有最强毒性的重金属。铜对PSII的电子传递(ETR)具有高毒性，然而铜对PSI的电子传递没有抑制作用。镉对PSII电子传递速率的光响应曲线造成的影响大于对PSI的。高浓度铅对于PSII和PSI的电子传递均有毒性作用。在重金属对PSI电子传递的毒害对比中铅的毒害作用与汞一样突出。锌处理对PSII电子传递有抑制作用，而对PSI的电子传递则没有体现抑制作用。各种重金属对PSI和PSII电子传递的影响中，镍的抑制作用最小，对PSI电子传递在一定浓度下有促进作用。对PSII电子传递速率的光响应曲线的抑制作用而言，不同重金属的抑制作用从强到弱次序为：汞>铜>镉≈锌>铅>镍。对PSI而言，汞有最强的毒性，铅也有抑制作用，镉、锌和镍作用不显著，而铜有促进作用。 4. 在各种重金属的胁迫处理下，野生型拟南芥离体叶片的CEF均有一定的激发，起到保护作用。和NDH途径相比，PGR5途径的缺失对环式电子传递的激发及其保护作用造成的影响较大。在镉胁迫处理下，CEF可以很好的激发，来保护PSI。相比于镉的处理，铜对环式电子传递有更加明显的促进作用。汞降低PSII和PSI的活力，降低整个电子传递链的活性。镍对电子传递的抑制作用小，CEF不需很高的激发即起到保护作用。高浓度铅的处理对PSI的电子传递造成影响，CEF没有激发来起到保护作用。锌和汞处理会对CEF中NDH途径造成抑制，使得pgr5突变体受到高浓度锌或汞处理后，两条CEF途径均无法起到作用。 5. 通过提取出类囊体膜进行77K低温荧光光谱研究发现，镉、铜和锌对PSII的影响更明显。汞对PSII的毒性作用也要强于对PSI的毒性，但是高浓度汞对PSI和PSII均有抑制作用。铅处理下PSII相对于PSI受到的抑制较重，但是不如镉、铜、汞和锌作用下的毒性作用大。几种重金属中毒性最小的镍对两个光系统的影响均较小。Hg和光系统颗粒的结合能力最强，可以解释Hg对光系统和光合作用器官的高毒性。Cd和Zn更易于与PSII结合，因此解释了Cd和Zn对PSII毒性强的原因。重金属Pb和其他重金属相比，与两个光系统的结合能力较弱，解释了Pb毒性较弱的原因

DeFormation Potentials and Band ofFset of Ge, Si Strained layer Heterojunction

采用从头赝势能带计算方法研究了（001）界面应变对gE、SI能带结构、平均键能和带阶参数的影响.计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了gE/SI应变层异质结在不同生长厚度H（或平行晶格常数A∥）情况下的价带带阶和导带带阶.Based on an ab initio pseudopotentials band structure method, the eFFect of strain on Ge, Si band structure, average bond energy and parameters of band ofFset is studied. We also calculate the related deFormation potentials and obtain the valence band ofFset and conduction band ofFset of Ge/Si strained layer heterojunction at diFFerent grow thickness h (or lattice parameter a ∥), by means of the result of deFormation potencials and average bond energy method.国家和福建省自然科学基金;国家教委博士点基