Measuring temperature in GaN HEMTs: an approach based on Raman spectroscopy

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Measuring temperature in GaN HEMTs: an approach based on Raman spectroscopy

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Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température

La filière GaN connaît actuellement un essor remarquable. En effet, les structures de transistors à effet de champ à base de GaN offrent un énorme potentiel pour des applications de puissance et/ou à haute température. Cette étude avait pour objectif de réaliser des transistors à effet de champ de type HEMT AlGaN/GaN épitaxié sur un substrat de saphir. Nous rapportons dans ce mémoire les différentes étapes technologiques que nous avons développés. Ainsi, nous avons étudié divers procédés technologiques permettant de réaliser des contacts ohmiques, d'isoler les composants les uns des autres (isolation par implantation ionique, par gravure sèche et par gravure humide) et de réaliser des contacts Schottky. Nous avons montré que ces transistors peuvent fonctionner en régime statique, à l'air, jusqu'à 550 C. Nous avons également mis en évidence que la présence de pièges électriques pouvait être responsable d'une réduction du courant de drain et par conséquent limiter les performances en puissance de ces transistors en hyperfréquence. Afin de limiter ce problème, nous avons étudié l'influence de la passivation précédée de divers traitements de surface. Cela nous a permis de réaliser des transistors HEMT délivrant une densité de puissance de 5W/mm à 4GHz, ce qui se révèle être proche de l'état de l'art mondial (6,6 W/mm à 6 GHz).LILLE1-BU (590092102) / SudocSudocFranceF

Millimeter and sub-millimeter waves for MEMS biosensors

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Design of silicon-pTMDS bioMEMS by cold RPECVD

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60Co gamma irradiation effects on electrical characteristics of Al/Y2O3/n-Si/Al capacitors

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Utilisations possibles d’un spectromètre Raman pour la caractérisation de HEMTs à base de GaN

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Analyse par micro-biosystème hyperfréquence

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Effect of lithium fluoride addition on the sintering and dielectric properties of cerium oxide

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Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2

National audienceL’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes métalliques, nous avons combiné les possibilités offertes par la spectroscopie micro-Raman classique avec celles offertes par l’utilisation de micro-thermomètres à base de CeO2 et de TiO2 déposés sur le composant. Ainsi, nous avons montré que la température d’auto-échauffement surfacique du GaN mesurée grâce aux microparticules est de l’ordre de 200 °C alors que la température volumique de la couche de GaN est d’environ 150 °C pour une densité linéique de puissance dissipée de 9 W/mm. L’étude nous a permis d’analyser les avantages et les inconvénients de chacun des micro-thermomètres