9 research outputs found

    A review of advances in pixel detectors for experiments with high rate and radiation

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    The Large Hadron Collider (LHC) experiments ATLAS and CMS have established hybrid pixel detectors as the instrument of choice for particle tracking and vertexing in high rate and radiation environments, as they operate close to the LHC interaction points. With the High Luminosity-LHC upgrade now in sight, for which the tracking detectors will be completely replaced, new generations of pixel detectors are being devised. They have to address enormous challenges in terms of data throughput and radiation levels, ionizing and non-ionizing, that harm the sensing and readout parts of pixel detectors alike. Advances in microelectronics and microprocessing technologies now enable large scale detector designs with unprecedented performance in measurement precision (space and time), radiation hard sensors and readout chips, hybridization techniques, lightweight supports, and fully monolithic approaches to meet these challenges. This paper reviews the world-wide effort on these developments.Comment: 84 pages with 46 figures. Review article.For submission to Rep. Prog. Phy

    Interconnect Planning for Physical Design of 3D Integrated Circuits

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    Vertical stacking—based on modern manufacturing and integration technologies—of multiple 2D chips enables three-dimensional integrated circuits (3D ICs). This exploitation of the third dimension is generally accepted for aiming at higher packing densities, heterogeneous integration, shorter interconnects, reduced power consumption, increased data bandwidth, and realizing highly-parallel systems in one device. However, the commercial acceptance of 3D ICs is currently behind its expectations, mainly due to challenges regarding manufacturing and integration technologies as well as design automation. This work addresses three selected, practically relevant design challenges: (i) increasing the constrained reusability of proven, reliable 2D intellectual property blocks, (ii) planning different types of (comparatively large) through-silicon vias with focus on their impact on design quality, as well as (iii) structural planning of massively-parallel, 3D-IC-specific interconnect structures during 3D floorplanning. A key concept of this work is to account for interconnect structures and their properties during early design phases in order to support effective and high-quality 3D-IC-design flows. To tackle the above listed challenges, modular design-flow extensions and methodologies have been developed. Experimental investigations reveal the effectiveness and efficiency of the proposed techniques, and provide findings on 3D integration with particular focus on interconnect structures. We suggest consideration of these findings when formulating guidelines for successful 3D-IC design automation.:1 Introduction 1.1 The 3D Integration Approach for Electronic Circuits 1.2 Technologies for 3D Integrated Circuits 1.3 Design Approaches for 3D Integrated Circuits 2 State of the Art in Design Automation for 3D Integrated Circuits 2.1 Thermal Management 2.2 Partitioning and Floorplanning 2.3 Placement and Routing 2.4 Power and Clock Delivery 2.5 Design Challenges 3 Research Objectives 4 Planning Through-Silicon Via Islands for Block-Level Design Reuse 4.1 Problems for Design Reuse in 3D Integrated Circuits 4.2 Connecting Blocks Using Through-Silicon Via Islands 4.2.1 Problem Formulation and Methodology Overview 4.2.2 Net Clustering 4.2.3 Insertion of Through-Silicon Via Islands 4.2.4 Deadspace Insertion and Redistribution 4.3 Experimental Investigation 4.3.1 Wirelength Estimation 4.3.2 Configuration 4.3.3 Results and Discussion 4.4 Summary and Conclusions 5 Planning Through-Silicon Vias for Design Optimization 5.1 Deadspace Requirements for Optimized Planning of Through-Silicon Vias 5.2 Multiobjective Design Optimization of 3D Integrated Circuits 5.2.1 Methodology Overview and Configuration 5.2.2 Techniques for Deadspace Optimization 5.2.3 Design-Quality Analysis 5.2.4 Planning Different Types of Through-Silicon Vias 5.3 Experimental Investigation 5.3.1 Configuration 5.3.2 Results and Discussion 5.4 Summary and Conclusions 6 3D Floorplanning for Structural Planning of Massive Interconnects 6.1 Block Alignment for Interconnects Planning in 3D Integrated Circuits 6.2 Corner Block List Extended for Block Alignment 6.2.1 Alignment Encoding 6.2.2 Layout Generation: Block Placement and Alignment 6.3 3D Floorplanning Methodology 6.3.1 Optimization Criteria and Phases and Related Cost Models 6.3.2 Fast Thermal Analysis 6.3.3 Layout Operations 6.3.4 Adaptive Optimization Schedule 6.4 Experimental Investigation 6.4.1 Configuration 6.4.2 Results and Discussion 6.5 Summary and Conclusions 7 Research Summary, Conclusions, and Outlook Dissertation Theses Notation Glossary BibliographyDreidimensional integrierte Schaltkreise (3D-ICs) beruhen auf neuartigen Herstellungs- und Integrationstechnologien, wobei vor allem “klassische” 2D-ICs vertikal zu einem neuartigen 3D-System gestapelt werden. Dieser Ansatz zur Erschließung der dritten Dimension im Schaltkreisentwurf ist nach Expertenmeinung dazu geeignet, höhere Integrationsdichten zu erreichen, heterogene Integration zu realisieren, kürzere Verdrahtungswege zu ermöglichen, Leistungsaufnahmen zu reduzieren, Datenübertragungsraten zu erhöhen, sowie hoch-parallele Systeme in einer Baugruppe umzusetzen. Aufgrund von technologischen und entwurfsmethodischen Schwierigkeiten bleibt jedoch bisher die kommerzielle Anwendung von 3D-ICs deutlich hinter den Erwartungen zurück. In dieser Arbeit werden drei ausgewählte, praktisch relevante Problemstellungen der Entwurfsautomatisierung von 3D-ICs bearbeitet: (i) die Verbesserung der (eingeschränkten) Wiederverwendbarkeit von zuverlässigen 2D-Intellectual-Property-Blöcken, (ii) die komplexe Planung von verschiedenartigen, verhältnismäßig großen Through-Silicion Vias unter Beachtung ihres Einflusses auf die Entwurfsqualität, und (iii) die strukturelle Einbindung von massiv-parallelen, 3D-IC-spezifischen Verbindungsstrukturen während der Floorplanning-Phase. Das Ziel dieser Arbeit besteht darin, Verbindungsstrukturen mit deren wesentlichen Eigenschaften bereits in den frühen Phasen des Entwurfsprozesses zu berücksichtigen. Dies begünstigt einen qualitativ hochwertigen Entwurf von 3D-ICs. Die in dieser Arbeit vorgestellten modularen Entwurfsprozess-Erweiterungen bzw. -Methodiken dienen zur effizienten Lösung der oben genannten Problemstellungen. Experimentelle Untersuchungen bestätigen die Wirksamkeit sowie die Effektivität der erarbeiten Methoden. Darüber hinaus liefern sie praktische Erkenntnisse bezüglich der Anwendung von 3D-ICs und der Planung deren Verbindungsstrukturen. Diese Erkenntnisse sind zur Ableitung von Richtlinien für den erfolgreichen Entwurf von 3D-ICs dienlich.:1 Introduction 1.1 The 3D Integration Approach for Electronic Circuits 1.2 Technologies for 3D Integrated Circuits 1.3 Design Approaches for 3D Integrated Circuits 2 State of the Art in Design Automation for 3D Integrated Circuits 2.1 Thermal Management 2.2 Partitioning and Floorplanning 2.3 Placement and Routing 2.4 Power and Clock Delivery 2.5 Design Challenges 3 Research Objectives 4 Planning Through-Silicon Via Islands for Block-Level Design Reuse 4.1 Problems for Design Reuse in 3D Integrated Circuits 4.2 Connecting Blocks Using Through-Silicon Via Islands 4.2.1 Problem Formulation and Methodology Overview 4.2.2 Net Clustering 4.2.3 Insertion of Through-Silicon Via Islands 4.2.4 Deadspace Insertion and Redistribution 4.3 Experimental Investigation 4.3.1 Wirelength Estimation 4.3.2 Configuration 4.3.3 Results and Discussion 4.4 Summary and Conclusions 5 Planning Through-Silicon Vias for Design Optimization 5.1 Deadspace Requirements for Optimized Planning of Through-Silicon Vias 5.2 Multiobjective Design Optimization of 3D Integrated Circuits 5.2.1 Methodology Overview and Configuration 5.2.2 Techniques for Deadspace Optimization 5.2.3 Design-Quality Analysis 5.2.4 Planning Different Types of Through-Silicon Vias 5.3 Experimental Investigation 5.3.1 Configuration 5.3.2 Results and Discussion 5.4 Summary and Conclusions 6 3D Floorplanning for Structural Planning of Massive Interconnects 6.1 Block Alignment for Interconnects Planning in 3D Integrated Circuits 6.2 Corner Block List Extended for Block Alignment 6.2.1 Alignment Encoding 6.2.2 Layout Generation: Block Placement and Alignment 6.3 3D Floorplanning Methodology 6.3.1 Optimization Criteria and Phases and Related Cost Models 6.3.2 Fast Thermal Analysis 6.3.3 Layout Operations 6.3.4 Adaptive Optimization Schedule 6.4 Experimental Investigation 6.4.1 Configuration 6.4.2 Results and Discussion 6.5 Summary and Conclusions 7 Research Summary, Conclusions, and Outlook Dissertation Theses Notation Glossary Bibliograph

    Liquid cooled micro-scale gradient system for magnetic resonance

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    Schaltbare magnetische Feldgradientspulen sind ein geeignetes Werkzeug für die Modulation der Kernspinpräzession in der gepulsten Kernspinresonanzspektroskopie und Bildgebung. Die Magnetresonanztomographie von mikroskopischen Proben benötigt starke, schnell schaltbare Magnetfeldgradienten, um diffusionsbedingte Artefakte zu unterdrücken, Suszeptibilitätseffekte abzuschwächen und um die Messzeit zu verkürzen. Verschiedene Techniken können eingesetzt werden, um eine hohe Gradientenintensität zu erreichen, wie zum Beispiel die Erhöhung der Stromstärke oder die Steigerung der Windungsdichte der Feldspule. Ein weiterer, geeigneter technischer Ansatz besteht darin, die Gradientenspulen näher an der Probe zu platzieren. Als Konsequenz wird aber die durch die Joule-Erwärmung verursachte Wärmeentwicklung zu einem zentralen Problem. In dieser Arbeit wird ein neuartiges Design, ein Mikroherstellungsprozess und eine Kernspin-Evaluierung eines Feldgradientenchips präsentiert. Die Gradientenspulen wurden besonders hoch miniaturisiert und durch den Einsatz von verbesserten und neuartigen Strukturierungsverfahren entwickelt. Zuerst wird ein Fertigungsverfahren zur Herstellung einer kompakten Hochfrequenzspule vorgestellt. Durch den Einsatz einer maskenlosen Rückseitenlithographie konnte die Prozesskomplexität reduziert werden. Dieses Verfahren wurde durch Tintenstrahldruck mit Nanopartikeln realisiert, wobei die gedruckten Strukturen selbst als lithographische Maske für die Herstellung einer galvanischen Form dienen. Somit werden die Seitenwände der galvanischen Form durch die gedruckte Seed-Schicht optimal selbst ausgerichtet. Dies ermöglichte eine anisotrope Galvanisierung, um eine höhere elektrische Leitfähigkeit der gedruckten Leiterbahnen zu erzielen. Aus den Erkenntnissen der ausgearbeiteten Herstellungsprozesse wurde ein optimiertes Spulendesign für ein-axiale sowie drei-axiale linearen Gradientenchips entwickelt. Die einachsige lineare zz-Gradientenspule wurde mit der Stream-Function-Methode berechnet, wobei die Optimierung darauf abgestimmt wurde, eine minimale Verlustleistung zu erzielen. Die Gradientenspulen wurden auf zwei Doppellagen implementiert, die mittels Cu-Galvanik in Kombination mit fotodefinierbaren Trockenfilm-Laminaten aufgebracht wurden. Bei dem hier vorgestellten Herstellungsverfahren diente die erste Metallisierungschicht gleichzeitig dazu, Widerstands-Temperaturdetektoren zu integrieren. Um niederohmige Spulen zu realisieren wurde der Galvanisierungsprozess soweit angepasst, um eine hohe Schichtdicke zu erzielen. Die Chipstruktur beinhaltet ein aktives Kühlsystem, um dem Aufheizen der Spulen entgegenzuwirken. Thermographische Aufnahmen in Kombination mit den eingebetteten Temperatursensoren ermöglichen es, die Erhitzung der Spule zu analysieren, um die Strombelastbarkeit zu ermitteln. Die Gradientenspule wurde mit einer Hochfrequenz-Mikrospule in einer Flip-Chip-Konfiguration zusammengebaut, und mit diesem Aufbau wurde ein eindimensionales Kernspinexperiment durchgeführt. Es wurde eine Gradienteneffizienz von 3.15 Tm1A1T\,m^{−1}\,A^{−1} bei einer Profillänge von 1.2 mmmm erreicht

    Mu2e Technical Design Report

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    The Mu2e experiment at Fermilab will search for charged lepton flavor violation via the coherent conversion process mu- N --> e- N with a sensitivity approximately four orders of magnitude better than the current world's best limits for this process. The experiment's sensitivity offers discovery potential over a wide array of new physics models and probes mass scales well beyond the reach of the LHC. We describe herein the preliminary design of the proposed Mu2e experiment. This document was created in partial fulfillment of the requirements necessary to obtain DOE CD-2 approval.Comment: compressed file, 888 pages, 621 figures, 126 tables; full resolution available at http://mu2e.fnal.gov; corrected typo in background summary, Table 3.

    International linear collider reference design report

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