Silencing of PKM2 promotes Fas-Dependent Apoptosis via P53 -Mediated in Gastric cancer Cells

背景和目的：PKM2作为丙酮酸激酶（pyruvatekinaseisoenzyme，PK）家族成员，在肿瘤中呈现高表达，并且在肿瘤能量代谢过程中起到关键作用。近期研究发现，PKM2还具备转录因子活性，参与调控细胞增殖与迁移侵袭，在恶性肿瘤的发生发展中发挥重要作用。我们研究发现，胃癌细胞株BGC823及AGS中基因沉默PKM2后，促进了顺铂诱导的细胞凋亡，由此表明PKM2可以减低胃癌细胞对化疗药物的敏感性，但具体机制有待探索，我们的研究旨在明确基因沉默PKM2在胃癌细胞凋亡及耐药方面的作用及相关分子信号通路。 方法：首先，运用短发夹RNA（shRNA）稳定转染胃癌细胞株BGC823和AGS，抑...Background and Aims: The M2 splice isoform of pyruvate kinase (PKM2) as a member of pyruvate kinase isoenzyme family , highly expressed in tumor cells, and plays an important role in the process of tumor metabolism. The latest study finds that PKM2 has an activity of transcription factor , participate in regulation of cell proliferation and migration, and plays an important role in the emergence ...学位：医学硕士院系专业：医学院_内科学学号：2452012115313

slot波导包覆层对功率密度的影响

理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系.结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗.分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗.理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下, slot波导槽内最大的光功率限制为28.54%,这个值包含了纳米线波导与slot波导直接耦合产生的耦合损耗以及slot波导自身的传输损

基于硅基槽波导的单纤三向滤波器的研究

设计了基于硅基槽波导的微环谐振型单纤三向滤波器.基于电磁场理论得到了二维情形下的硅基槽波导的模场及有效折射率随波长的变化关系,在此基础上,利用硅基槽微环谐振腔谐振波长与微环半径的关系,优化得到了可将1490nm和1550nm两个下载波长分开的谐振环半径,并同时将1310nm波长上传,三个波长信号从不同端口输出,成功地实现了三向器滤波功能.利用传递函数法模拟了所设计的硅基槽微环谐振型三向滤波器的输出光谱,结果显示其串扰可低至-16.9d

硅纳米槽微环谐振器温度特性研究

理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性.对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性.得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/℃,而相同温度,半径以及折射率情况下纳米线微环谐振波长随温度变化为0.092nm/℃,是槽微环的1.88倍.而且改变槽微环的槽宽和两侧Si条的宽度也会对微环的温度特性有影响,增加槽宽或者减小Si条宽度都会使谐振波长随温度的变化进一步减小.通过采用负温度系数聚合物材料WIR30-490和优化槽波导的结构参数,使得温度对微环谐振波长的影响降低到0.0023nm/

基于Si纳米线AWG的超紧凑单纤三向滤波器设计

采用绝缘层上Si(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器.二维时域有限差分(2D-FDTD)模拟输出光场表明,3个波长光信号输出光场清晰,实现了1490 nm和1550nm下行波长的解复用和1310 nm波长的上传复用功能;进一步的输出功率模拟表明,当各波长信号输入功率为1 mW时,1490 nm端口输出功率为0.49 mW,1550 nm端口输出功率为0.49 mW,1310 nm上传信号功率为0.55 mW,相应的插入损耗分别约为-3.1,-3.1和-2.6 dB.各端口的串扰光功率可被抑制到-25.2 dBm以下,相应的串扰小于-22.6 dB.采用电子束(EB)光刻结合诱导耦合等离子干法(ICP-RIE)刻蚀,制备出了Si纳米线单纤三向滤波器,经红外CCD成像观察到器件具有3个波长的分波功

槽波导微环谐振型单纤三向器

一种槽波导微环谐振型单纤三向器，包括：一衬底；一槽波导双微环两路滤波器，制作于衬底上，该槽波导双微环两路滤波器包括：一个主通道波导，一第一波导双微环，一第二波导双微环，一第一下载波导，一第二下载波导；其中，主通道波导，第一波导双微环，第二波导双微环，第一下载波导以及第二下载波导均由槽波导结构组成；一第一输入波导制作于衬底上；一第二输入波导制作于衬底上；一第一输出波导制作于衬底上；一第二输出波导制作于衬底上；一第一监视探测器集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与第一输出波导的末端相连接；一第二监视探测器集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与第二输出波导的末端相连接；一激光器，该激光器集成在衬底上，其输出端与第二输入波导的一端连接

8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作

设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm.利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB.给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程.光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3~1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6d

Si纳米线阵列波导光栅制备

采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm.利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB.通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36~10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB.在误差允许范围内,设计和测试的结果一

Measurement of integrated luminosity of data collected at 3.773 GeV by BESIII from 2021 to 2024

We present a measurement of the integrated luminosity e+e- of collision data collected by the BESIII detector at the BEPCII collider at a center-of-mass energy of Ecm = 3.773 GeV. The integrated luminosities of the datasets taken from December 2021 to June 2022, from November 2022 to June 2023, and from October 2023 to February 2024 were determined to be 4.995±0.019 fb-1, 8.157±0.031 fb-1, and 4.191±0.016 fb-1, respectively, by analyzing large angle Bhabha scattering events. The uncertainties are dominated by systematic effects, and the statistical uncertainties are negligible. Our results provide essential input for future analyses and precision measurements