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    高分辨率共聚焦显微镜

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    本发明是一种高分辨率共聚焦显微镜,包括激发光部分,由光源、调制器阵列、扩束透镜组成;样品台部分,由样品台、光学调制器阵列、物镜构成;收集光部分,由聚焦透镜、光学调制器阵列、光电倍增管构成;图像处理部分,由信号放大电路、计算机组成。本发明提出的高分辨率共聚焦显微镜具有光学调制器阵列,通过电学控制方法实现光学调制器阵列的开光控制,取代传统共聚焦显微镜的机械旋转部件和电动快门;并能够实现对扫描区域组合和孔径的自由控制。控制光学调制器阵列全部打开,则显微镜为大视场显微镜;控制调制器阵列局部打开,则为共焦扫描显微镜。可以实现样品的选区共焦成像

    全硅基材料多通道光收发模块

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    本发明涉及光互连技术领域,公开了一种全硅基材料多通道光收发模块,包括光发射部分和光接收部分,其中光发射部分包括多个光发射单元、波分复用器和第二光耦合器,每个光发射单元包括光调制器、光调制器匹配网络、第一光耦合器和第一光波导;光接收部分包括多个光接收单元、波分解复用器及光耦合器。每个光接收单元由光电探测器、光电探测器匹配网络和第二光波导构成。本发明的优点是所有元件均采用硅基材料制备,可高度集成化,小型化,适合于片间及片内光互连的应用

    一种硅基光电器件集成方法

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    本发明公开了一种硅基光电器件集成方法,该方法包括:在硅衬底上制备电子学器件;在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层;在二氧化硅层上制备多晶硅;在多晶硅上制备硅光子学器件;刻蚀过孔,淀积金属实现电学互连。本发明提供的硅基光电器件集成方法所采用的工艺均为微电子标准工艺,易于实现,合格率高,且集成度高,单片集成,易于封装,尤其适合于高速电子学器件与光学器件集成芯片的制备

    全硅基材料光收发模块

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    本发明涉及光互连技术领域,公开了一种全硅基材料光收发模块,包括光发射部分和光接收部分。光发射部分包括光调制器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一光波导、第二光波导和光调制器匹配网络。光接收部分包括光电探测器、第三光耦合器、第三光波导和光电探测器匹配网络。第一光耦合器将外界光信号耦合进入第一光波导,输入光调制器,电信息通过光调制器匹配网络加载至光调制器,光调制器将电信息转化为光信息,并通过第二光波导进入第二光耦合器耦合入光纤进行传输。第三光耦合器将光纤中的光信息耦合入第三光波导,转换后的电信号通过光电探测器匹配网络输出。本发明采用硅基材料制备,可高度集成化、小型化,适合于片间及片内光互连的应用

    硅基延时可调光延迟线及其制作方法

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     一种硅基延时可调光延迟线,包括:一输入波导及一直通端,该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接;一上载端及一下载端,该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接;一光学谐振腔,该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间,并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合;两调谐电极,该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧

    共面波导硅基电光调制器

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     一种共面波导硅基电光调制器,包括:一输入波导;一第一分束器,该第一分束器的输入端与输入波导相连接;一第一调制臂,该第一调制臂的一端与第一分束器输出端连接;一第二调制臂,该第二调制臂的一端与第一分束器输出端连接;一硅基光延迟线器件,该硅基光延迟线器件与第一调制臂或第二调制臂耦合;一第二分束器,该第二分束器的输入端与第一调制臂及第二调制臂的另一端连接;一输出波导,该输出波导的一端与第二分束器的输出端连接

    一种制备薄膜材料的方法

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    本发明公开了一种制备薄膜材料的方法,包括:步骤1:将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中;步骤2:将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上,通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上;步骤3:将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方;步骤4:感光鼓放电,使粉末均匀地分布于材料基底的表面;步骤5:对材料基底表面的材料粉末进行结晶化处理,在材料基底的表面形成薄膜材料。利用本发明,工艺成熟、制作成本低,比现行的方法至少低一个数量级。另外,本发明借鉴了静电压印技术,技术成熟度高

    一种制备具有微反应池的生物芯片的方法

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    本发明公开了一种制备具有微反应池的生物芯片的方法,该方法包括:清洗衬底;制备掩膜板,在掩膜板上制备微反应池图形;涂光刻胶;光刻、显影、去胶;刻蚀衬底;芯片表面处理。本发明提供的这种制备具有微反应池的生物芯片的方法,工艺成熟,制作成本低,采用一块掩膜板模板就可以批量制作,可重复性好,适合于规模商品化生产,制作出的生物芯片微反应池孔径均匀,芯片表面可以再修饰

    带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器及其制作方法

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    一种带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上的硅材料,包括:一硅衬底;一限制层,该限制层制作在硅衬底上;一顶硅层,该顶硅层制作在限制层上,在该顶硅层的表面制作有衍射光栅,在衍射光栅的一侧制作有反射光栅,在衍射光栅的另一侧为锥形波导,该锥形波导长度大于80μm,与锥形波导连接处为亚微米波导;一光纤,该光纤的一端靠近顶硅层上的衍射光栅
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