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    Effet d'une élévation de température sur les performances dans le domaine des rayons X d'un miroir interférentiel multicouche Mo/Si

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    Nous avons étudié l'effet d'une élévation de température sur les performances optiques dans le domaine X d'un miroir multicouche interférentiel Mo/Si. L'empilement multicouche réalisé par pulvérisation magnétron a été chauffé à différentes températures comprises entre la température ambiante et 500°C. Nous avons observé une diminution de la période, une substantielle réduction de la "réflectivité pic" accompagnées d'un élargissement de la bande passante ainsi qu'une modification structurale. Ces effets sont interprétés comme la conséquence de la formation d'une couche interfaciale cristallisée sous forme de MoSi2 hexagonal.We studied the effect of an increase of temperature on the optical performances, in the X-ray range, of an interferential multilayer mirror Mo/Si. The multilayer stack made by magnetron sputtering was annealed at different temperatures between the room temperature and 500°C. We observed a decrease of the period, a notable decrease of the "peak reflectivity" together with a broadening of the bandpass and a structural alteration. These effects are interpreted as the consequence of the formation of an interfacial layer cristallized in the form of hexagonal MoSi2

    Dépôt et calibration de multicouches pour l'optique XUV dans la gamme 10–30 nm

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    Nous présentons dans une première partie une étude de miroirs interférentiels multicouches composés de divers matériaux pour des longueurs d'onde de l'ordre de 30 nm. Les quatre systèmes étudiés, Mo/Si recouvert de Si ou de B4_4C, B4_4C/Si et Mo/B4_4C/Si/B4_4C, présentent des pouvoirs réflecteurs de l'ordre de 24% autour de 30 nm. Les multicouches B4_4C/Si et Mo/B4_4C/Si/B4_4C présentent une meilleure sélectivité que les multicouches Mo/Si. Sur ces dernières, la couche de protection en B4_4C ne permet pas d'améliorer la stabilité en température, par contre l'ajout de B4_4C aux interfaces améliore considérablement cette stabilité. Dans une seconde partie, nous présentons la réalisation et la calibration de lames séparatrices à 13,9 nm pour un interféromètre de Michelson. Les lames séparatrices que nous avons développées présentent des propriétés symétriques : les réflectivités de chaque face ne different que de 6%. Le produit réflectivité-transmission de ces lames peut être optimisé au-dessus de 2% pour une longueur d'onde fixée dans la gamme 12,6-15,5 nm

    Two-channel high-resolution quasi-monochromatic X-ray imager for Al and Ti plasma

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    International audienceHigh-resolution, high-sensitivity X-ray imaging is a real challenge in high-energy density plasma experiments. We present an improved design of the Fresnel ultra high-resolution imager instrument. Using an Ultra-High-Intensity (UHI) laser to generate hot and dense plasma in a small volume of an Al-Ti mixed target provides simultaneous imaging of both Al and Ti X-ray emission. Specifically, the Al Heβ (or Lyβ) and the Ti Heα lines are imaged with a resolution of (2.7 ± 0.3) μm and (5.5 ± 0.3) μm, respectively. It features two transmission Fresnel phase zone plates fabricated on the same substrate, each associated with a multilayer mirror for spectral selection. Their spatial resolution has been measured on the PTB synchrotron radiation facility laboratory at BESSY II and on the EQUINOX laser facility. Results obtained on an UHI experiment highlight the difference of emission zone sizes between Al and Ti lines and the versatility of this instrument
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