4 research outputs found
METHOD FOR HIGH AMBIENT TEMPERATURE CUMULATIVE DOSE MEASURING IN ALUMINA-BASED SOLID-STATE IONISING-RADIATION DETECTORS
FIELD: physics; measurement. SUBSTANCE: invention relates to method of measurement of cumulative dose or dose rate by means of solid-state detectors exposed to ionising radiation at high ambient temperatures. Method for measuring ionising radiation doze at high ambient temperature, including detector heat treatment at 900-950Β°C for 10-15 minutes and measurement of signal of optically stimulated luminescence excited at room temperature, implies additional exposure of heat-treated detector to 5-10 mGy fixed dose radiation at room temperature. Then optically stimulated luminescence signal is measured and its value is used to estimate high-temperature cumulative dose. EFFECT: improved reliability, accuracy and validity of measurements, longer service-life of detectors. 5 dwg.ΠΠ·ΠΎΠ±ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΠ½ΠΎΡΠΈΡΡΡ ΠΊ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ·Ρ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ Π΄ΠΎΠ·Ρ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠ΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ²Π΅ΡΠ΄ΠΎΡΠ΅Π»ΡΠ½ΡΠΌΠΈ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ°ΠΌΠΈ, ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠΌΠΈ ΠΏΡΠΈ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅ ΠΎΠΊΡΡΠΆΠ°ΡΡΠ΅ΠΉ ΡΡΠ΅Π΄Ρ. Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ± ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎΠ·Ρ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠ΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅ ΠΎΠΊΡΡΠΆΠ°ΡΡΠ΅ΠΉ ΡΡΠ΅Π΄Ρ, Π²ΠΊΠ»ΡΡΠ°ΡΡΠΈΠΉ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π±ΠΎΡΠΊΡ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ° ΠΏΡΠΈ 900-950Β°Π‘ Π² ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 10-15 ΠΌΠΈΠ½ΡΡ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»Π° ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ, Π²ΠΎΠ·Π±ΡΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°ΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅, Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΠ·ΡΠ΅ΡΡΡ ΡΠ΅ΠΌ, ΡΡΠΎ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠΉ ΠΏΡΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ°ΡΡ ΠΏΡΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°ΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅ ΡΠΈΠΊΡΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ·ΠΎΠΉ 5-10 ΠΌΠΡ ΠΎΡ ΠΈΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠ΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ ΡΠ΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΡΡΡ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π» ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡΠΈΠ½Π΅ ΡΡΠ΄ΡΡ ΠΎ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ·Π΅ ΠΏΡΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ΅. Π’Π΅Ρ
Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°Ρ - ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΏΡΠΎΠ΄Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ΅ΡΡΡΡΠ° Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ². 5 ΠΈΠ»
METHOD OF EXCITING DOSIMETRIC SIGNAL OF OPTICALLY STIMULATED LUMINESCENCE OF IONISING RADIATION DETECTORS BASED ON ALUMINIUM OXIDE
FIELD: physics. SUBSTANCE: invention can be used to increase reliability and accuracy of a method and measurements taken using said method. The method of exciting a dosimetric signal of optically stimulated luminescence of ionising radiation detectors based on aluminium oxide involves putting a detector into an opaque housing between a optical stimulation source made in form of a light-emitting diode and a dividing optical filter at a distance of 1-2 mm from their surfaces inside the said housing. Stimulation is carried out in 30-50 seconds using radiation from the light-emitting diode with a continuous spectrum in the 450-900 nm range. EFFECT: shorter reading time, high sensitivity, accuracy and reliability of measuring doses, and effective destruction of dosimetric traps in TLD-500K detectors before their use in thermoluminescent dosimetry which replaces thermal treatment of detectors. 8 dwg.ΠΠ·ΠΎΠ±ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΠ½ΠΎΡΠΈΡΡΡ ΠΊ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π°ΠΌ Π²ΠΎΠ·Π±ΡΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»Π° Π² ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΠΌΠ΅ΡΡΠΈΠΈ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠΈΡ
ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ Π±ΡΡΡ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ Π΄Π»Ρ ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΏΡΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡΡ
Ρ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡΡΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ± Π²ΠΎΠ·Π±ΡΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»Π° ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ² ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠΈΡ
ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΎΠΊΡΠΈΠ΄Π° Π°Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ, Π²ΠΊΠ»ΡΡΠ°ΡΡΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ° Π² ΡΠ²Π΅ΡΠΎΠ½Π΅ΠΏΡΠΎΠ½ΠΈΡΠ°Π΅ΠΌΡΠΉ ΠΊΠΎΡΠΏΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρ ΡΠ°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΡΠΌ Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΈΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΡΡΠΈΠΈ, Π²ΡΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΡΠΌ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΡΠ²Π΅ΡΠΎΠΈΠ·Π»ΡΡΠ°ΡΡΠ΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΈ ΡΠ°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΡΠΌ ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌ ΡΠΈΠ»ΡΡΡΠΎΠΌ Π½Π° ΡΠ°ΡΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΈ 1-2 ΠΌΠΌ ΠΎΡ ΠΈΡ
ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠ΅ΠΉ, ΠΏΡΠΈ ΡΡΠΎΠΌ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΡΡΠΈΡ ΠΎΡΡΡΠ΅ΡΡΠ²Π»ΡΡΡ Π² ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ 30-50 Ρ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠ²Π΅ΡΠΎΠΈΠ·Π»ΡΡΠ°ΡΡΠ΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Ρ Π½Π΅ΠΏΡΠ΅ΡΡΠ²Π½ΡΠΌ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΠΌ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 450-900 Π½ΠΌ. Π’Π΅Ρ
Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°Ρ - ΡΠΎΠΊΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΡΠ΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΡΡΠΈΡΡΠ²Π°Π½ΠΈΡ, ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΠ²ΡΡΠ²ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ, Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΎΠ·, Π° ΡΠ°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΡΡΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡΡΡΠΎΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
Π»ΠΎΠ²ΡΡΠ΅ΠΊ Π² Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ°Ρ
Π’ΠΠ-500Π ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄ ΠΈΡ
ΠΏΡΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Π’ΠΠ Π΄ΠΎΠ·ΠΈΠΌΠ΅ΡΡΠΈΠΈ, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡΡΠ΅Π΅ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π±ΠΎΡΠΊΡ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ². 8 ΠΈΠ»
METHOD OF OBTAINING LONG PHOSPHOR PERSISTENCE OF OPTICAL EMITTERS
SUBSTANCE: optical emitter phosphor based on a nanostructure ceramic based on Beβ(Si0.8Ge0.2)Oβ is exposed to radiation in the X-ray energy range or to electrons with energy of 10-300 keV and dose of 10-10Β³ Gy, after which exposure is stopped. In order to regenerate luminescence intensity which drops with time to the required level, material of the phosphor is repeatedly exposed to ionising radiation and short-term optical stimulation is used to excite flashes of afterglow intensity. EFFECT: broader functional capabilities of controlling photodetector devices, high level of radiation and environmental protection.ΠΠ·ΠΎΠ±ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΠ½ΠΎΡΠΈΡΡΡ ΠΊ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠ½ΡΡ
ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ°ΡΠ΅Π»Π΅ΠΉ ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠΎΡΠΎΠ½ΠΎΠ² Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΈΠ½ΡΡΠ°ΠΊΡΠ°ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½ Π²ΠΎΠ»Π½, ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
Π½Π° Π΄Π»ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ΡΠ²Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΎΡΠΎΡΠΎΠ², ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΡΠ΅ΠΊΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡ
Π²ΠΎΠ·Π±ΡΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠΈΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π‘ΡΡΡ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡΡΠ°Π΅ΡΡΡ Π² ΡΠΎΠΌ, ΡΡΠΎ Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΎΡΠΎΡ ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ°ΡΠ΅Π»Ρ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΠΊΠΈ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Beβ(Si0,8Ge0,2)Oβ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ°ΡΡ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠ΅Π½ΡΠ³Π΅Π½ΠΎΠ²ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΡΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ Ρ ΡΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ 10-300 ΠΡΠ ΠΈ Π΄ΠΎΠ·ΠΎΠΉ 10-10Β³ ΠΡ, ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ ΡΠ΅Π³ΠΎ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡΠ΅ΡΡΠ²Π°ΡΡ, Π° Π΄Π»Ρ ΡΠ΅Π³Π΅Π½Π΅ΡΠ°ΡΠΈΠΈ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡΡΠ΅ΠΉΡΡ ΡΠΎ Π²ΡΠ΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΈΠ½ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡΠΈ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ Π΄ΠΎ ΡΡΠ΅Π±ΡΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΡΡΠΎΠ²Π½Ρ ΠΈΠ½ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡΠΈ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅ΡΠ΅ΡΡΠ²Π° Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΎΡΠΎΡΠ° ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠΈΠΌ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ²ΡΠΎΡΡΡΡ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡΠ°ΡΠ½ΠΎ, Π° Π΄Π»Ρ Π²ΠΎΠ·Π±ΡΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΡΠΏΡΡΠ΅ΠΊ ΠΈΠ½ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ΡΠ²Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΡΡΡ ΠΊΡΠ°ΡΠΊΠΎΠ²ΡΠ΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡΡ ΠΎΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΡΡ ΡΡΠΈΠΌΡΠ»ΡΡΠΈΡ. Π’Π΅Ρ
Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°Ρ - ΡΠ°ΡΡΠΈΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡΠ½ΡΡ
Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡΠ΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΡΡΠΎΠ»Ρ ΡΠΎΡΠΎΠΏΡΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΡΡ
ΡΡΡΡΠΎΠΉΡΡΠ², ΠΏΠΎΠ²ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΠΎΠ²Π½Ρ ΡΠ°Π΄ΠΈΠ°ΡΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠΉ Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ
METHOD TO DETERMINE ELECTRON FLOW DENSITY DISTRIBUTION OVER FLOW SECTION
SUBSTANCE: proposed method comprises arranging long-persistence phosphor-target on flow path, irradiating said target by electron flow, producing on target surface of luminescent image of electron flow section and determining electron flow distribution over said section. Note here that said long-persistence phosphor-target represents nano-structure Beβ(Si0,8Ge0,2)Oβ-based ceramics, while said distribution is determined quantitatively from said luminescent image of electron flow section converted from analog form into digital form. EFFECT: expanded performances, development and control of accelerating hardware and high-precision electronics.ΠΠ·ΠΎΠ±ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡΠ½ΠΎΡΠΈΡΡΡ ΠΊ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π°ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΎΠ² Π½Π°ΠΏΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ, Π²ΠΊΠ»ΡΡΠ°Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ°ΠΊΠΈΡ
Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠΎΠ² Π·Π°ΡΡΠΆΠ΅Π½Π½ΡΡ
ΡΠ°ΡΡΠΈΡ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡ
ΠΏΡΠΎΡΡΡΠ°Π½ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΈ Π΄ΠΎΠ·Π°ΠΌ Ρ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡΡΡ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠ½ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ² ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡΡΡΡΠΈΡ
ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π’Π΅Ρ
Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°Ρ - ΡΠ°ΡΡΠΈΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡΠ΅ΠΉ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ, ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΡ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡΠΎΠ»Ρ ΡΡΠΊΠΎΡΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ΅Ρ
Π½ΠΈΠΊΠΈ, ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΡΠΈΠ»ΡΠ½ΠΎΡΠΎΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½ΠΈΠΊΠΈ. Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ± ΠΎΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ° ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡΡΠ΅ΠΌ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° ΠΏΡΡΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ° Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΎΡΠΎΡΠ°-ΠΌΠΈΡΠ΅Π½ΠΈ Ρ Π΄Π»ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΡΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅ΡΠ²Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡΡΠ°Π΅Ρ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π΅ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΡΠΌ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠΈ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΎΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ Π½Π΅ΠΌΡ ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ° ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΏΡΠΈ ΡΡΠΎΠΌ Π² ΠΊΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ²Π΅ ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»Π° Π»ΡΠΌΠΈΠ½ΠΎΡΠΎΡΠ°-ΠΌΠΈΡΠ΅Π½ΠΈ Π²ΡΠ±ΠΈΡΠ°ΡΡ Π½Π°Π½ΠΎΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΡ ΠΊΠ΅ΡΠ°ΠΌΠΈΠΊΡ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Beβ(Si0,8Ge0,2)Oβ, a ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ° ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»ΡΡΡ ΠΊΠΎΠ»ΠΈΡΠ΅ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎ Π»ΡΠΌΠΈΠ½Π΅ΡΡΠ΅Π½ΡΠ½ΠΎΠΌΡ ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡΠ΅ΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡ ΠΈΠ· Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΡΠΎΡΠΌΡ Π² ΡΠΈΡΡΠΎΠ²ΡΡ