低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P折射率测量（英文）

采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P外延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP可见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好

InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长

为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构.激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ＝1.6μm,垒区λ＝1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019cm-3.对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求

一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法

本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1

One-step synthesis and thermal decomposition kinetic of aluminum dihydrogen tripolyphosphate dehydrate Ⅰ

研究三聚磷酸二氢铝Ⅰ型二水物的微波合成工艺及其热分解动力学。以氢氧化铝和磷酸为原料,用XRD、Ram an、SEM等手段对产物进行表征,运用TG-DTG技术、4种积分法和3种微分法、选用43种机理方程研究产物的热分解动力学模型。结果表明:在微波750 W、15 m in下一步合成的化合物是A lH2P3O10.2H2O(I),该化合物在393—533 K区间脱去2分子结晶水,属于二维扩散控制,活化能E为61.375 kJ/mol,指前因子A为1.78×107s-1;在703—843 K区间脱去1分子结构水,属于成核生长控制,活化能198.890 kJ/mol,指前因子A为2.458 5×1013s-1。 To study the synthesis method of microwave irradiation and decomposition kinetic for aluminum dihydrogen tripolyphosphate Ⅰ , the title compound was prepared by using aluminum hydroxide and phosphoric acid as regents, and was characterized by XRD, Raman, SEM. TG-DTG technique, four kinds of integral and three differential coefficient methods, as well as 43 mechanism equations were used to study its decomposition kinetic models. The results show that the product obtained by one-step reaction under microwave radiation 15 min and power 750 W is AlH2P3O10·2H2O（Ⅰ）, there are two dehydration stages between 300 K and 950 K during the thermal decomposition of the title compounds. The dehydrate reaction between 393 K and 533 K is controlled by two-dimensional diffusion with an activated energy of 61. 375 kJ/mol, a pre-exponential factor of 1 78 × 10^7 s^-1; the dehydrate process between 703 K and 843 K is controlled by nucleating and growing with an activated energy of 198.89 kJ/mol, a pre-exponential factor of 2.458 5 × 10^13 s^-1.国家自然科学基金项目(20566003)； 广西科技厅青年基金项目(桂科青0339012

外延生长Gel-xSnx合金的研究进展

Ge_1-xSn_x是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge_1-xSn_x合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge_1-xSn_x合金外延生长的研究进

60%电光效率高功率激光二极管阵列

设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计