慢性HBV感染患者抗原表位特异性CTL与ALT水平无关

[目的]通过定量分析慢性乙型肝炎患者体内乙型肝炎病毒（HBV）特异性的细胞毒性T淋巴细胞,探讨特异性细胞毒性T淋巴细胞水平与血清丙氨酸氨基转移酶水平和病毒复制状态的关系.[方法]从慢性乙型肝炎患者外周血分离外周血单个核细胞（PBMC）,用HLA-A2限制的HBcAg抗原表位肽-五聚体复合体及CD8单克隆抗体染色后,用流式细胞仪检测HBV特异性的细胞毒性T淋巴细胞,同时检测患者的肝功能和定量分析HBV DNA.[结果]32例HLA-A2阳性的慢性乙型肝炎患者外周血均可检测到HBV特异性的细胞毒性T淋巴细胞,五聚体阳性细胞占CD8阳性细胞的比例为1.3%±1.1%,统计分析抗原表位特异性细胞毒性T淋巴细胞频率与丙氨酸氨基转移酶水平相关性不显著（r=0.163,P=0.163）.分组对比发现病毒载量低者（HBV DNA定量＜105拷贝/mL）抗原表位特异性细胞毒性T淋巴细胞水平（1.96%±1.26%）高于病毒载量高者（0.82%±0.52%,P＜0.05）.[结论]慢性乙型肝炎患者外周血中存在抗原表位特异性细胞毒性T淋巴细胞,抗原表位特异性细胞毒性T淋巴细胞可能与控制HBV的复制有关,但主要肝损害并非直接由抗原表位特异性细胞毒性T淋巴细胞引起

南海北部天然气水合物的形成分解与微生物的偶联关系

微生物在天然气水合物的形成和分解中扮演了重要的角色.南海北部是我国天然气水合物未来开发的战略选区之一,目前已多次在该海域采集到天然气水合物样品,证实了南海北部蕴藏着丰富的天然气水合物资源.通过分析天然气水合物形成与分解同微生物的偶联关系,综述了与天然气水合物形成分解有关的微生物类型及其标志化合物,结合我国南海北部天然气水合物赋存或潜在赋存区的微生物相关研究工作进展,提出未来使用微生物地球化学方法勘探天然气水合物的技术指标和相关的研究方向.国家自然科学基金(41773078,41276046);;厦门大学校长基金(0050-ZK1104

WDM光网络中一种新的备用路由算法

文章基于负载均衡和禁忌搜索提出一种新的备用路由算法,实现了优化解搜索及对链路负载方差和拥塞的优化。路由选择后,采用首次命中按长通道优先原则为各光通道分配波长。在环网和网状网静态业务模式下对不同路由算法进行了仿真,仿真结果表明,新算法能充分利用网络资源安排最佳路由,有效降低了对波长的需求

平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器

平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作

一种高密度相变存储器的制备方法

一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；在插塞小孔的孔壁上的表面淀积一层相变材料，得到管状结构；采用化学气相淀积工艺，在相变材料上再淀积一层金属材料层，该金属材料层填满插塞小孔内；最后用化学机械抛光方法，去除插塞小孔表面上多余的金属材料层和相变材料，抛光表面

垂直相变存储器及制备方法

一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一加热电极插塞柱，该加热电极插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内，并位于加热电极插塞柱之上；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱

一种平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器

一种平面相变存储器的制备方法

一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器