Research on the Multi-Brand Strategy of RiChun Co., Ltd.

中国是茶业大国，茶园面积、茶叶总产量、茶叶消费总量等均居世界第一，但我国茶业集中度低、品牌化企业少，区域性茶企难以成为全国化茶企，严重影响了我国茶业做强。 如何让中国茶业企业做好品牌经营、把区域性企业做成全国化茶企是本文写作的目的。 本文首先提出问题、对品牌相关概念和理论进行概述，接着介绍了日春股份公司现状并对日春公司品牌现状进行简要梳理和总结。随后，本文运用PEST分析方法、五力模型对茶业内外部环境进行分析，又分析了茶业典型企业立顿、天福茗茶、八马茶业的总体状况和品牌经营现状，经比较品牌战略的优缺点，结合日春股份公司全国化茶企的战略目标，提出适合日春股份公司全国化发展战略的多品牌战略；并...China is a top country of tea , tea plantation area , tea production , tea total consumption ranks first in the world , but the low concentration of the tea industry , less brand companies , has seriously affected the country 's tea industry stronger. So how to make Chinese tea enterprises to brand management , the company stronger become nationalization tea company is the business concerns. The...学位：工商管理硕士院系专业：管理学院_工商管理硕士(高级管理人员工商管理硕士)学号：X201415600

优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的In_xGa_(1-x)As缓冲层的MOCVD生长.在这种In_xGa_(1-x)As缓冲层上生长的In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-x)As双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此,合理地解释了样品的光学测试结果

MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10K PL FWHM仅为3.49meV. 通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位,峰形研究,发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明, 在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程

STUDIES ON LOW TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF InGaAs/GaAs STRAINED QUANTUM WELLS BY MOCVD

【中文摘要】 本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程． 【英文摘要】 High quality strained quantum well, with photoluminescence FWHM of 4. 3nm at 10K only 3. 49meV, is obtained by MOCVD technology. Based on studies of low temperature spectra of several InGaAs/GaAs strained quantum well samples as function of excitation intensity and temperature, we conclud that the inhomogeneity of the exciton energy caused by composition fluctuation in the well, being the greatest contributors to inhomogeneous broadening, is the major problem to be solved during MOCVD processing.The experim..

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_(1-x)缓冲层上生长In_yGa_(1-y)As/GaAs超晶格(x<y).阱层处于压缩应变,垒层处于伸张应变,其厚度均小于Matthaews-Blakeslee(M-B)平衡理论计算的临界厚度.透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面铟组分过渡区比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面铟组份过渡区窄;In_yGa_(1-y)As合金阱层中,靠近GaAs/In_yGa_(1-y)As界面一端的铟组分更大.用In_yGa_(1-y)As合金层中铟的分凝理论解释了超晶格中铟组分的分布特征.透射电子显微观察表明,GaAs/In_yGa_(1-y)As界面比In_yGa_(1-y)As/GaAs界面平整.提出一种新的弛豫机制来解释压缩应变和伸张应变的不同,对两个界面特性的差异给予解释