ELECTRICAL PROPERTIES AND MICROSTRUCTURE OF INTERNAL INTERFACES IN Al DOPED POLYSILICON

Les propriétés électriques du silicium polycristallin varient fortement avec la concentration en aluminium (NAl). En effet, cet élément peut jouer le rôle non seulement d'accepteur ou de centre de recombinaison intra-granulaire mais encore de passivant électrique aux joints de grains suivant le site qu'il occupe ou son environnement chimique. L'influence de l'oxygène sur le phénomène de précipitation aux interfaces internes et aux dislocations est analysée. Par ailleurs, la cartographie LBIC permet de caractériser l'activité électrique des joints de grains et en particulier des macles en relation avec le mécanisme de coségrégation.In polysilicon, electrical properties are strongly influenced by Al concentration (NAl). Al acts as an acceptor or as a recombinating agent within grains and it can electrically passivate grain boundaries, according to its site occupation or to its chemical environment. The influence of oxygen on the Al precipitation at internal interfaces and dislocations was analysed. The LBIC technique was applied in the mapping mode to characterize the electrical activity of grain boundaries and specifically of twin boundaries in relationship with co-segregation mechanism

DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU

La diffusion atomique de l'aluminium dans le silicium monocristallin et polycristallin à petits grains (diamètre voisin de 10 µm) a été étudiée dans le domaine de température 1100-1400°C. Les échantillons subissent une implantation d'aluminium, un recuit laser semi-continu en phase solide, puis une analyse au microanalyseur ionique. Utilisant un modèle thermique dérivé de celui de GOLD et GIBBONS, on retrouve pour les monocristaux entre 1400°C et 1200°C le coefficient de diffusion Dv généralement admis, d'énergie d'activation 3,4 eV ; dans les polycristaux apparaît au-dessous de 1300°C une diffusion intergranulaire Dj, d'énergie d'activation beaucoup plus faible.The atomic diffusion of aluminum in single crystal or fine-grain polycristalline Si has been studied in the temperature range 1100-1400°C. The samples are Al-implanted, then annealed (in solid phase) by semi-continuous laser annealing and finally analysed using an ion-analyser. Using a thermal model derived from that of GOLD and GIBBONS, we find for single crystals, in the range 1200°C-1400°C, the generally admitted diffusion coefficient Dv, with an activation energy 3.4 eV ; in polycrystals below 1300°C appears the contribution of intergranular diffusion Dj, with a much lower activation energy

Diagramme de phase de l'orthoferrite de terbium en présence d'un champ magnétique

The low temperature magnetic properties of TbFeO3 have been studied as a function of an applied field along the x and y crystallographic directions. Differential susceptibility measurements along the x axis performed at various temperatures lead to experimental phase diagrams of two types of samples which are distinguished by the presence or absence of an intermediate ferromagnetic phase before the final antiferromagnetic ordering around 3 K. A theoretical treatment taking into account a possible gradual rotation of the Fe system in the xOz plane, has been developped and gives a quantitative interpretation of the experimental results when previously determined values of the Fe-Tb and Tb-Tb interactions are used. The magnetization measurements along the y direction at 1.1 K show two transitions occurring for quite different values of the applied field. A qualitative explanation of this behaviour can be given when one introduces an intermediate cooperative structure F x Fy associated with a rotation of the Fe system from Gx Fz to Gz Fx.Les propriétés magnétiques de TbFeO3 à basse température sont étudiées en fonction d'un champ appliqué suivant les directions cristallographiques x et y. Les mesures de susceptibilité différentielle effectuées suivant x en fonction de la température permettent de construire le diagramme de phase des deux types d'échantillons qui se distinguent par l'existence ou non d'une phase intermédiaire ferromagnétique avant l'apparition de l'ordre antiferromagnétique vers 3 K. Un traitement théorique tenant compte de la possibilité d'une rotation progressive du système des Fe dans le plan xOz, a été développé et a permis d'interpréter quantitativement les résultats expérimentaux en utilisant les valeurs des paramètres d'échange Fe-Tb et Tb-Tb déterminées par ailleurs. Les mesures d'aimantation suivant la direction y montrent deux transitions successives à 1,1 K pour des valeurs du champ très différentes. Une explication qualitative de l'existence de cette double transition peut être donnée en introduisant une structure coopérative intermédiaire de type Fx Fy associée à une rotation du système des Fe de Gx Fz à G z Fx

Matrix-distributed ECR-PECVD for high-rate deposition of silica for applications in integrated optics

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Growth Kinetics and Mechanisms of Aluminum Dots Promoted by Laser-Induced Decomposition of TMAA

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Correlation of side-lobe suppression between rugate filters and multilayer mirrors

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Laser Direct Writing of Gold Tracks from Decomposition of Organometallic Screen Ink

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