“秤砣虽小压千斤”——解析金属离子在纳米药物自组装中的功能设计

目前,化疗的最大障碍是化疗药物在杀死癌细胞的同时对人体正常细胞,尤其是免疫细胞造成损伤.将化疗小分子药物特异性地递送到肿瘤部位,从而提高疗效并降低其毒副作用是亟待解决的现实难题.纳米药物主要由活性药物分子和递送系统(即药物载体)组成,是纳米材料或纳米颗粒在医学中最新发展起来的应用形式.由于其颗粒

关于菲律宾提起的“南海仲裁案”的法理分析

2016年7月12日,在中方缺席的情况下,应菲律宾阿基诺政府单方请求建立的南海仲裁案仲裁庭(以下简称"仲裁庭")就该案做出了实体问题的裁决。这是一场由某些域外国家导演的披着法律外衣的政治闹剧,其目的是损害中国在南海的领土主权和海洋权益。针对上述所谓裁决,中国政府先后发表了一系列声明和相关文件,表明了我国不参与、不接受、不承认的严正立场,并重申了中国在南海的领土主权和海洋权益。中国法学会也于2016年7月13日发表了《关于菲律宾共和国单方面提起的南海仲裁案的声明》,从法律层面有力地支持了我国政府的观点和立场。2016年7月21日,中国法学会联合中国国际法学会、中国海洋法学会共同举办了"南海仲裁案法律专家座谈会",组织国内60余位知名海洋法、国际法专家学者,对南海仲裁案严重损害中国领土主权和海洋权益的所谓裁决做进一步法律评析。专家们在座谈中指出,无论是基于《联合国海洋法公约》(以下简称《公约》)的宗旨、原则和规定、国际社会公认的基本法理,还是基于基本的历史事实,菲律宾单方面提起仲裁和仲裁庭强行推进有关程序均是违法、无效的。现将座谈会中较有代表性的专家观点以笔谈形式刊发,以期能够引领更多的相关研究。中国法学会课题“我国南海岛礁所涉重大现实问题及其对策”(项目批准号:CLS(2015)ZDWT54)的阶段性成果之

Micro-CT analysis of high temperature creep damage of 2D C/SiC composites

利用显微CT针对自愈合2dC/SIC复合材料高温蠕变试验前后的内部孔隙率进行了分。析结果表明,显微CT技术能较好地探测高温蠕变前后2dC/SIC复合材料内部孔隙率变化,从孔隙率的变化初步证实了bXC组元对2dC/SIC复合材料有一定的自愈合作用。利用显微CT技术证实了高温下的拉伸应力不会导致2dC/SIC复合材料中新的裂纹产生。We report a micro-CT experiment that permits us to assess void growth and microstructure development in self-healing 2D C/SiCcomposites subjected to high temperature creep.The results reveal that the micro-CT is a promising facility to detect the evolution of voidsin 2D C/SiC composites,and the BxC composition plays a positive role in the self-healing behavior of the composites subjected to hightemperature.In addition,the results show that high temperature creep will not lead to new cracks in the composites,which may be caused bythe self-healing of matrix cracks.国家自然科学基金重点项目(90405015

2D C/SiC复合材料高温蠕变损伤的显微CT分析

利用显微CT针对自愈合2DC/SiC复合材料高温蠕变试验前后的内部孔隙率进行了分。析结果表明,显微CT技术能较好地探测高温蠕变前后2DC/SiC复合材料内部孔隙率变化,从孔隙率的变化初步证实了BxC组元对2DC/SiC复合材料有一定的自愈合作用。利用显微CT技术证实了高温下的拉伸应力不会导致2DC/SiC复合材料中新的裂纹产生

CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为

针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提升.基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道,而后可被B-C氧化产物B2O3封填,抑制内部C消耗.CVI B-C与其氧化产物一同参与缺陷愈合.在60h内,B-C改性层愈合能力尚未完全发挥,可服役更长时间

C/SiC表面SiC涂层氧化的显微CT无损检测与分析

对C/SiC复合材料表面SiC涂层在1300℃干氧和湿氧环境中退火处理60 h,利用显微CT技术对高温氧化后的SiC涂层进行无损检测。通过重构SiC涂层不同深度的氧化形貌,并利用SEM、EDS和XRD进行辅助验证,得到沿SiC涂层表面和厚度方向的氧化形貌。结果表明:显微CT能有效地检测氧化后SiC涂层中存在的氧化产物SiO2及其氧化深度,其在表面及深度方向均呈非均匀分布;在干氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈减少趋势,而在湿氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈先增加后递减的趋势,验证了C/SiC复合材料表面SiC涂层在干氧和湿氧中不同的氧化机制

Design of 12-bit 20MS/s Pipelined ADC with Digital Background Calibration

本文首先介绍了流水线ADC的常用性能参数和基本结构，以1.5比特位级结构为 例详细的分析了ADC中的各个误差源和噪声源，最终推导出了包含非理想因素的数 学模型。在这一数学模型的基础上使用了MATLABSimulink建立了一个模型库， 可以方便的配置不同结构的流水线ADC。 本文的设计目标是12比特位20MHz采样频率的流水线ADC，为了达到这一精度， 需要使用校准电路。本文研究了两种流行的数字后台校准技术：信号依赖的PN注入 校准和最小均方差校准技术。对于信号依赖的PN注入校准，详细的分析了如何进 行信号依赖的校准信号注入，分析了校准收敛精度与收敛时间和PN序列长度、注 ...First, pipelined ADC’s specification and architecture was introduced in this paper , thentransfer function of 1.5-bit stage was deduced detailed, error and noise sources from ADCwas analyzed, finally a completed mathematical model including all non-ideal errors was built. Base on this model, a Simulink model library was created, and different pipelined ADC can be configured...学位：工学硕士院系专业：信息科学与技术学院_微电子学与固体电子学学号：2312010115299