Sister Mary Regina Donovan, S.S.J. (Nora Donovan)

Thin silicon dioxide layers (40-100 A) can be successfully produced by anodization of silicon in pure water. The resulting layers are very homogeneous and pinhole free. The monitoring of the SiO2 thickness is accurately achieved by simple coulometry. The electrical properties of the oxide layers and the associated Si/SiO2 interface have been investigated by forming metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors using the anodically grown oxide as the dielectric and aluminium or chromium as the metal. This investigation shows a low charge density at the Si/SiO2 interface (≤ 10 11 charges. cm-2) and an interface states density comparable to that obtained with thermally grown SiO2 (1011 cm -2eV-1). The dielectric breakdown occurs at high fields (11 to 14 MW . cm-1). These results show that there is no pollution during the electrolysis. Furthermore, the metal to oxide barrier heights remained high (2.5 to 2.8 eV) even for thin (44 A) SiO2 layers

Cinétique de croissance et propriétés électriques des couches de silice obtenues sous irradiation infrarouge

La cinétique de croissance ainsi que les propriétés électriques des couches de silice obtenues sous illumination IR ont été étudiées. Il apparaît que la vitesse de croissance est identique à celle d'une couche obtenue par oxydation thermique dans la gamme de température 950-1 050 °C. De plus, leurs propriétés électriques se comparent favorablement à celles de leurs homologues thermiques

Conduction and charge storage in Cr-thin SiO2-pSi structures

It is shown that Cr-SiO2-pSi devices with an SiO2 layer obtained by thermal oxidation in HCl/O2/N2 mixture have uniform and reproducible electrical properties at low injection level. Furthermore the breakdown phenomenon observed at high injection level has been associated with a positive charge storage within the insulator

Homogénéité d'épaisseur et propriétés électriques des couches minces de silice obtenues dans un mélange N2/O2/HCl

L'homogénéité de l'épaisseur et les propriétés électriques de couches de silice obtenues sous pression partielle dans un mélange O2/HCl/N2 sont examinées. La présence de HCl accroît l'homogénéité des caractéristiques électriques

CONTRIBUTION A L'ELABORATION DE NOUVELLES APPROCHES POUR LA FIABILISATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES SEMI-CONDUCTEURS

TOULOUSE-INSA (315552106) / SudocSudocFranceF

Nouvelle méthode de test en rétention de données de mémoires non volatiles

La présence de mémoires non volatiles dans les circuits Smartpower a rendu indispensable le test systématique de la rétention de données sur 100% des composants. L application des tests classiques sur de forts volumes a pour inconvénient d allonger la durée de test. Ce travail présente un nouveau test de rétention de données de mémoires non volatiles. Dans une première partie, nous avons dressé l état de l art des défauts intrinsèques et extrinsèques de ces mémoires ainsi que de leurs tests de fiabilité. Puis nous avons étudié sur un lot d ingénierie la rétention de données de la mémoire par les voies classiques du vieillissement thermique pour des températures allant de l ambiante à 300C sur une période de 7000h. Cette étude nous a permis de discriminer les cellules pour valider un nouveau test en rétention de données, dont la durée est considérablement raccourcie par rapport au test thermique. Ce test se comptera en seconde après optimisation et pourra être implanté en production.The introduction of non volatile memory in Smartpower circuits has made necessary systematic 100% die data retention test. Usual tests operated on high production volume increase drastically test time. In this work, we propose a new data retention test on non volatile memory. In a first part, we present a state of the art relative to intrinsic and extrinsic NVM defects and to reliability tests. In a second part, we studied thermal NVM data retention behaviour on engineering lot ranging from ambient temperature to 300C during 7000h. This study allows cell discrimination to validate a new data retention test which time is strongly reduced compare to the thermal one: after optimisation phases, test time will be about few seconds and then will be implemented in production flow.TOULOUSE-ENSEEIHT (315552331) / SudocSudocFranceF

Application des dispositifs MISS aux inverseurs à haute capacité de charge

Il est montré que les propriétés des dispositifs MISS peuvent être exploitées pour la réalisation d'inverseurs rapides pouvant conduire de très fortes charges capacitives

The effect of gamma sterilization on pH-ISFETs behaviour for single-use bioreactors

International audienceOne of the key requirements biomedical and pharmaceutical sensors have to satisfy is their ability to withstand sterilization cycle. In this paper, the influence of gamma sterilization on the electrical and electrochemical characterizations of pH-ISFET sensors is examined before and after gamma irradiation. The ion-sensitive field effect transistor (ISFET) was intended for use in single-use bioreactor. It is shown that pH-ISFET is suitable for use in vitro analysis and more precisely for bioreactors

Electrical properties of MOS radiation dosimeters

MOS transistors are used for radiation dosimetry. The sensitivity obtained is ranging between 20 mV/ Gray (SiO2) and 1,5 V/Gray (SiO 2). Good linearity and stability of the transistor response is obtained

The characterisation of metal-thin insulator-n-p+ silicon switching devices

Experiments are reported on the switching characteristics of MISS devices incorporating a thin (< 50 Å) oxide layer, including the influence of a modulating base current, the effect of temperature and the dynamic performance. A quantitative analysis of a regenerative model of switching is briefly described and shown to give a good account of the experimental results