Luminescence of Strain Compensated Si/Si_(0.62)Ge_(0.38) Quantum Well Grown on Si_(0.75)Ge_(0.25) Virtual Substrate

由于SI/SIgE异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基SI1-XgEX虚衬底上外延应变补偿的SI/S1-ygEy(y>X)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100MEV以上。在实验上,采用300℃生长的gE量子点插入层,制备出薄的SIgE驰豫缓冲层(虚衬底),表面gE组份达到0.25,表面粗糙度小于2nM,驰豫度接近100%。在我们制备的SIgE缓冲层上外延了应变补偿SIgE/SI多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。In this paper,band structures of strain compensated Si/S_(1-y)Ge_y(y>x) quantum well grown on Si_(1-x)Ge_x virtual substrate was design to enlarge the conduction band offset up to 100meV for improving luminescence.The fully strain-relaxed Si_(0.75)Ge_(0.25) virtual substrate was prepared by inserting a low-temperature Ge islands layer in ultra-high vacuum chemical deposition.The root-mean-square surface roughness of the virtual substrate is less than 2nm.The luminescence of the strain compensated Si/SiGe quantum well on the virtual substrate was investigated.国家重点基础研究发展计划资助项目2007CB613400;国家自然科学基金资助项目(60676027;50672079

溶菌酶1在小鼠超数排卵前后孵化及休眠囊胚中差异表达的研究

目的研究溶菌酶1(lysozyme 1,LYZ1)基因在超数排卵前后小鼠孵化囊胚和休眠胚胎中的分布以及表达,探究动物胚胎着床过程中新的调节机制。方法从妊娠5 d ICR小鼠体内获取的正常孵化囊胚和超排囊胚,利用小鼠延迟着床模型于妊娠第8天获取休眠胚胎和超排休眠胚胎。利用免疫荧光和Western Blot方法检测LYZ1蛋白在四组胚胎中的分布和差异表达变化。结果 LYZ1在超数排卵前、后小鼠孵化囊胚和休眠胚胎中均有表达,且主要集中在内细胞团中,滋养层细胞和胞质中少见分布;与未进行超排的小鼠相比,LYZ1蛋白在超排后小鼠胚胎中表达量显著上调,与未营造休眠模型的小鼠相比,LYZ1蛋白在休眠模型小鼠胚胎中的表达量显著上调。结论 LYZ1蛋白在囊胚内细胞团中表达,可能参与调节胚胎内细胞团的发育;LYZ1蛋白在超排-休眠胚胎中的高表达,说明LYZ1蛋白在休眠和超数排卵的双重影响下,会因为抵御不利环境而上调。2016年度科技创新服务能力建设-科技计划重点项目(KZ201610020018);;2018科技创新服务能力建设(KZ201610020018)~

塔里木沙漠公路沿线不同立地类型风沙土的理化性质研究

通过对塔里木沙漠公路沿线不同立地类型风沙土物理、化学性质特征进行了初步研究，结果表明：沙漠公路沿线的风沙土，机械组成以极细砂粒和细砂粒为主；pH值均在8～9之间，为中性偏碱性；盐分含量具有显著差异，空间变异性大；养分和有机质含量较少，并未表现出明显的变化；微量元素(Fe、Mn、Cu、Zn)的有效含量普遍偏低，尤其是Mn、Cu、Zn处于极低水平

调控技术对棉花干物质积累、养分吸收的影响

以新陆早13号为材料,研究了调控技术对新疆棉花干物质积累和养分吸收的影响,结果表明:在水肥及化控总量不变的前提下运用调控技术增加了各生育期棉株地上部分干物质积累量、养分吸收量和分配率,在营养生长时期提高了干物质和养分在营养器官中的分配,在生殖生长时期提高了干物质和养分在生殖器官中的分配;调控技术还进一步提高了棉株干物质积累与养分吸收的相关性

克拉玛依农业开发区土地利用方式对土壤盐分的影响

在克拉玛依农业开发区,采用区域调查的方法,调查分析了耕地、草地、林地3种不同土地利用方式对土壤盐分的影响。结果表明:在相同种植年限,不同土地利用方式下,土壤盐分含量:林地>草地>耕地;在相同土地利用方式下,土壤盐分含量与种植年限成反比,且随着种植年限的增加,盐分含量降低的幅度越来越小。在不同的种植结构中,轮作土壤盐分含量是连作的2.3倍,在轮作中,瓜/棉花轮作的土壤盐分含量比苜蓿/棉花低35.06%;林地土壤盐分的表聚性较强,0~10 cm的盐分含量占到土壤剖面盐分含量的42.28%,而耕地和草地的盐分大量积聚在30~60 cm

克拉玛依农业开发区不同土地利用方式下土壤质量的特征研究

以克拉玛依农业开发区为研究区,采用野外调查与室内分析相结合的方法,研究克拉玛依农业开发区不同土地利用方式下土壤质量的特征变化。样品分析结果表明:土壤pH值在7.52~8.60,呈碱性。土壤全磷、全钾、容重、pH值变化不明显,而土壤速磷、碱解氮、速钾、有机质含量变异较大。主成分分析结果显示:第一、二、三个主成分的累计贡献率为72.22%,可以作为对土壤质量的概括。通过对不同土地利用方式下的土壤等级划分得出:不同土地利用方式下的土壤质量依次为耕地>人工草地>林地>荒地,并针对不同类型提出了改善措施

Effect of Ge Content on DC Characteristics of SiGe HBT

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。Multi-finger double-mesa SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) with Ge content of 0.20 and 0.23 have been fabricated. With a little increase of Ge content from 0.20 to 0.23,the current gain increases as much as 2.6 times. Although the ratio of recombination current increases with increase of Ge content in base,due to high injection of minor carriers from the emitter to base,the total base current decreases and the collector current increases with increase of Ge content.福建省青年科技人才创新基金(2004J021);; 国家自然科学基金(60676027,50672079);; 福建省科技重点项目(2006H0036

Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍

Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性

Growth of Thick Ge Epitaxial Layers with Low Dislocation Density on Silicon Substrate by UHV/CVD

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.Thick Ge epitaxial layers are grown on Si(001) substrates with low temperature buffer layers with ultra-high vacuum chemical vapor deposition systems using Si2H6 and GeH4 as precursors.The deposition process of the Ge layer on Si is investigated in real time by reflection high-energy electron diffraction,and the quality of the Ge layer was evaluated by atomic force microscopy,double crystal X-ray diffraction(XRD),and Raman measurement.The root-mean-square surface roughness of the Ge epilayer with a thickness of 550nm is less than 1nm and the full-width-at-half maximum of the Ge peak of the XRD profile and the Ge-Ge mode of the Raman spectra are about 530″ and 5.5cm-1,respectively.These measurements indicate that the Ge epitaxial layer is of good quality.The etch pit density related to threading dislocations is less than 5×105cm-2.This is a promising material for Si-based long wavelength photodetectors and electronic devices国家自然科学基金(批准号:60676027,50672079,60336010);; 福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);; 教育部回国留学人员启动基金资助项目~