I V characteristic of Si thin film solar cells within a monolithically series interconnected SOI module measurement and simulation

I V Charactieristic of Si Thin Film Solar Cells within a Monolithically Series Interconnected SOI Module Measurement and Simulatio

Contacting diffusion with FIB for backside circuit edit procedures and material analysis

Contacting Diffusion with FIB for Backside Circuit Edit Procedures and Material Analysi

2D simulations of the grain boundary light beam induced current GB LBIC technique on polycrystalline silicon thin films

Grain boundaries GBs in semiconductors such as polycrystalline silicon are known to be detrimental for electronic devices, and in particular for solar cells. However, conduction channels observed at GBs might also be beneficial for novel devices. Techniques based on beam induced local excitation of charge carriers like Electron and Light Beam Induced Current EBIC and LBIC, respectively , allow to visualize the local influence of GBs and to gain access to the local properties of opto electronic devices. However, in order to extract quantitative parameters, suitable modeling is required to translate the E LBIC current contrast into material and GB parameters like recombination rate or defect density. We present a 2D simulation study, using the Sentaurus TCAD environment, of the specific GB LBIC technique applied to polycrystalline silicon poly Si material. The experimental requirements for contacts and illumination are investigated in order to evaluate the local information accessible with this metho

Automatisierte Korrektur von Umformwerkzeugen

Bei der Herstellung von Umformwerkzeugen kommt der Feinbearbeitung, als letztem Glied vor dem Try-Out, eine besondere Bedeutung zu. Sie dient dazu die Bearbeitungsspuren aus den vorhergehenden Prozessen zu entfernen und die geforderte Oberflächenqualität zu erzeugen. Die Bearbeitung erfolgt überwiegend manuell und nimmt einen großen Anteil der gesamten Fertigungszeit in Anspruch. Die Qualität des fertigen Umformwerkzeugs ist dabei in hohem Maße von den Fähigkeiten des Facharbeiters abhängig. Eine Reduzierung der manuellen Arbeiten stellt eine Möglichkeit dar, den Herstellungsprozess von Umformwerkzeugen deutlich effizienter zu gestalten. Da das notwendige Prozesswissen nur in geringem Umfang dokumentiert ist, müssen zur Automatisierung des Abziehens zunächst die manuellen Konzepte hinsichtlich der Werkzeugauswahl, Bearbeitungsstrategien, der Geometriekomplexität der Umformwerkzeuge sowie bekannte Fehlerprofile der Fräs- und Feinbearbeitung erfasst und analysiert werden. Darauf basierend konnten geeignete Werkzeugsysteme und die Schleiftechnologie unter Berücksichtigung eines eigenen CAx-Frameworks entwickelt werden. Durch die Kombination der entwickelten Lösungen zu einem roboterbasierten Maschinensystem konnten die Bearbeitungszeiten des bisher manuellen Abziehens signifikant reduziert und eine höhere Reproduzierbarkeit der Bearbeitungsergebnisse realisiert werden

Durch statisches elektrisches Feld unterstuetzte Diffusion mittels thermischen Impulses Schlussbericht

The results of this project are a contribution to the investigation of the low temperature diffusion of boron and phosphorus in silicon monocrystals. The results revealed that SOG-(Spin-on-Glass) layers doped with phosphorus already form a doping source at a temperature of 400 C. Their contacts with Si-substrates can already lead to the formation of significant P-doping layers in Si-crystals. Concentrations of doping substances near the crystal surface in an order of 10-20cm"-"3 are possible and can be achieved together with penetration depths in the sub-#mu#m range. The doping effect of boron is considerably smaller and the doping itself is inhomogeneous. The reason for the quick penetration of the phosphorus into the Si-monocrystal at these low temperatures and within a few minutes can be explained by lattice defects occurring during the SOG-layer coating process (elastic tensions, interfacial reactions). It was found that the phosphorus and boron doping of Si-crystals made of doped SOG-source layers can be influenced by continuous fields. (orig./MM)Die Untersuchungsergebnisse des vorliegenden Projekts sind ein experimenteller Beitrag zur Niedertemperatur-Diffusion von Bor und Phosphor in Silizium-Einkristallen. Es hat sich gezeigt, dass mit Phosphor dotierte SOG-(Spin-on-Glas)Schichten schon bei einer Temperature von 400 C eine Dotantenquelle bilden, deren Kontakt mit Si-Substraten bereits in diesem Temperaturbereich zur Ausbildung markanter P-Dotierschichten in Si-Kristallen fuehren kann. Dotierstoffkonzentrationen nahe der Kristalloberflaeche in der Groessenordnung 10"2"0 cm"-"3 sind moeglich und in Einheit mit Eindringtiefen in Sub-#mu#m-Bereich realisierbar. Fuer Bor ist ein Dotiereffekt unter gleichen Bedingungen wesentlich geringer ausgepraegt und die Dotierung inhomogen. Das rasche Eindringen des Phosphors in den Si-Einkristall bei diesen niedrigen Temperaturen und innerhalb weniger Minuten kann als an Strukturbaufehler gekoppelt verstanden werden, wobei letztere in Verbindung mit dem SOG-Schichtauftragsprozess (elastische Spannungen, Grenzflaechenreaktionen) generiert werden. Es wird gefunden, dass die Phosphor- und Bordotierung von Si-Kristallen aus dotierten SOG-Quellenschichten durch aeussere elektrische Gleichfelder beeinflusst werden kann. (orig./MM)Available from TIB Hannover: F95B1011 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLESenatsverwaltung fuer Wirtschaft und Technologie, Berlin (Germany)DEGerman

Verschleißreduktion von Tiefziehwerkzeugen durch Geometrie- und Aktivflächenoptimierung

Um Karosserien leichter und effektiver zu gestalten ist der Einsatz von Leichtbauwerkstoffen, wie Aluminiumlegierungen und hochfesten Stählen, notwendig. So kann die Blechdicke reduziert und Gewicht eingespart werden. Jedoch führen höherfeste Stähle und die Adhäsionsneigung von Aluminium zu einem signifikanten Anstieg der Anforderungen an den Werkzeugwerkstoff. Um hohe Werkzeugstandzeiten und somit eine hohe Ressourceneffizienz hinsichtlich des eingesetzten Werkstoffs und der Rüstzeiten im Presswerk zu gewährleisten ist eine lokale Optimierung der hochverschleißbehafteten Oberflächen zielführend. Daher wurde im Rahmen dieses Teilprojekts zunächst ein FEM/BEM-Tool für eine zeiteffiziente und genaue Berechnung der auftretenden Belastungen der komplexen Tiefziehwerkzeuggeometrie entwickelt. Parallel zur Geometrieoptimierung des Werkzeugs wurde eine Laseroberflächenbehandlung zum erweiterten Verschleißschutz erforscht. Durch Kombination der Technologien ist eine höchstverschleißfeste Oberfläche erzielbar die zu gesteigerten Werkzeugstandzeiten als auch zu verbesserten Reproduzierbarkeiten in der Fertigung führt