Evaluación de técnicas de control modulares en un convertidor elevador síncrono con rendimiento elevado a baja carga con el uso de MOSFET de SiC

XXIV Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2017 (SAAEI'17), Valencia (España)Este artículo se centra en convertidores bidireccionales de alta tensión para ser utilizados como interfaz entre baterías y celdas de un convertidor modular multinivel (MMC), para poder dotar de almacenamiento distribuido a un transformador de estado sólido (SST). Dichos convertidores han de tener un rendimiento elevado a media y baja carga, así como un rizado de corriente reducido, debido a los procesos de carga y descarga de la batería. En este trabajo se analiza el uso de MOSFET de SiC como solución para cumplir con los dos requisitos anteriores. En primer lugar, la implementación de un control de frecuencia variable que permita mantener el rendimiento a baja carga. Y en segundo lugar, el uso de un convertidor modular y de distintas técnicas de control para reducir el rizado de corriente. En este trabajo se resumen distintos resultados experimentales del uso de MOSFET de SiC con el control de frecuencia variable, así como una comparativa de las técnicas de control. Estos resultados se han obtenido mediante un convertidor modular con entrada en paralelo y salida en paralelo (IPOP) basado en tres módulos (3kW por módulo) de un elevador síncrono, para una conversión de 400V a 800V y 9kW de potencia máxim

Modelling the performance of a SiC-based synchronous boost converter using different conduction modes

IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) (33th, 2018, San Antonio, Texas

High-accuracy modelling of ZVS energy loss in advanced power transistors

IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) (33th, 2018, San Antonio, Texas

Optimización de equilibradores de celdas de baterías basados en trampas de onda

XXIII Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2015 (SAAEI’16), Elche (España)Los equilibradores activos presentan un mejor rendimiento respecto a los pasivos a cambio de un número de componentes más elevado. La aplicación del concepto de trampa de onda permite al equilibrador emplear la frecuencia como la variable de control que define la celda que debe ser cargada por el equilibrador en cada momento. Como consecuencia, el número de interruptores controlados se reduce drásticamente sin pérdida de prestaciones. En este artículo se plantea una guía de diseño optimizada para un equilibrador basado en trampas de onda. La optimización se logra definiendo la relación entre la energía inyectada por la trampa en la celda y la energía resonante presente en la misma. Este diseño optimizado se ha empleado en la implementación de un equilibrador de cuatro trampas basado en el medio puente asimétric

Auxiliary power supply based on a modular ISOP Flyback configuration with very high input voltage

This paper proposes a Flyback-based Input-Series Output-Parallel (ISOP) Auxiliary Power Supply (APS), intended to feed the control system of the cells of a Solid-State Transformer (SST). The SST topology is based on a modular Multiport Multilevel Converter (MMC). Energization of the cells auxiliary circuitry is not trivial due to the high voltages involved (tens of kV for the electric power distribution system), most of the commercially available control and driving circuitry not being usable due to the isolation requirements. It is possible to energize the control circuitry from an APS, connected to the cell capacitor voltage. However, in the SST under consideration, cells target DC voltage is in the range of 1.5kV to 2.5kV. Design of an APS capable of feeding the auxiliary circuitry from such high voltage and the required isolation is not trivial. A modular APS using autonomous Flyback converters in Continuous Conduction Mode (CCM) and based on commercial AC adapters is proposed in this paper. The solution is scalable and therefore applicable to cells with larger DC voltage

Small signal model of Triangular Current Mode (TCM) operation for Bidirectional Source/Sink Buck and Boost Power Converters

This paper presents a small signal model for bidirectional source/sink buck and boost power converters operating in Triangular Current Mode (TCM) and controlled with a variable-width Hysteretic Current Mode Control (HCMC). The well-known current injected equivalent circuit approach (CIECA) has been applied to derive the canonical circuit. For the sake of simplicity, the resonant intervals during the dead-times have been obtained using a linear approximation. The theoretical small signal model has been validated using two different source/sink power converters: an 80 W synchronous buck converter from 48 V to 24 V and a 100 W synchronous boost converter from 24 V to 48 V. The transfer functions of this power converter have been measured using a Venable Frequency Response Analyzer (FRA6340) and compared to the theoretical one

Different Modular Techniques Applied in a Synchronous Boost Converter with SiC MOSFETs to Obtain High Efficiency at Light Load and Low Current Ripple

This paper is focused on a high-voltage (400 to 800 V) bidirectional converter, which is intended to be used for the interconnection of battery-based energy-storage systems with the cells of a modular multilevel converter, providing distributed energy-storage capability to a solid-state transformer. This converter must have a high efficiency at medium and light load and also a low current ripple due to the charging and discharging processes. This work takes advantage of the use of SiC MOSFETs into a synchronous boost converter to accomplish the previous requirements. First, the adoption of a variable-switching frequency control to keep the efficiency high is analyzed, and second, the use of a modular converter with different control techniques to provide a current ripple reduction is also addressed in this study. An input-parallel-output-parallel synchronous boost converter, made up with three modules (3 kW per module), is used to validate experimentally the advantages of the use of SiC MOSFETs and to compare different control technique