Ka-band Coplanar Low-Noise Amplifier Design with Power PHEMTs

The design of a coplanar low-noise amplifier (LNA)is presented in this paper.Pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMTs),optimized for power applications,are used in order to evaluate the potentiality of this technology for mixed-mode applications. The three stages amplifier noise figure is lower than 2.6 dB on the 27 -31 GHz frequency band with a 20 dB power gain

Coplanar W-Band Low Noise Amplifier NMIC Using 100-nm Gate-length GaAs PHEMTs

This paper presents the performance of a W-band low noise amplifier MMIC, based on coplanar technology, and utilizing 100-nm gate-length GaAs pseudomorphic power HEMTs. With a chip size of less than 2 mm2, this two-stage LNA achieves a small signal gain of more than 12 dB between 90 and 100 GHz, with 12.5-dB gain and 3.9-dB noise figure at 94 GHz. This is the best reported performance for power PHEMT-based LNAs at W-band, which is also comparable to the best results reported with more advanced InP or Metamorphic HEMT low noise technologies

High gain 110-GHz low noise amplifier MMICs using 120-nm metamorphic HEMTs and coplanar waveguides

This paper presents the design and performance of 110-GHz low noise amplifier MMICs, based on coplanar technology, and utilizing 120-nm gate-length Metamorphic HEMTs. Thanks to a cascode device, a single-stage amplifier achieves 8-dB small signal gain, with less than 4-dB noise figure at 105 GHz, within a chip size of only 0.725 mm2. The 2- and 3-stage LNAs exhibit small signal gains of more than 15- and 22-dB, respectively over the 100-115 GHz frequency range, with associated measured noise figures of 4.5 dB at 105 GHz; the chip area for these circuits are less than 2- and 3 mm2. To the author’s knowledge, these results are amongst the lowest noise figures reported to date for uniplanar amplifier MMICs operating at these frequencies

Etude comparative du claquage dans les transistors à effet de champ de puissance MESFET, TEGFET et MISFET

Une étude comparative concernant la tension de claquage au pincement dans les transistors à effet de champ MESFET GaAs, TEGFET AlGaAs/GaAs et MISFET InP est présentée. Elle comporte une analyse théorique réalisée à partir de deux modélisations bidimensionnelles reposant sur une résolution rigoureuse des équations physiques des semiconducteurs. La première, relativement simple, traite l'apparition du claquage en absence de courant alors que la seconde très complète tient compte des courants d'électrons et de trous. Cette étude est confortée par de nombreux résultats expérimentaux et permet de faire le point sur l'influence des principaux paramètres des différentes structures. Elle apporte également des éléments de compréhension concernant les effets liés au recess de grille, à la distance et à la configuration de l'espace grille-drain et enfin aux profils de dopage particuliers sous la grille

Spaceborne L Band High Efficiency 65W SSPA Demonstrator for Navigation and Radar Applications

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