Пространственный анализ трансформации компонентной структуры малых и средних городов

Оценка состава, количества и людность поселений малых и средних городов Волгоградской области, образующих региональную систему расселения как целостное образовани

Исследование методом обратного рассеяния кристаллов арсенида галлия, имплантированных высокими интегральными потоками ионов фосфора

В работе сопоставляются новые результаты по исследованию профилей дефектов и атомов фосфора в GaAs, облученном ионами фосфора с различными: энергией, температурой, дозой, мощностью дозы и другими условиями. Обсуждаются особенности нарушений структуры, связанные не только с распределением смещенных атомов, но и с образованием фазы тройного соединения при внедрении Р+ в GaAs

Оптимизация глубинного разрешения в экспериментах с применением РОР/К

Обсуждаются возможности и эффективность оптимизации геометрии опытов, применения электростатических анализаторов в повышении глубинного разрешения при использовании резерфордовского обратного рассеяния ионов в сочетании с их каналированием. Показано, что в экспериментах с оптимизированной геометрией и применением ЭСА достижимы x=3...5 и 0,5...1 нм

Питання мовної ситуації та мовної політики у країні в оцінках і діяльності М. Рильського

М. Рильський приділяв велику увагу проблемам повнокровного функціонування української мови в різних сферах суспільного життя, починаючи від її використання та її викладання в школі. Повнота суспільного використання української мови не тільки в теперішній час, але й протягом кількох останніх століть, як відомо, перебуває в прямій залежності від стану українсько-російської двомовності на території України, коли національна мова корінного народу країни невпинно витіснялася з активного життя суспільства. Як письменник, науковець і громадський діяч, М. Рильський неодноразово звертався до цієї проблематики, ініціював обговорення різних аспектів українсько-російських мовних контактів та співіснування й конкуренції української і російської мов у житті українського соціуму – не тільки у зв’язку з питаннями двомовної лексикографії та перекладознавства, не тільки у зв’язку з питаннями культури української мови, а й у загальному розрізі історії української мови та в сучасних соціолінгвістичних аспектах

Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией

Представленные в работе результаты исследования дефектообразования в GaAs, имплантированном ионами с М1 от 27 до 65 и E от 60 до 110 кэВ, показывают, что, варьируя плотностью выделяемой в упругих процессах энергии ионов, можно управлять концентрацией остаточных нарушений в арсениде галлия

Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлия

Исследование кристаллов GaAs, имплантированных в широком температурном интервале ионами алюминия, позволили установить, при каких условиях имплантации в арсениде галлия формируются радиационные нарушения различных типов. При этом изучено пространственное распределение междоузельных атомов и их скоплений, дислокаций, дефектов упаковки в имплантированных кристаллах арсенида галлия при низких, комнатных и повышенных температурах. Выполненные исследования показали эффективность и возможности развития метода РОРКИ в условиях изменяемой начальной энергии анализирующих ионов

Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора

Исследована имплантация ионов фосфора в арсенид галлия. Обнаружены зависимости образования дефектов от температуры внедрения, плотности тока и величины интегрального потока ионов. При комнатной температуре внедрения величина проекции пробега превышает на 20–30% теоретически оцениваемую по теории ЛШШ проективный пробег. В области температур имплантации выше 150°С глубина залегания максимума на профилях радиационных нарушений может превышать проективный пробег (теоретический) в несколько раз. При больших интегральных потоках внедренных ионов на спектрах обратного рассеяния отмечаются «хвосты» дефектов до глубин в несколько сот нанометров. Основной причиной превышения глубины залегания радиационных дефектов в имплантированном ионами фосфора арсениде галлия считается ускоренная радиацией диффузия атомов фосфора и дефектов в процессе облучения, дополнительно стимулированная температурой при «горячем» легировании или разогревом самим потоком ионов при высоких плотностях ионного тока

Coalescence as asymptotic stage of internal oxidation process

Изучена асимптотическая стадия процесса внутреннего окисления – коалесценция в пластинах бинарных сплавов. Показано, что стадии коалесценции Лифшица-Слёзова предшествует достаточно длительная стадия замедленного роста частиц, которая обусловлена потоком легирующего элемента из пластины во внешнюю среду.The asymptotic stage of the process of internal oxidation – coalescence of binary alloys in the plates is explored. It is shown that the coalescence stage of Lifshitz-Slyozov theory is preceded by a long step of decreasing the particle growth rate, which is caused by the flow of the alloying element from the plate to the external environment

Воздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия

Сделаны выводы о влиянии анализирующего пучка ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия в зависимости от температуры среды. Даны рекомендации, которые следует учитывать при изучении кристаллов GaAs с применением метода обратного рассеяния