MIM波导中多耦合腔诱导透明效应的数值分析

通过在金属-绝缘体-金属表面等离激元波导单侧引入平行的双谐振腔结构,实现了等离激元诱导透明效应的数值模拟,基于谐振耦合导致的模式分裂理论揭示了单等离激元诱导透明透射峰的形成机理,并数值研究了透射峰幅度及谱宽与模型结构参数的依赖关系。在此基础上设计了在波导双侧三腔结构,并对其透射谱进行了数值仿真,结果表明:选取适宜腔长及间距参数,可以在三腔模型中产生双等离激元诱导透明透射峰,并且峰值位置可以随腔长以近似线性关系改变

基于光子晶体光纤的MZI温度传感特性研究

采用全矢量有限元法,研究了空气孔为正九边形周期性排列的全内反射型光子晶体光纤的温度传感特性,分析了不同空气孔排列形状、占空比以及波长对温度特性的影响,并与正六边形结构的光子晶体光纤进行了对比。研究表明,空气孔为正九边形周期性排列时,光子晶体光纤模场分布随温度变化显著,其有效折射率和限制损耗的大小与温度成反比。保持孔间距不变,占空比越大,输入波长越长,灵敏度越高。在此基础上,提出了一种正九边形熔接点为锥形的单模光纤-光子晶体光纤-单模光纤马赫曾德干涉仪温度传感器,当波长为1 550nm,占空比为0.6,温度范围为-2080℃时,该传感结构的温度灵敏度为0.112 2nm/℃

980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。在室温和10 K温度下,应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为32 meV和.4 meV,宽接触激光器的阈值电流密度低达140 A/cm~2。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于120 mW,基横模输出功率可达100 mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合其组合件出纤光功率典型值为40 mW,最大值可达60 mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40 mW下,中心发射波长在977 nm,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源

掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mW的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表

低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器

报道了低阈值联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制PS特性。该激光器激射波长约为850nm，调谐宽度为7nm