A three bit second order audio band delta sigma modulator with 98.2dB SQNR

A three bit second order delta sigma modulator for audio applications implemented in 130nm CMOS technology is presented. The modulator features two integrators, a flash quantizer and two current steering DACs. In order to minimize the effect of delays in the DACs, excessive loop delay (ELD) compensation is utilized. Using an oversampling ratio (OSR) of 80, the design consumes 2.8mW and achieves a simulated signal to quantization noise ratio (SQNR) of 98.2dB. The chip area is minimized by decreasing the number of digital to analog converters (DACs) by using the concept of partial integration. The compact design occupies an active core area of 630μm × 600μm

Contribution to time domain readout circuits design for multi-standard sensing system for low voltage supply and high-resolution applications

Mención Internacional en el título de doctorThis research activity has the purpose of open new possibilities in the design of capacitance-to-digital converters (CDCs) by developing a solution based on time domain conversion. This can be applied to applications related with the Internet-of-Things (IoT). These applications are present in any electronic devices where sensing is needed. To be able to reduce the area of the whole system with the required performance, micro-electromechanical systems (MEMS) sensors are used in these applications. We propose a new family of sensor readout electronics to be integrated with MEMS sensors. Within the time domain converters, Dual Slope (DS) topology is very interesting to explore a new compromise between performances, area and power consumption. DS topology has been extensively used in instrumentation. The simplicity and robustness of the blocks inside classical DS converters it is the main advantage. However, they are not efficient for applications where higher bandwidth is required. To extend the bandwidth, DS converters have been introduced into ΔΣ loops. This topology has been named as integrating converters. They increase the bandwidth compare to classical DS architecture but at the expense of higher complexity. In this work we propose the use of a new family of DS converters that keep the advantages of the classical architecture and introduce noise shaping. This way the bandwidth is increased without extra blocks. The Self-Compensated noise-shaped DS converter (the name given to the new topology) keeps the signal transfer function (STF) and the noise transfer function (NTF) of Integrating converters. However, we introduce a new arrangement in the core of the converter to do noise shaping without extra circuitry. This way the simplicity of the architecture is preserved. We propose to use the Self-Compensated DS converter as a CDC for MEMS sensors. This work makes a study of the best possible integration of the two blocks to keep the signal integrity considering the electromechanical behavior of the sensor. The purpose of this front-end is to be connected to any kind of capacitive MEMS sensor. However, to prove the concepts developed in this thesis the architecture has been connected to a pressure MEMS sensor. An experimental prototype was implemented in 130-nm CMOS process using the architecture mentioned before. A peak SNR of 103.9 dB (equivalent to 1Pa) has been achieved within a time measurement of 20 ms. The final prototype has a power consumption of 220 μW with an effective area of 0.317 mm2. The designed architecture shows good performance having competitive numbers against high resolution topologies in amplitude domain.Esta actividad de investigación tiene el propósito de explorar nuevas posibilidades en el diseño de convertidores de capacitancia a digital (CDC) mediante el desarrollo de una solución basada en la conversión en el dominio del tiempo. Estos convertidores se pueden utilizar en aplicaciones relacionadas con el mercado del Internet-de-las-cosas (IoT). Hoy en día, estas aplicaciones están presentes en cualquier dispositivo electrónico donde se necesite sensar una magnitud. Para poder reducir el área de todo el sistema con el rendimiento requerido, se utilizan sensores de sistemas micro-electromecánicos (MEMS) en estas aplicaciones. Proponemos una nueva familia de electrónica de acondicionamiento para integrar con sensores MEMS. Dentro de los convertidores de dominio de tiempo, la topología del doble-rampa (DS) es muy interesante para explorar un nuevo compromiso entre rendimiento, área y consumo de energía. La topología de DS se ha usado ampliamente en instrumentación. La simplicidad y la solidez de los bloques dentro de los convertidores DS clásicos es la principal ventaja. Sin embargo, no son eficientes para aplicaciones donde se requiere mayor ancho de banda. Para ampliar el ancho de banda, los convertidores DS se han introducido en bucles ΔΣ. Esta topología ha sido nombrada como Integrating converters. Esta topología aumenta el ancho de banda en comparación con la arquitectura clásica de DS, pero a expensas de una mayor complejidad. En este trabajo, proponemos el uso de una nueva familia de convertidores DS que mantienen las ventajas de la arquitectura clásica e introducen la configuración del ruido. De esta forma, el ancho de banda aumenta sin bloques adicionales. El convertidor Self-Compensated noise-shaped DS (el nombre dado a la nueva topología) mantiene la función de transferencia de señal (STF) y la función de transferencia de ruido (NTF) de los Integrating converters. Sin embargo, presentamos una nueva topología en el núcleo del convertidor para conformar el ruido sin circuitos adicionales. De esta manera, se preserva la simplicidad de la arquitectura. Proponemos utilizar el Self-Compensated noise-shaped DS como un CDC para sensores MEMS. Este trabajo hace un estudio de la mejor integración posible de los dos bloques para mantener la integridad de la señal considerando el comportamiento electromecánico del sensor. El propósito de este circuito de acondicionamiento es conectarse a cualquier tipo de sensor MEMS capacitivo. Sin embargo, para demostrar los conceptos desarrollados en esta tesis, la arquitectura se ha conectado a un sensor MEMS de presión. Se ha implementado dos prototipos experimentales en un proceso CMOS de 130-nm utilizando la arquitectura mencionada anteriormente. Se ha logrado una relación señal-ruido máxima de 103.9 dB (equivalente a 1 Pa) con un tiempo de medida de 20 ms. El prototipo final tiene un consumo de energía de 220 μW con un área efectiva de 0.317 mm2. La arquitectura diseñada muestra un buen rendimiento comparable con las arquitecturas en el dominio de la amplitud que muestran resoluciones equivalentes.Programa Oficial de Doctorado en Ingeniería Eléctrica, Electrónica y AutomáticaPresidente: Pieter Rombouts.- Secretario: Alberto Rodríguez Pérez.- Vocal: Dietmar Strãußnig