Co-creation Processes Contributing to the Societal Impact of Science: Contributions from the Net4Impact Network

La participación ciudadana a lo largo del desarrollo de los proyectos de investigación ha demostrado aumentar el impacto social de la ciencia. Los procesos de cocreación promueven un impacto social más significativo al alinear la investigación con las necesidades sociales. En los últimos años se han identificado importantes avances en materia de participación ciudadana en la ciencia. Sin embargo, todavía existen importantes retos que limitan la interacción de la ciudadanía con las creaciones científicas. Este artículo recoge algunas de las aportaciones de la red Net4Impact frente a estos retos. Concretamente, analizamos los procesos de cocreación desarrollados por proyectos que han demostrado impacto social. Este estudio cualitativo se basa en el análisis de Webinars, reuniones con investigadores de diferentes áreas científicas y en el Análisis de Contenido Comunicativo. Como resultado, este trabajo ofrece seis ejemplos de impacto social en tres áreas científicas: ciencias sociales, humanidades e ingeniería. Además, se analizan las características e implicaciones de los distintos procesos de cocreación desarrollados por estos proyectos exitosos

High Voltage 4H-SiC Power MOSFETs with Boron doped gate oxide

A new process technology for 4H-SiC planar power MOSFETs based on a Boron diffusion step to improve the SiO2/SiC interface quality is presented in this work. Large area (up to 25 mm2) power MOSFETs of three voltages ratings (1.7 kV, 3.3 kV and 4.5 kV) have been fabricated showing significant improvements in terms of inversion channel mobility and on-resistance in comparison with counterparts without Boron oxide treatment. Experimental results show a remarkable increase of the channel mobility, which raises the device current capability, especially at room temperature. When operating at high temperature, the impact of the high channel mobility due to Boron treatment on electrical forward characteristics is reduced as the drift layer resistance starts to dominate in the total on-state resistance. In addition, the 3rd quadrant characteristics approximate to those of an ideal PiN diode, and the device blocking capability is not compromised by the use of Boron for the gate oxide formation. The experimental performance in a simple DC/DC converter is also presented